С помощью полупроводниковых детекторов (G01T1/24)
G01T1/24 С помощью полупроводниковых детекторов (полупроводниковые детекторы как таковые H01L31)(128)

Изобретение относится к экспериментальной ядерной технике. Область использования - технология поверхностно-барьерных детекторов ядерных излучений, в частности определение энергетического эквивалента толщины мертвого слоя и оптимизация его толщины с учетом технологических режимов формирования барьера Шоттки.

Изобретение относится к области радиоэкологического мониторинга и предназначено для идентификации бета-излучающих радионуклидов. Способ идентификации бета-излучающих радионуклидов включает предварительное однократное создание библиотеки фонов, создание библиотеки для данного жидкостного сцинтилляционного счетчика и данного коктейля для всех бета-излучающих радионуклидов, модельных спектров пробы ОРР при разных уровнях гашения в виде системы полиномов третьей степени параметров суммы кусочно-комбинированных функций и эффективности измерения в зависимости от гашения в виде экспоненциальной функции, измерение и запись спектра пробы и параметров измерения пробы, используя параметр гашения, полученный при измерении пробы, определяют коэффициенты вклада каждого библиотечного спектра изотопа в спектр измеряемой пробы.

Изобретение относится к электронным устройствам для считывания данных с датчиков ионизирующих излучений. Устройство для определения координаты ионизирующей частицы в М-канальном полупроводниковом датчике ионизирующего излучения на основе регулярных структур p-n переходов представляет собой набор керамических конденсаторов определенной емкости Cd, соединяющих последовательно несколько каналов полупроводникового многоканального датчика.

Группа изобретений относится к детектору излучения со счетом фотонов, содержащему матрицу пикселей, содержащую множество пикселей обнаружения для обнаружения информации об изображении. По меньшей мере один пиксель матрицы пикселей экранирован от приема излучения.

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения. Гибридный пиксельный детектор ионизирующих излучений содержит полупроводниковый структурированный сенсор для регистрации ионизирующих излучений, состоящий из матрицы столбчатых элементов, электрически изолированных друг от друга тонким слоем диэлектрика, и регистрирующую матричную микросхему, соединенные методом перевернутого кристалла, при этом толщина сенсора составляет 4 мм, а размер пикселя сенсора - 55 мкм или 110 мкм.

Использование: для обнаружения ухудшения состояния вследствие воздействия радиации. Сущность изобретения заключается в том, что способ для обнаружения отказа цепи вследствие воздействия радиации, включает: определение тока полупроводникового устройства в аналоговой схеме; определение количества радиации, воздействующей на полупроводниковое устройство, на основе тока; сравнение количества радиации с пороговым значением дозы радиации; индикацию ухудшения состояния полупроводникового устройства на основе сравнения; и направление на основе сравнения предупреждения о возможном ухудшении состояния на рабочую станцию оператора.

Группа изобретений относится к детектору прямого преобразования. Детектор излучения содержит множество детекторных модулей, расположенных рядом друг с другом.

Группа изобретений относится к детектору излучения прямого преобразования. Детектор излучения прямого преобразования содержит слой прямого преобразования, содержащий материал прямого преобразования для прямого преобразования падающего излучения от источника излучения в пары электрон-дырка, первый электрод, установленный на слое прямого преобразования обращенным к источнику излучения, второй электрод, установленный на противоположной стороне слоя прямого преобразования относительно первого электрода, средство для приложения электрического потенциала между первым электродом и вторым электродом, при этом материал прямого преобразования содержит гранат с составом Z3(AlxGay)5O12:Ce, в котором Z представляет собой Lu, Gd, Y, Tb или их сочетания и в котором y равен или больше x; и, предпочтительно, Z содержит Gd.

Группа изобретений относится к приемному контейнеру для работающего в сверхглубоком вакууме (UHV) или в атмосфере защитного газа из высокочистого газа детектора. Приемный контейнер для работающего в сверхглубоком вакууме или в атмосфере защитного газа из высокочистого газа детектора содержит приемную часть, которая образует по меньшей мере часть приемной полости для детектора, и крышку для газонепроницаемого запирания приемной полости.

Группа изобретений относится к визуализации в эмиссионном излучении. Сущность изобретений заключается в том, что сокращенная конструктивная схема кристаллов включает в себя заполненные кристаллические ячейки и пустые кристаллические ячейки.

