Схема дифференциального усилителя
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советсиык
Соцыалыстычесыыи
Республик (iii 919047 (89) 132828 ГДР (61) Дополнительное и авт. свид-ву (51)М. Кл. (22) Заявлено 06.07.78(21) 7770245/09 (23) ПРиоРитет - (32) 23. 08. 77 (И) РН03Р/200695 (8З1 ГДР
- Опубликоваио07.04.82.Бюллетень № 13
" 03 F 3/45
@аударствапьй ивиитет ьССР ав делаи им1ретеиий и втирытий (53) УЙК 621.375, .024(088.8) Дата опубликования опнсанив07.04.82
Иностранец
Ганс-Юрген Преуше (ГДР) (72) Автор изобретения
Иностранное предприятие
"ФЕБ Комбинат Роботрон" (ГДР) (7l ) Заявитель
1 54) СХЕМА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ
Изобретение касается схемы диффе. ренциальнога усилителя, используемой в области электроники в качестве дифференциального усилителя или компараторд.
Известная схема дифференциального усилителя, содержащая экспандор-схемы, выполненные на транзисторах и мнаэмиттерных транзисторах, требует два питающих напряжения.
Цель изобретения - создание диф10
Ференциального усилителя, требующего одно питающее напряжение.
Поставленная цель достигается путем соединения одного или несколь ких эмиттеров многоэмиттерного тран1 зистора первой экспандор-схемы соответственно с одним или несколькими эмиттерами многоэмиттерного транзистора второй экспандор-схемы и подключения к коллектору транзистора .
Ю первой экспандор-схемы.
На чертеже показана схема дифференциального усилителя; реализован ная на экспандор-схемах с четырьмя входами.
Экспандор-схема содержит транзисторы 1 и 2,многоэмиттерные транзисторы 3 и 4 и резисторы 5 и 6, причем резисторы 5 и 6 соединены с выводам источника 7 питающего напряжения и с базами многоэмиттерных транзисторов 3 и 4, коллекторы которых связаны с базами транзисторов 1 и 2, Один или несколько эмиттеров 9 и 11 одного многоэмиттерного транзистора 3 соединены соответственно с одним или несколькими эмиттерами
10 и 12 другого многоэмиттерного транзистора 4. Точка их соединения связана с коллектором первого транзистора 1, а клемма 8, соединенная с коллектором второго транзистора 2, является выходом.
На клеммы 13 и 14 подается напряжение управления для эмиттерав транзисторов 1 и 2. Предположим, чт
9!9047 напряжение управления на клемме 13 для эмиттера первого транзистора более отрицательно, чем напряжение управления на второй клемме 14. От положительной клеммы источника 7 питающего напряжения течет ток через резистор 5 и через проводящий переход коллектор-база (диод) многоэмиттерного транзистора 3 в базу первого транзистора 1, а это делает его переход коллектор-эмиттер проводимым.
Таким образом, ток течет теперь через проводящий база — эмиттер-переход (эмиттер 9 ) многоэмиттерного транзистора 3, при этом образуется одинаковое напряжение на коллекторе транзистора 1, на эмиттере 9 и на базе транзистора 1. На втором многоэмиттерном транзисторе 4 имеются та » кие же соотношения, причем подведенный через резистор 6 в базу ток тоже течет через коллектор первого транзистора 1. При этом образуется одина-, ковое напряжение на базах второго 2 и первого 1 транзисторов. Второй у транзистор все-таки заперт из-за раз. ности входного напряжения на клеммах
13 и 14.С уменьшением разности напря жения во втором транзисторе 2 начинает течь базовый ток и увеличенный на коэффициент усиления по току коллекторный ток. При одинаковых напряжениях управления на клеммах 13 и 14 коллекторные токи в обоих транзисторах 1 и 2 тоже одинаковы.
Коллекторный ток второго транзистора нарастает дальше, если. напряжение управления на клемме 13 больше чем на клемме 14. Благодаря расположению обоих транизисторов 1 и 2 на одной полупроводниковой пластинке происходит одновременное нагревание обоих так, что получается компенсация температурных влияний. Неиспользованные выводы эмиттера ll и 12 можно применять в качестве считывающих входов, причем через эмиттер 11 первого многоэмиттерного транзистора 3 можно открыть второй транзистор 2, а через эмиттер 12 второго многоэмиттерного транзистора 4, полностью закрыть.
В предлагаемой схеме дифференциального усилителя применяются уже имеющиеся логические схемы и она работает только с одним питающим напряжением, причем достаточно рабочее напряжение, обычно применяемое для схем с транзисторно-транзисторной логикой. Кроме того, схема быстродействующая.
Формула изобретения
Схема дифференциального усилителя, содержащая первую и вторую экспандорсхемы, выполненные каждая на транзисторе, многоэмиттерном транзисторе и резисторе, один вывод которого соединен с источником питания, другой вывод - с базой многоэмиттерного транзистора, коллектор которого соединен с базой транзистора, при этом эмиттеры транзисторов и многоэмиттерных транзисторов являются входами, а коллектор транзистора второй экспандор-схемы является выходом, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что один или несколько эмиттеров многоэмиттерного транзистора первой экспандор-схемы соединены соответственно с одним или несколькими эмиттерами многоэмиттерного транзистора второй экспандорсхемы и подключены к коллектору транзистора первой экспандорсМемы..
919047
Составитель Н.Дубровская
Редактор Л.Пчелинская Техред Т.Иаточка Корректор Н.Стец
Заказ 2159/37 Тираж 954 Подписное
ВКИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. „ д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4