Пороговый элемент

 

<

Ъ

Ю. П. Шишулин, В. В. Плотников Л." А. Горник, Л. Н. Шурик, B. Н. Батуев и Д. Ц. Иодко

<

Всесоюзный научно-исследовательскйй-и йроектйо- конструкторский институт механизированного - . и ручного строительно-монтажного инструмента, вибраторов и строительно-отделочных машин (72) Авторы изобретения (7l ) Заявитель (5 4) ПОРОГОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к электротехнике, в .частности к пороговым элементам, и может быть использовано в электроприводе для управления симисторами в схемах управления электродвигателями.

Известен пороговый элемент, .содерка- 5 ший диак (1 ) .

Известный элемент характе ризуется недостаточной чувствительностью из-за высокого остаточного напряжения на о диаке.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является пороговый элемент, содеркаший транзисторный аналог кремниевого двустороннего ключа на парах транзисторов, обшие точки базы и коллектора транзисторов каждой пары соединены с выводами порогового элемента через переходы эмиттер — ба- 20 за (2 3.

Однако устройство характеризуется невысокой чувствительностью и сложностью, связанной с наличием стабилитронов.

Белью изобретения является повышение чувствительности и упрошение устройства.

Поставленная цель достигается тем, что транзисторы изготовлены по эпитаксиально-планарной технологии.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема злектропривода, в которой использован пороговый элемент согласно данному изобретению, на фиг. 2характеристики стабилитрона и перехода база - эмиттер транзистора, изготовленного по зпитаксиально-планарной технологии, Пороговый элемент соде ркит транзис

-торный аналог кремниевого двустороннего ключа на парах транзисторов 1 - 4, обшие точки 5 и 6 базы и коллектора транзисторов 1 — 4 каждой лары соедине ны с выводами 7 и 8 порогового элемента через переходы эмиттер - база.

980760 4 ен ется лавинный процесс, и оба транзистора

1 и 2 переходят в режим насышения.

При этом конденсатор 9 разряжается через транзисторы 1 и 2 на управляюший вывод симистора 12. Симистор 12 ю- открывается и подает ту часть положительного полуперища напряжения, которая определяется постоянной времени времязадаюшей R С-цепочки 9 — 11. и- 1О Управление симистором 12 во время лу- отрицательного полупериода осушествляется аналогичным образом, но происходит ю включение пары транзисторов 3 и 4 че« рез переход эмиттер - база транзистора

11. ис- Таким образом, .пороговый элемент обеспечивает повышение чувствительности при сравнительно простом схемном решении.

Вывод 7 порогового элемента соедин с времязадаюшей R С-пепочкой (конденсатор 9 и резисторы 0 и 11), шунтируюший симистор 12, включенный после довательно с двигателем 13. Вывод 8 порогового элемента соединен с управля шим выводом симистора 12.

Устройство работает следующим обра зом.

При подаче напряжения на электродв гатель 13 в течение положительного по периода происходит зарядка конденсатора

9. Время заряда регулируется с помошь резистора 10. Происходит увеличение положительного потенциала на выводе 7 относительно вывода 8, при этом транз торы 1 - 4 закрыты. При достижении на выводе 7 определенной величины пол жительного потенциала происходит обра тимый пробой перехода база — эмиттер щ транзистора 4, Переход база — эмиттер транзистора 4, изготовленного по эпитаксиально-планарной технологии, работает как пороговый элемент с участком отрицательной характеристики,(кривая Ь 25 на фиг. 2).

Как показано на фиг. 2, кривая а, представляюшая характеристику обычного стабилитрона, имеет восходяшую ветвь, что обуславливает необходимость подачи щ более высокого потенциала на вывод 7.

Очевидно, что кривая о является более выгодной, поскольку она позволяет работать с меньшими токами управления.

Это повышает чувствительность.

Ток проходит через переход базаэмиттер транзистора 1 и открывает его.

Коллекторный ток транзистора 1 открывает транзистор 2, который, в свою очередь, увеличивает ток транзистора 1. Начина- 4о

Ф ормула изобретен ия

Пороговый элемент, содеркаший транзисторный аналог кремниевого двустороннего ключа на парах транзисторов, обшие точки базы и коллектора транзисторов каждой пары соединены с выводами порогового элемента через переходы эмиттербаза, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с пелью повышения чувствительности и упрошения, транзисторы изготовлены по эпитахсиально-планарной технологии.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Ne 3447057, кл. 318-345, 1969.

2. Тиристоры, Технический справочник.

Под ред. Лабунпова. М., "Энергия", 1971, с. 550.

989750

Составитель Ю. Воробьев

Редактор Н. Горват Техред МЛадь Корректор М. Шароши

Заказ 11150/78 Тираж 934 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4