Группа изобретений относится к области обнаружения ионизирующего излучения. Детектор для обнаружения ионизирующего излучения содержит полупроводниковый слой прямого преобразования для производства носителей заряда в ответ на падающее ионизирующее излучение, и множество электродов, соответствующих пикселам для регистрации носителей заряда и генерирующих сигнал, соответствующий зарегистрированным носителям заряда; при этом электрод из упомянутого множества электродов структурирован так, чтобы двухмерным образом переплетаться с по меньшей мере двумя соседними электродами для регистрации носителей заряда упомянутым электродом и по меньшей мере одним соседним электродом.

Изобретение относится к области построения и функционирования измерительных информационных систем обнаружения и засечки ядерных взрывов. Способ определения мощности ядерного взрыва содержит этапы, на которых одновременно измеряют сигнал в оптическом диапазоне длин волн и сигнал от ионизирующего излучения, при этом аппаратно или программно дифференцируют сигналы, полученные от каналов измерения оптического сигнала и сигнала ионизирующего излучения, а мощность взрыва определят по величине смещения точки пересечения графиков производных функций сигналов ионизирующего и оптического излучения.

Группа изобретений относится к детектору излучения. Детектор излучения содержит преобразующий элемент для преобразования падающего излучения в электрические сигналы; схему считывания для обработки упомянутых электрических сигналов; нагревательное устройство, отделенное от схемы считывания, для нагревания преобразующего элемента, причем нагревательное устройство содержит элемент Пельтье, и причем источник тепла упомянутого элемента Пельтье ориентирован к преобразующему элементу, а его теплоотвод ориентирован к схеме считывания.

Изобретение относится к обнаружению медленных нейтронов. Устройство обнаружения медленного нейтрона содержит первый преобразователь медленных нейтронов и второй преобразователь медленных нейтронов, выполненные с возможностью взаимодействия с падающими нейтронами и генерирования электронов, устройство умножения и считывания электронов, расположенное между первым преобразователем медленных нейтронов и вторым преобразователем медленных нейтронов и выполненное с возможностью умножения и считывания электронов, причем устройство умножения и считывания электронов содержит первый катодный проводной набор, второй катодный проводной набор и проводной набор считывающего электрода.

Планарный полупроводниковый детектор предназначен для регистрации излучений в ядерной физике, физике высоких энергий, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы, гамма-кванты и рентгеновское излучение.

Группа изобретений относится к полупроводниковым детекторам рентгеновского или гамма-излучения. Полупроводниковый детектор для счета фотонов содержит подложку из полупроводникового материала, источник напряжения смещения для приложения к подложке напряжения смещения в течение каждого периода сбора данных, считывающее устройство для периодического считывания данных, характеризующих количество зарядов, образующихся в подложке (11) как отклик на фотоны, внешний источник оптического излучения, способный воздействовать указанным излучением на подложку для обеспечения возможности перехода захваченных носителей заряда с дефектных уровней в подложку, управляющее устройство, функционально связанное с источником напряжения смещения, при этом управляющее устройство сконфигурировано с возможностью управлять источником напряжения смещения с прерыванием подачи указанного напряжения на подложку и внешним источником оптического излучения с включением указанного источника для облучения подложки, обеспечивающего возможность перехода захваченных носителей заряда с дефектных уровней в подложку, одновременно в течение по меньшей мере части указанных периодов считывания.

Использование: для создания полупроводникового пиксельного детектора сильно ионизирующих заряженных частиц. Сущность изобретения заключается в том, что детектор включает последовательное соединение монолитного слоя высокоомного полупроводникового материала (сенсора) со сплошным внешним и пиксельным внутренним металлическими электродами и регистрирующей пиксельной микросхемы с коэффициентом усиления не менее 80 мВ/фКл, при этом из схемы детектора исключен источник напряжения смещения и добавлен резистор, который подключен к внешнему металлическому электроду сенсора и регистрирующей схеме.

Группа изобретений относится к способу контроля коэффициента усиления и установки в ноль многопиксельного счетчика фотонов. Способ контроля коэффициента усиления многопиксельного счетчика фотонов содержит этапы, на которых сигналы, генерируемые устройством, принимают в течение заданных периодов, пока не будет достигнуто заданное суммарное время измерений, формируют гистограмму амплитуд на основе принятых сигналов, определяют позиции двух последовательных пиков, измеримых на этой гистограмме, генерируют сигнал ошибки, равный девиации между этими двумя пиками, и на основе этого сигнала ошибки регулируют напряжение, подаваемое на устройство, чтобы поддерживать девиацию, равную заданной величине.

