Магнитно-транзисторный ключ

 

ОПИСАНИЕ 921085

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сеюв Соеетсккк

Сецмалистмческик

Реслублкк

{6! ) Дополиительное к авт, свид-ву I (22)Заявлено 07.07.80 (2l) 2953394/18-21 (51) М. Кл. с присоединением заявки J%— (23) Приоритет

Н 03 К 17/60

Фщаврстаеьй кввппет ьИР ве дмвн вэаврвтевк1 в INllbINa ()публиковаио 15.04.82. Бюллетень № 14 (53) УДК 621,382 (088.8) Дата опубликования описания 16:04.82

В. А. Цишевский, Н. Н. Лаптев М. П. Завьялов с .i I>

1 (72) Авторы изобретеиия

) {71) Заявитель (54) МАГНИТНО-ТРАНЗИСТОРНЬЙ КЛОЧ

Изобретение относится к импульс.ной технике и может быть использовано, в частности в качестве силовых ключей при создании различных устройств коммутации и формирования импульсов.

Известен магнитно-транзисторный ключ, содержащий силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока

Однако известное устройство не от1О личается достаточно высокими динамическими характеристиками, так как иэ-за измерения нагрузки меняется степень насыщения силового трансформатора, что влияет и на временные

I5 параметры.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является магнитно-транзисторный ключ, содержащий

20 силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока, первичная обмотка которого включена последовательно в коллекторную цепь силового транзистора, вторичная встречно-с первичной между коллекторами силового и вспомогательного транзисторов, база вспомогательного транзистора через источник управляющих импульсов соединена с эмиттером силового транзистора, база которого соединена с эмиттером вспомогательного транзистора, дополнительную обмотку трансформатора, диод и резистор (23.

Цель Hçîáðåòåíèÿ †улучшение динамических характеристик.

Для достижения этой цели в магии но-транзисторный ключ, содержащий силовой и вспомбгательный транзисчоры и трансформатор тока, первичная обмотка которого включена последов»тельно в коллекторную цепь силовол о транзистора, вторичйря — встречно с первичной между коллекторами силового и вспомОгательного транан .— торов, база вспомогательного i p<» ii1<— тора через источники управляющих

92108 импульсов соединена с эмиттером силового. транзистора, база которого соединена с эмиттером вспомогательно.

ro транзистора, дополнительную обмотку, диод и резистор, введены дополнительный транзистор, и диод, причем дополнительная обмотка транс.форматора тока соединена одним выводом с коллектором вспомогательного транзистора согласно со.вторичной об-1О моткой, другим выводом. — через диод с коллектором дополнительного транзис. тора, эмиттер которого соединен с коллектором силового транзистора, а база через дополнительный диод — с базой вспомогательного транзистора и через резистор — с коллектором силового транзистора:

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предла- гаемого устройства.

Транзисторный ключ содержит основной 1 и вспомогательный 2 ъранаисторы, токовый трансформатор 3,с первичной 4, вторичной 5 и дополнительной 6 обмотками. Вход составного транзистора 7 подклюнен через резистор 8 к источнику 9 сигналов управления, Дополнительный транзистор 10 и первый диод 11 образуют

30 замкнутый контур с обмотками 5 и 6 трансформатора 3. Базы транзисторов 10 и 2 соединены через второй диод 12. Резистор 13 обеспечивает режим включения транзистора 10 а диод 14—

3S защиту от повьппения напряжения на обмотках токового трансформатора 3 при включении транзисторов 1 и 2.

Во внешнюю цепь транзисторный ключ подключается с помощью зажимов 15 и 16 !

При появлении на выходе источника 9 напряжения с положительной по лярностью транзисторы 2 и 1 включают ся и через коллекторную цепь состав-г 3 ного транзистора 7 протекает ток в направлении, указанном стрелкой. Этот ток, протекая через первичную обмотку 4 токового трансформатора 3, обеспечивает через обмотку 5 и вспомога- 3В тельный транзистор.2 режим насыщения транзистора 1. При этом, если транзистор 10 включен, то глубина насьпцения транзистора 1 определяется отношением коэффициента трансформа- SS ции между обмотками 5 и 4 и фактическим коэффициентом усиления транзистора 1 в конкретном режиме. Глу5 ф бина насьпцения транзистора 1 фик..сируется с помощью измерения напряжения на база-коллекторнам переходе, которое, суммируясь с напряжением база-эмиттерного перехода транзйстора 2, сравнивается с суммой падений напряжений на .диоде 12 и бачаэмиттерном переходе транзистора 10. Протекание тока в контуре . база-коллекторный переход транзистора

1, эмиттер-базовый переход транзистора 2> диод 12, база-эмиттерный переход транзистора 10, вызывает отпирание транзистора 10 и протекание тока по контуру : обмотка, 5, обмотка

6, диод ll, транзистор 10. Ток коллектора транзистора 10 вычитается из тока обмотки 5, поступающего в базу транзистора 1, стабилизируя глубину насьпцения последнего. Дополнительная обмотка 6 необходима для компенсации начального падения напряжения на диоде 11 и транзисторе 10.

Таким образом, введение дополнительного ключа,. диодов и дополнительной обмотки в схему транзисторного ключа стабилизирует глубину его насыщения и тем самым улучшает его динамические характеристики, что позволяет применять его в широком диапазоне частот коммутации.

Формула изобретения

Магнитно-транзисторный ключ, содержащий силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока, первичная обмотка которого включена последовательно.в .коллекторную цепь силового транзистора, вторичная— встречно с первичной между коллекторами силового и вспомогательного транзисторов, база дополнительного транзистора через источники управляющих импульсов соединена с эмиттером силового трансформатора, база которого соединена с эмиттером вспомогательногб транзистора, дополнительную обмотку, диод и резистор, о т л и ч а ю.шийся тем, что, с целью улучшения динамических характеристик, в ключ введены дополнительньгй транзистор и диод, причем дополнительная обмотка трансформапора тока соединена одним выводом с коллектором вспомогательного транзистора согЛасно с вторичной обмоткой, другим выводом — через диод

921085

Составитель Л.,Багян

Редактор С. Запесочный Техред М.Гергель Корректор О. Билак

Заказ 2380/74 Тираж 954 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий, 113035, Москва, Ж-35, Рауюская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгорс1д, ул. Проектная, 4 с коллектором дополнительного транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором силового транзистора,, а база через -дополнительный, диод -. с базой вспомогательного транзистора и через резистор с коллектором силового транзистора.

6..

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе .1. Авторское свидетедьство СССР

Ф 318462, кл. H 03 К 17/60, )969 °

S 2. Авторское свидетельство СССР

В 222462, кл. Н 03 К 6/02, 196» (прототип).