Термопарный датчик проходящей сверхвысокочастотной мощности

 

ОП ИКАНИЕ

И 306РЕТЕН ЫЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

< >930139 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (5! )М. Кл, (22)Заявлено 03.12 79 (21) 28471б0/18-09 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 23. 05. 82. Бюллетень М 19

Дата опубликования описания 25.05.82. Q 01 к 21/04

3Ьеударстэаивй кюмктвт

СССР ао делам нзебретеннй и открытий (53) УДК 621,317.382(088.8) (72) Авторы изобретения

Л. Н. Погодин и С. Il. Балешенко (7l) Заявитель, 54) ТЕРМОПАРНЫЙ ДАТЧИК ПРОХОДЯЩЕЙ

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ МОЩНОСТИ

1О

Изобретение относится к технике радиоизмерений.

Известен термопарный датчик проходящей сверхвысокочастотной мощности, содержащий полупроводниковый тер иоэлемент, к одному торцу которого прикреплена поглощающая насадка, а к другому — удлинитель, размещенный в корпусе, при этом в полупроводниковом термоэлементе и удлинителе выполнено осевое отверстие (1J.

Однако известный термопарный датчик не обеспечивает высокую чувствительность.

Цель изобретения — повышение чувствительности.

Эта цель достигается тем, что в известном термопарном Датчике в осевом отверстии установлена изолирующая втулка, внутри которой размещен дополнительный полупроводниковый тер моэлемент и дополнительный удлинитель, при этом торец дополнительного полупроводникового термоэлемента гальванически соединен с полупроводниковым термоэлементом и поглощающей насадкой.

На чертеже приведена конструкция термодатчика.

Термопарный датчик проходящей сверхвысокочастотной мощности содержит полупроводниковый термоэлемент

1, к одному торцу которого прикреп лена поглощающая насадка 2, а к другому - удлинитель 3, размещенный в корпусе 4, при этом в полупроводниковом термоэлементе 1 и удлинителе

3 выполнено осевое отверстие, в котором установлена изолирующая втулка 5, внутри которой размещены дополнительный полупроводниковый термоэлемент б и дополнительный удлинитель 7, а торец дополнительноro полу. проводникового термоэлемента б гальванически соединен с полупроводниковым термоэлементом 1 и поглощающей насадкой 2.

"930139 4 формула изобретения

Термопарный датчик проходящей сверхвысокочастотной мощности, содержащий полупроводниковый термоэлемей, к одному торцу которого прикреплена поглощающая насадка, а к другому— удлинитель, размещенный в корпусе, при этом в полупроводниковом термоэлементе и удлинителе выполнено осевое отверстие, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, .с целью повышения чувствительности,. в осевом отверстии уста,новлена изолирующая втулка, внутри которой размещены дополнительный полупроводниковый термоэлемент и дополнительный удлинитель, при этом торец дополнительного полупроводникового термоэлемента гальванически соединен с полупроводниковым термоэлементом и поглощающей насадкой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1..Авторское свидетельство СССР

N 187847, кл. G 01 R 21/04, 1964 (прототип) .

Полупроводниковые термоэлементы

1и6 выполнены в виде цилиндров из полупроводниковых сплавов разной право димости, например, ТВ3Х-1 и ТВДХ-1.

Термопарный датчик работает следующим образом.

Корпус 4 из анодированного алюминия обеспечивает хороший тепловой кон" такт с трактом СВН поля и необходи- io мую электрическую изоляцию.

Для увеличения поглощения мощности СВЧ поля торцы термоэлементов 1 и 6 соединены с поглощающей насадкой ts

2, которая, нагреваясь, передает им тепло.. При этом возникает термо-ЭДС; снимаемая с выводов 8 и 9, пропорцио нальная мощности СВЧ поля.

Введение дополнительного полупроводникового термоэлемента позволяет увеличить в два раза чувствительность предлагаемого термопарного датчика по сравнению с известным .

ВНИИПИ Заказ 3458/56

Тираж 719 Подписное

Филиал ППП "Патент", r.Ужгород,ул.Проектная,4