Изобретение относится к сенсорному устройству для обнаружения сигналов излучения. Для обеспечения высокой целостности сигналов и сохранения способности к четырехсторонней стыковке сенсорное устройство содержит сенсорную матрицу, содержащую множество детекторов, сенсорный элемент для преобразования принятых сигналов излучения в множество соответствующих электрических сигналов, элемент интерпозера, простирающийся поперечно между первой боковой стороной и второй боковой стороной, и элемент интегральной схемы.

Изобретение относится к материалам детекторов для регистрации ионизирующего излучения, а также может быть использовано как оптический материал для ИК-оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристаллы на основе бромида таллия дополнительно содержат 0,0028-0,00008 мас.% примеси бромида магния.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал, в частности к чувствительным элементам, предназначенным для использования в различных системах измерения уровней радиации.

Изобретение относится к области измерения ионизирующих излучений и может быть использовано при регистрации частиц, ультрафиолетового-, альфа-излучений. Чувствительный элемент с кольцевым контактом для алмазного детектора, предназначенный для регистрации частиц, альфа-, УФ излучений, содержит лицевой контакт, выполненный с отверстием радиуса R, определяющимся из условия достаточной величины электрического поля в цилиндрической области радиуса R и позволяющим устранить энергетические потери регистрируемых частиц вследствие отсутствия контакта внутри цилиндрической области радиуса R.

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующих излучений, в частности к алмазным детекторам, способным работать в условиях повышенных температур, пониженных давлений, в агрессивных средах.

Изобретение в целом относится к системам формирования изображения. Детекторное устройство для детектирования излучения содержит преобразующий слой, множество собирающих заряд электродов, множество внешних направляющих электродов, при этом детекторное устройство предназначено для приложения к направляющим электродам напряжения , где Ubias обозначает напряжение, приложенное между упомянутыми собирающими заряд электродами и противоэлектродом, через который принимается упомянутое излучение, dgap обозначает ширину упомянутых зазоров между упомянутыми собирающими заряд электродами, dg обозначает расстояние между соединительным слоем, на котором размещены упомянутые направляющие электроды, и упомянутым преобразующим слоем, εc обозначает относительную диэлектрическую проницаемость упомянутого преобразующего слоя, εg обозначает относительную диэлектрическую проницаемость в слое между упомянутыми собирающими электродами и упомянутыми направляющими электродами и dc обозначает толщину упомянутого преобразующего слоя.

Использование: для детектирования рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что детектор рентгеновского излучения содержит блок датчиков для определения падающего рентгеновского излучения, содержащий определенное число сенсорных элементов, счетный канал в расчете на сенсорный элемент для получения счетного сигнала посредством подсчета фотонов или импульсов заряда, сформированных в ответ на падающее рентгеновское излучение с начала интервала измерений, суммирующий канал в расчете на сенсорный элемент для получения просуммированного сигнала, представляющего полную энергию излучения, определенного с начала интервала измерений, и блок обработки для оценки, из просуммированных сигналов сенсорных элементов, счетных сигналов сенсорных элементов, счетный канал которых насыщен в течение интервала измерений, при этом упомянутый блок обработки сконфигурирован с возможностью определения модели объекта из полученных просуммированных сигналов сенсорных элементов, и определения счетных сигналов насыщенных сенсорных элементов из упомянутой модели объекта.

Изобретение относится к детектору счета фотонов с прямым преобразованием. Детекторная матрица содержит по меньшей мере один пиксель детектора прямого преобразования, выполненный с возможностью обнаружения фотонов полихроматического ионизирующего излучения, причем пиксель содержит: катодный слой; анодный слой, включающий в себя анодный электрод для каждого по меньшей мере одного пикселя детектора; материал прямого преобразования, расположенный между катодным слоем и анодным слоем; управляющий электрод, расположенный в материале прямого преобразования, параллельном и расположенном между катодным и анодным слоями; и контроллер напряжения пикселей, электрически соединенный с управляющим электродом, причем контроллер напряжения пикселей выполнен с возможностью альтернативного приложения одного из двух различных напряжений к управляющему электроду во время процедуры получения изображений, основываясь на скорости счета фотонов за заданный период скорости счета.

