Микрополосковая нагрузка

 

МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА, содержащая диэлектрическую подложку , на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой заземляющее основание, при этом к токонесущему проводнику подключен резистор, другой конец которого соединен с заземляющим основанием, отличающаяся тем, что, с целью улучшения согласог ания и увеличения допустимой рабочей мощности , на диэлектрической подложке вдоль токонесущего проводника размещен объемный поглотитель, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которого описывается выражением: А(х) lOW/e ,где W - ширина токонесущего проводника; А - значение ординаты образующей; X - текущее значение длины объемного поглотителя, отсчитываемое от его конца, бли айщего к резистору; К (П коэффициент, лежащий в пределах 1214 , при этом 0,25W. g ;о сд со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (!9) (И) А (5!) 4 H 01 Р 1/26 з ! " - -4-": ::: (ЗИБЯЦя ця

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABT0PCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3232025/18-09 (22) 05. 01. 81 (46) 23.01.86. Бюл. N 3 (72) IO.Ф.Андреев, И.Д.Кучер и Н.А.Шефер (53) 621,372.855.4 (088.8) (56) Патент Франции У 2096858, кл. Н 01 P 1/00, 1972.

Патент ФРГ N 2260058, кл. Н 01 P 1/26, 1972. (54)(57) ИИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой-заземляющее основание, при этом к токонесущему проводнику подключен резистор, другой конец которого соединен с заземляющим основанием, отличающаяся тем, что, с целью улучшения согласог анин и увеличения допустимой рабочей мощности, на- диэлектрической подложке вдоль токонесущего проводника размещен объемный поглотитель, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которого описывается выражением : А(х) = 10W/å,где х/к

W — - ширина токонесущего проводника;

А — значение ординаты образующей; х — текущее значение длины объемного поглотителя, отсчитываемое от его конца, ближайшего к резистору; К— коэффициент, лежащий в пределах !2149 при этом А „„= 0925W.

950130

Изобретение относится к технике

СВЧ, Известна микрополосковая нагрузка с фиксированной фазой коэффициента отражения, представляющая собой вариант включения или заземления сосредоточенных или распределенных резисторов в микрополосковой линии.

Недостатком этой микрополосковой линии является относительно высокое значение КСВН (1,1 — 1,2).

Известна также микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник, а на другой — заземляющее основание,при этом к токонесущему проводнику подключен резистор, другой конец которого соединен с заземляющим основанием.

Редактор С.Титова Техред Л.Олейник

Корректор И,Иуска

Заказ 2156/2 Тираж 597 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва., )К-35, Раушская наб., д, 4/5,Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Однако эта известная иикрополосковая нагрузка не обеспечивает хорошего согласования и высокой допустимой мощности.

Цель изобретения — улучшение со1 гласования и увеличение допустимой рабочей мощности.

Для этого в известной микрополосковой нагрузке на диэлектрической подложке вдоль токонесущего проводника размещен объемный поглотитель, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которого

v,tк описывается выражением А(х) =10W/е где W †шири токонесущего проводника, А — значение ординаты образующей, х — текущее значение длины объемного поглотителя, отсчитываемое от его конца, ближайшего к резистору.

К вЂ” коэффициент, лежащий в пределах

12-14, при этом А,„,н= 0,250.

На чертеже приведена конструкция микрополосковой! линии, Микрополосковая линия содержит диэлектрическую подложку i на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник 2, а на другой стороне заземляющее основание 3, при этом к токонесущему проводнику 2 подключен резистор 4, другой конец которого

1б соединен с заземляющим основанием 3, на диэлектрической подложке 1 вдоль токонесущего проводника 2 размещен объемный поглотитель 5, имеющий форму тела вращения, усеченного по оси, образующая которого описывается выражением А(х)=10И/е, причем К = — !2-14, а А„1,ш - 0,25Ы, При изготовлении объемного поглотителя 5 из ферроэпоксида К = 12, рр при изготовлении из полижелеза К=14.

Микрополосковая нагрузка работает следующим образом.

Объемный поглотитель 5 практически не изменяет собственного КСВН ре25 гулярной микрополосковой линии и обеспечивает развязку между входом микрополосковой линии и резистором 4.

За счет наличия развязки отражения, вызыгаемые несовершенством резистозо ра 4 и качеством его заземления, на вход микрополосковой нагрузки не попадают, а большая часть мощности, поданной на микрополосковую нагрузку, рассеивается в объемном поглотителе, не достигая резистора 4. КСВН такой микрополосковой нагрузки практически совпадает с собственным КСВН регулярной микрополосковой линии.

Таким образом, введе:яие объемного поглотителя позволяет уменьшить КСВН микрополосковой нагрузки, т.е. Улучшить согласование, а также увеличить допустимую рабочую мощность.