Способ контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин

 

СПОСОБ КОНТРОЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ СОСТАВЛЯЩЕЙ ПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напряжения , облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля диэлектрических пластин, выполненных из материала , не обладающего электрооптическим эффектом, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят в оптический контакт с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладьшают импульсы напряжения , амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения электрического пробоя использованного кристалла, а облучение структуры (Л производят монохроматическим светом.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) 4 6 01 N 21/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ВСЕЯГЗПАа

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ д „ ",, „)

Ч АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ВИВЛНИИА (21) 3223674/18-25 (22) 18.12 ° 80 (46) 30.09.87. Бюл. 9 36 (71) Сибирский научно-исследовательский институт энергетики (72) В.М.Копылов и Э.В.Яншин (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

11 360599, кл. О 01 N 27/24, 1971.

Cassidy Е., Cones Н., Bocher S.

Instrum Meas 1-М, — 19, 1970, 395. (54)(57) СПОСОБ КОНТРОЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ ПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПЛАСТИН, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля диэлектрических пластин, выполненных из материала, не обладающего электрооптическим эффектом, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят в оптический контакт с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения электрического пробоя испольвованного кристалла, а облучение структуры производят монохроматическим светом.

928896

Изобретение относится к технике исследования материалов и может быть использовано для контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости в жидких, твердых и газообразных диэлектриках.

Известен способ контроля материалов, основанный на наложении образца исследуемой поверхностью на регистрирующий материал, приложении к исследуемой системе напряжения и регистрации мест повышенной проводимости по изменению оптических свойств регистрирующего материала.

Недостатком этого способа является его непригодность для контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площадки диэлектрических пластин.

Известен также способ контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью.

Недостатком этого способа является его непригодность для контроля диэлектрических пластин, выполненных из материала, не обладающего электрооптическим эффектом.

Целью изобретения является обеспечение контроля диэлектрических пластин, выполненных из материала, не обладающего электрооптическим эффектом.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанном на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят в оптический контаКт с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения элекТаким образом формируют потенциальный рельеф на поверхности электрооптического кристалла. Исходя из ана55 лиза зарегистрированной оптической картины потенциального рельефа, определяют наличие высоковольтной проводимости в диэлектрике и соответствующие ее участки.

50 трического пробоя использовайного кристалла, а облучение структуры производят монохроматическим светом.

На чертеже приведена схема устройства для реализации способа.

Устройство содержит генератор импульсов высокого напряжения 1, источник монохроматического света 2, исследуемую структуру 3, фоторегистратор 4, поляризатор 5, анализатор 6, Предложенный способ осуществляется следующим образом. Импульс высокого напряжения от генератора 1 подают на исследуемую структуру 3. Во время воздействия импульса напряжения монохроматический свет от источника 2 пропускают через поляризатор 5, исследуемую структуру 3, анализатор 6 и регистрируют полученную картину распределения интенсивности света с помощью фоторегистратора 4. Запуск фоторегистратора 4 осуществляют одновременно с подачей импульса напряжения на исследуемую структуру. Амплитуда напряжения должна быть больше, чем полуволновое напряжение для используемого кристалла, но меньше, чем напряжение, при котором нарушается электрическая прочность кристалла.

При отсутствии высоковольтной проводимости в диэлектрике, т.е., когда выполняется закон Ома, каждая точка границы раздела будет иметь одинаковый потенциал и, следовательно, потенциальный рельеф не возникает. Существенно, что это не зависит от внешних условий, амплитуды, формы и длительности приложенного напряжения, диэлектрической проницаемости, собственной проводимости исследуемого диэлектрика и т.д. Воздействие сильного электрического поля на диэлектрик вызывает появление в нем высоковольтной проводимости, особенностью которой является ее пространственно локализованный характер. При этом, в локальных участках межэлектродного промежутка происходит перераспределение напряжения. з 928896

Таким образом, предлагаемый спо- Предложенный способ найдет примесоб позволяет обнаружить высоковольт- нение при исследовании предпробивных ную проводимость и места ее возник- процессов в газообразных, жидких и новения в диэлектриках, не обладаю- твердых диэлектриках, а также при щих электрооптическим эффектом.

5 диагностики электрической изоляции.

Редактор Н.Сильнягина Техред И.Попович Корректор Л.Патай

Заказ 4451 Тираж 776 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие,r.ужгород,ул.Проектная,4