Изобретение относится к детектору для подсчета фотонов и описывается с частным применением к компьютерной томографии (CT). Система получения изображений содержит детекторную матрицу с пикселями детектора прямого преобразования, которая обнаруживает излучение, пересекающее область исследования системы получения изображений, и формируют сигнал, указывающий обнаруженное излучение, схему формирования импульсов, выполненную с возможностью альтернативной обработки сигнала, указывающего обнаруженное излучение, сформированного детекторной матрицей, или набора испытательных импульсов, имеющих разные и известные амплитуды, соответствующие различным и известным уровням энергии, и формирования выходных импульсов, имеющих амплитуды, указывающие энергии обработанного обнаруженного излучения или набора испытательных импульсов, и схему регулировки порогов, выполненную с возможностью анализа амплитуд выходных импульсов, соответствующих набору испытательных импульсов, вместе с амплитудами набора испытательных импульсов и набора заданных порогов фиксированной энергии, и формирования сигнала регулировки порогов, указывающего начало отсчета, на основании результата анализа.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам ионизирующих частиц. В емкостной МОП диодной ячейке фотоприемника-детектора излучений применена новая электрическая схема, в которой используются усилительный обогащенный p-МОП транзистор, конденсатор, p-i-n-диод, поликремниевые резисторы, дополнительные p-МОП и n-МОП транзисторы и оригинальной конструкции ячейки координатного фотоприемника-детектора.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Изобретение обеспечивает повышение эффективности регистрации оптических и глубоко проникающих излучений и повышение быстродействия детектора излучений.

Изобретение относится к системе визуализации и более конкретно к детектору со счетом фотонов с разрешением по энергии. Система визуализации содержит источник излучения, испускающий излучение, проходящее через область исследования, и детекторную матрицу с множеством пикселей детектора со счетом фотонов, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и соответствующим образом генерируют сигнал, показывающий детектированное излучение.

Использование: для регистрации электромагнитного излучения со сложным спектральным составом. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения включает соосно расположенные каналы регистрации оптического и жесткого электромагнитного излучения, созданный на основе чередующихся эпитаксиально согласованных слоев чувствительных в соответствующих спектральных диапазонах полупроводниковых материалов с электронно-дырочными переходами или без них, чувствительные слои располагают по разные стороны подложки, толщина чувствительного к жесткому электромагнитному излучению материала приемника на два порядка больше, чем у чувствительного материала фотоприемника, в качестве фильтра для приемника жесткого электромагнитного излучения, обрезающего излучение оптического диапазона, используют слой чувствительного к этому излучению полупроводникового материала, на основе которого формируют фотоприемник оптического диапазона.

Изобретение относится к детектору для обнаружения высокоэнергетического излучения. Детектор (100) излучения содержит преобразовательный элемент (102) для преобразования падающего высокоэнергетического излучения (X) в зарядовые сигналы, катод (101) и решетку (104) анодов (103), расположенные на разных сторонах преобразовательного элемента, для генерации электрического поля (Е0, Ed) в преобразовательном элементе (102), при этом преобразовательный элемент (102) имеет пространственную неоднородность, за счет которой напряженность упомянутого электрического поля (Е0, Ed) увеличивается в первой области (Rd) вблизи анодной решетки и/или уменьшается во второй области (R0) на удалении от анодной решетки.

