Способ определения полей магнитной анизотропии поликристаллических ферритов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ри958994 ( ф 1

I

1 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 2306,80 (21)2943665/18-21 р 1М К1з

0 01 R 33/12 с присоединением заявки ¹â€”

Государственный комитет

СССР по целям изобретений и открытий (23) Приоритет

)53) УДК 621. 317. .44(088.8) Опубликовано 15.09.82. Бюллетень ¹ 34

Дата опубликования описания 150982 (72) Авторы изобретения

Т .С. Касаткина, IO.Н. Носков и A Å. Лядо (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЕЙ NA1 HHTHOA

АНИЗОТРОПИИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВ

Изобретение. относится к радиоэлектронной промышленности, в частности к методам измерения параметров материалов для радиоэлектронной промышленности, и предназначено для измерения эффективных полей магнит- ной анизотропий поликристаллических ферритов, в том числе фЕррогранатов.

Известен способ определения палей магнитной анизотропии в поликристаллических ферритах, включающий анализ спектров магнитной проницаемости f17.

Однако этот способ является кос венным и, в основном, пригоден для измерения относительно больших полей, т.е. имеет ограниченный диапазон применения.

Известен другой способ определения полей магнитной анизатропии поликристаллических ферритов, включающий определение ширины линии ферромагнитного резонанса (ФМР) образца и выделение составляющей, пропорциональной полю анизотропии f2).

Способ имеет невысокую точность вследствие того, что ширина линии

ФМР в общем является суммой пятишести составляющих, и выделение составляющей, пропорциональной полю аниэотропии, возможно лишь, когда большинство остальных составляющих пренебрежимо мало.

Кроме того, способ обладает невысокой чувствительностью, которая зависит от намагниченности образца.

Цель изобретения — повышение точ- ности способа.

Поставленная цель достигается

)О .тем, что согласно способу определения полей магнитной аниэотропии поликристаллических ферритав, включающем определение ширины линии ферромагнитного резонанса образца, определяют зависимость ширины линии .ферромагнитного резонанса образца от. частоты, регистрируют максимальное н минимальное значение ширины линии " ферромагнитного реэонанса образца, а о величине поля анизотропии судят по разности максимального и минимального значений ширины линии ферромаг» нитного резонанса образца, при этом зависимость ширины линии ферромагнитного резонанса образца от частоты определяют в диапазоне частот 1/Ъ У 4 )) М — 4Л М где г - гиромагнитное отношение

4ЛМ - намагниченность насыщения i

30 . образца.

958994

Формула изобретения

Составитель В. Новожилов

Редактор Л. Авраменко Техред Л.Пекарь КорректорВ. Бутяга

Заказ 7009/61 . Тираж 717 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

На фиг. 1 изображена типичная частотная зависимость ширины линии

ФМР поликристаллического феррита; на фиг. 2 - экспериментальная зависимость поля анизотропии-от величины разности максимального и минималь- 5 ного значений И@рины линии CNp.

Способ peankÇóåòcÿ следующим образом (на. примере образца из поликристаллического феррограната . V< Gd< Ве50+ с намагниченностью насы- 10 щейия 4Х МВ=1600 Гс), Исследуемый образец феррита в форме шарика диаметром 1-2 мм помещают в измерительный тракт (на чертеже не показан) и, любым из известных методов, измеряют частную зависимость ширины линии ФМР ь Н этого образца в диапазоне частот от f,"-1/Ъу4ЛИз= . 1500 МГц до Гхф 43И6 =4500 МГц. . Определяют экстремальные значения ьН „„и ьНп,„ на частотной зависимости ьН; ьНо„523; ьНщ,, =20Э (фиг.1)

Определяют. величину сР(ЬЙ)=ьН,„ „ ьН д.р =52-20-32 Э.

Величину поля анизотропии определяют по формуле Н4=3-Ф(ьН)=3.32=96 Э (коэффициент находят по графику на . фиг. 2) .

Для монокристаллического феррита .аналогичного состава величина НА= 90-:, 100 Э, что находится в хорошем сост- Зц ветствии с полученной величиной.

Таким образом, предлагаемый способ определения эффективных полей магнитной анизотропии паликристаллических ферритов.применим для широкого . 39 круга материалов, не предъявляет жестких требований к свойствам и.ка-. честву ферритового материала и образN(цов из него; обладает высокой чувствительностью и точностью определения искомой величины; характеризуется относительной простотой.

Способ определения порей магнитной анизотропии полнкристаллнческих ферритов, включающий определение ширины линии ферромагнитного резонанса o6-. разца, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оп-. ределяют зависимость ширины линии ферромагнитного резонанса образца от частоты, регистрируют максимальное и минимальное значения ширины линии ферромагнитного резонанса образца, а о величине поля анизотропии судят по разности максимального и минимального значений ширины линии ферромагнитного резонанса образца, при этом зависимость ширины линии фЕрромагнитного резонанса образца от частоты определяют в диапазоне частот

1(5г4 М -g4Jjg где rjj — гиромагнитное отношение;

4%MS — намагниченность насыценйя обраэца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

" 1. Ферриты.:Изд. AH БССР, 1960, с. 199.

2. Simonet W. Hermosin А. Journ

Арр!. Phys, 1978, 49(3), 1956,