Схема дифференциального усилителя

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсиык

Соцыалыстычесыыи

Республик (iii 919047 (89) 132828 ГДР (61) Дополнительное и авт. свид-ву (51)М. Кл. (22) Заявлено 06.07.78(21) 7770245/09 (23) ПРиоРитет - (32) 23. 08. 77 (И) РН03Р/200695 (8З1 ГДР

- Опубликоваио07.04.82.Бюллетень № 13

" 03 F 3/45

@аударствапьй ивиитет ьССР ав делаи им1ретеиий и втирытий (53) УЙК 621.375, .024(088.8) Дата опубликования опнсанив07.04.82

Иностранец

Ганс-Юрген Преуше (ГДР) (72) Автор изобретения

Иностранное предприятие

"ФЕБ Комбинат Роботрон" (ГДР) (7l ) Заявитель

1 54) СХЕМА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ

Изобретение касается схемы диффе. ренциальнога усилителя, используемой в области электроники в качестве дифференциального усилителя или компараторд.

Известная схема дифференциального усилителя, содержащая экспандор-схемы, выполненные на транзисторах и мнаэмиттерных транзисторах, требует два питающих напряжения.

Цель изобретения - создание диф10

Ференциального усилителя, требующего одно питающее напряжение.

Поставленная цель достигается путем соединения одного или несколь ких эмиттеров многоэмиттерного тран1 зистора первой экспандор-схемы соответственно с одним или несколькими эмиттерами многоэмиттерного транзистора второй экспандор-схемы и подключения к коллектору транзистора .

Ю первой экспандор-схемы.

На чертеже показана схема дифференциального усилителя; реализован ная на экспандор-схемах с четырьмя входами.

Экспандор-схема содержит транзисторы 1 и 2,многоэмиттерные транзисторы 3 и 4 и резисторы 5 и 6, причем резисторы 5 и 6 соединены с выводам источника 7 питающего напряжения и с базами многоэмиттерных транзисторов 3 и 4, коллекторы которых связаны с базами транзисторов 1 и 2, Один или несколько эмиттеров 9 и 11 одного многоэмиттерного транзистора 3 соединены соответственно с одним или несколькими эмиттерами

10 и 12 другого многоэмиттерного транзистора 4. Точка их соединения связана с коллектором первого транзистора 1, а клемма 8, соединенная с коллектором второго транзистора 2, является выходом.

На клеммы 13 и 14 подается напряжение управления для эмиттерав транзисторов 1 и 2. Предположим, чт

9!9047 напряжение управления на клемме 13 для эмиттера первого транзистора более отрицательно, чем напряжение управления на второй клемме 14. От положительной клеммы источника 7 питающего напряжения течет ток через резистор 5 и через проводящий переход коллектор-база (диод) многоэмиттерного транзистора 3 в базу первого транзистора 1, а это делает его переход коллектор-эмиттер проводимым.

Таким образом, ток течет теперь через проводящий база — эмиттер-переход (эмиттер 9 ) многоэмиттерного транзистора 3, при этом образуется одинаковое напряжение на коллекторе транзистора 1, на эмиттере 9 и на базе транзистора 1. На втором многоэмиттерном транзисторе 4 имеются та » кие же соотношения, причем подведенный через резистор 6 в базу ток тоже течет через коллектор первого транзистора 1. При этом образуется одина-, ковое напряжение на базах второго 2 и первого 1 транзисторов. Второй у транзистор все-таки заперт из-за раз. ности входного напряжения на клеммах

13 и 14.С уменьшением разности напря жения во втором транзисторе 2 начинает течь базовый ток и увеличенный на коэффициент усиления по току коллекторный ток. При одинаковых напряжениях управления на клеммах 13 и 14 коллекторные токи в обоих транзисторах 1 и 2 тоже одинаковы.

Коллекторный ток второго транзистора нарастает дальше, если. напряжение управления на клемме 13 больше чем на клемме 14. Благодаря расположению обоих транизисторов 1 и 2 на одной полупроводниковой пластинке происходит одновременное нагревание обоих так, что получается компенсация температурных влияний. Неиспользованные выводы эмиттера ll и 12 можно применять в качестве считывающих входов, причем через эмиттер 11 первого многоэмиттерного транзистора 3 можно открыть второй транзистор 2, а через эмиттер 12 второго многоэмиттерного транзистора 4, полностью закрыть.

В предлагаемой схеме дифференциального усилителя применяются уже имеющиеся логические схемы и она работает только с одним питающим напряжением, причем достаточно рабочее напряжение, обычно применяемое для схем с транзисторно-транзисторной логикой. Кроме того, схема быстродействующая.

Формула изобретения

Схема дифференциального усилителя, содержащая первую и вторую экспандорсхемы, выполненные каждая на транзисторе, многоэмиттерном транзисторе и резисторе, один вывод которого соединен с источником питания, другой вывод - с базой многоэмиттерного транзистора, коллектор которого соединен с базой транзистора, при этом эмиттеры транзисторов и многоэмиттерных транзисторов являются входами, а коллектор транзистора второй экспандор-схемы является выходом, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что один или несколько эмиттеров многоэмиттерного транзистора первой экспандор-схемы соединены соответственно с одним или несколькими эмиттерами многоэмиттерного транзистора второй экспандорсхемы и подключены к коллектору транзистора первой экспандорсМемы..

919047

Составитель Н.Дубровская

Редактор Л.Пчелинская Техред Т.Иаточка Корректор Н.Стец

Заказ 2159/37 Тираж 954 Подписное

ВКИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. „ д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Схема дифференциального усилителя Схема дифференциального усилителя Схема дифференциального усилителя 

 

Похожие патенты:

Усилитель // 824404

Усилитель // 815866

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в интегральных аналоговых устройствах

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения, в частности, в усилительных устройствах, импульсных устройствах, автогенераторах

Изобретение относится к радиотехнике, а более конкретно - к усилителям мощности звуковой частоты

Изобретение относится к электронным устройствам, в частности к усилителям, и может применяться для построения интегральных схем

Изобретение относится к радиотехнике и радиоэлектронике, а именно к устройствам стабилизации режима работы дифференциальных усилителей как в гибридном, гибридно-интегральном, так и в интегральном исполнении

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в аналоговых микросхемах различного применения

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в различных микроэлектронных устройствах усиления

Изобретение относится к радиотехнике и связи для использования в качестве устройства усиления широкополосных, в частности, импульсных сигналов в структуре аналоговых интерфейсов различного функционального назначения

Изобретение относится к радиотехнике и связи и может использоваться в качестве высоколинейного преобразователя "напряжение-ток" с широким диапазоном активной работы в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, быстродействующих операционных усилителей (ОУ), аналоговых перемножителей сигналов и т.д.)
Наверх