Изобретение относится к детектору излучения и соответствующему способу детектирования излучения. Детектор (100-400) излучения содержит элемент-преобразователь (110) для преобразования падающего излучения (X) в электрические сигналы; периодический или квазипериодический массив анодов (130-430), расположенный на первой стороне элемента-преобразователя (110); по меньшей мере два направляющих электрода (140-440), которые расположены примыкающими к двум различным анодам; блок (150) управления, который подсоединен к упомянутым по меньшей мере двум направляющим электродам (140-440) и приспособлен подавать различные электрические потенциалы на упомянутые по меньшей мере два направляющих электрода (140-440), при этом упомянутые потенциалы являются функцией напряжений холостого хода, которые возникают между направляющим электродом (140-440) и соответствующим анодом, когда между соответствующими анодами (130-430) и катодом (120) подается напряжение.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию (э.д.с). Согласно изобретению предложен кремниевый монокристаллический многопереходный фотоэлектрический преобразователь оптических и радиационных излучений, содержащий диодные ячейки с расположенными в них перпендикулярно горизонтальной светопринимающей поверхности вертикальными одиночными n+-p--p+(p+-n--n+) переходами и расположенными в диодных ячейках параллельно к светопринимающей поверхности горизонтальными n+-p-(p+-n-) переходами, причем все переходы соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, расположенными соответственно на поверхности областей n+(p+) типа вертикальных одиночных n+-p--p+(p+-n--n+) переходов, при этом он содержит в диодных ячейках дополнительные вертикальные n+-p-(p+-n-) переходы, причем их области n+(p+) типа подсоединены соответственно областями n+(p+) типа n+-p-(p+-n-) горизонтальных переходов к областям - n+(p+) типа вертикальных одиночных n+-p--p+(p+-n--n+) переходов, при этом на его нижней и боковых поверхностях расположен слой диэлектрика толщиной менее длины пробега радиационных частиц в диэлектрике, на поверхности которого размещен слой радиоактивного металла толщиной, равной длине пробега электронов в металле, при этом расстояние между электродами диодных ячеек не превышает 2-х длин пробега радиационных частиц.

Изобретение относится к области формирования радиологических изображений, компьютерной томографии (СТ), эмиссионной томографии, радиационных детекторов и их предшествующему уровню техники. Сущность изобретения заключается в том, что узел (20) детектора излучения содержит модуль (40) матрицы детектора, выполненный с возможностью преобразования частиц излучения в электрические импульсы детектирования, и специализированную интегральную схему (ASIC) (42), соединенную при функционировании с матрицей детектора.

Предлагаемое изобретение «Монолитный быстродействующий координатный детектор ионизирующих частиц» относится к полупроводниковым координатным детекторам ионизирующих частиц. Целью изобретения является повышение быстродействия и технологичности координатного детектора, что особенно важно для создания нового поколения «детекторов меченных нейтронов» для обнаружения взрывчатых веществ, сканеров рентгеновских лучей медицинского, таможенного и иного назначения, отличающихся от известных более высоким качеством изображений объектов.

Изобретение относится к области ядерной физики и может быть использовано для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе малого диаметра со статическим (неоткачиваемым) вакуумом.

Изобретение относится к области ядерного приборостроения и может быть использовано при создании измерителей мощности дозы гамма-излучения ядерной энергетической установки, размещаемой на космическом аппарате.
Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрических свойств кристаллов алмаза, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений. Способ сортировки алмазов по электрофизическим свойствам включает предварительную поляризацию алмазов, последующее нагревание с постоянной скоростью и регистрацию токов термостимулированной деполяризации, предварительную поляризацию алмаза производят путем облучения рентгеновским излучением при температуре 70-90°С в электрическом поле, после облучения алмаз охлаждают в электрическом поле до комнатной температуры, после чего начинают нагревание и измерение токов термостимулированной деполяризации, годными признают алмазы, у которых величина пиков тока в максимумах при 130-170°С и 190-230°С меньше пороговой величины.

Использование: для регистрации электромагнитного излучения, особенно рентгеновских лучей. Сущность изобретения заключается в том, что детектор рентгеновского излучения и цепь его пикселя позволяют покрывать широкий динамический диапазон с использованием автоматического выбора параметра чувствительности в каждом пикселе, таким образом обеспечивая улучшенное отношение сигнал-шум при всех уровнях воздействия.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений содержит МОП транзистор, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания и выходную шину, при этом для повышения качества детектирования, т.е.

Изобретение относится к области измерения излучения физических частиц с помощью полупроводниковых детекторов и может быть использовано при создании многоэлементных детекторов заряженных частиц на основе полупроводниковых кристаллов.

Изобретение относится к детекторным модулям, также относится к детекторным устройствам, кроме того, относится к способам детектирования электромагнитного излучения. .

Изобретение относится к медицинским системам визуализации, в частности, находит применение в компьютерной томографии (СТ) и, более конкретно, для реконструкции энергетического спектра. .

Изобретение относится к технике регистрации ионизирующего излучения, в частности к детекторам рентгеновского излучения. .

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения.

Изобретение относится к устройствам формирования изображения для медицинских диагностических устройств с использованием излучения. .

Изобретение относится к генераторам рентгеновского излучения, используемым для недеструктивной рентгенографии и диагностики. .