С вертикальным резонатором (H01S5/183)

H01S5/183                     С вертикальным резонатором (vcse-лазеры)(7)

Излучающее видимый свет полупроводниковое лазерное устройство и способ его изготовления // 2761318
Настоящее изобретение относится к лазерной технике. Излучающее видимый свет полупроводниковое лазерное устройство содержит по меньшей мере один лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), излучающий в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра и интегрированный с преобразователем ИК излучения в видимый свет.

Лазерный прибор с внутренне присущей безопасностью, содержащий лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором // 2723143
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный прибор содержит матрицу лазеров поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), расположенных на одной и той же полупроводниковой подложке (101).

Светоизлучающее устройство // 2713080
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается светоизлучающего устройства. Светоизлучающее устройство содержит светоизлучающую структуру, слой обработки и оптическую структуру.

Вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом // 2704214
Изобретение относится к технике полупроводников. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, нижний нелегированный РБО (2), внутрирезонаторный контактный слой (3) n-типа, композиционную решетку (5) n-типа, оптический резонатор (6), содержащий активную область (7) на основе по меньшей мере трех слоев In(Al)GaAs квантовых ям (8), композиционную решетку (9) p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру (10), внутрирезонаторный контактный слой (11) p-типа, сильнолегированный фазокорректирующий контактный слой (12) p-типа и верхний диэлектрический РБО (14) на основе SiO2/Ta2O5.

Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом // 2703938
Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, оптический резонатор с активной областью и апертурным слоем из AlxGa1-xAs р-типа, где 0,97≤х<1, внутрирезонаторный контактный слой р-типа, формирование электрического контакта р-типа; формирование оксидной токовой апертуры в апертурном слое, формирование электрического контакта n-типа и формирование верхнего диэлектрического РБО, формирование пассивирующего и планаризующего слоя с низкой диэлектрической проницаемостью и формирование металлизации контактных площадок р- и n-типа.

Длинноволновый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами // 2703922
Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную оптическую апертуру.

Модуль лазерного датчика // 2696335
Изобретение относится к лазерной технике. Модуль лазерного датчика для времяпролётных измерений содержит лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL или VECSEL) и задающую схему (120).

Светоизлучающие полупроводниковые устройства с геттерным слоем // 2672776
Изобретение относится к светоизлучающему полупроводниковому устройству (100), содержащему подложку (120), светоизлучающую слоистую структуру (155) и геттерный слой (190) из AlGaAs для снижения содержания примесей в светоизлучающей слоистой структуре (155), причем светоизлучающая слоистая структура (155) содержит активный слой (140) и слои с различным содержанием алюминия, причем условия роста слоев светоизлучающей слоистой структуры (155), содержащей алюминий, различаются по сравнению с условиями роста геттерного слоя (190) AlGaAs.

Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором // 2655716
Изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL) содержит первый электрический контакт (105), подложку (110), первый распределенный брэгговский отражатель (115), активный слой (120), второй распределенный брэгговский отражатель (130) и второй электрический контакт (135).

Лазер с вертикальным резонатором и поверхностным излучением // 2645805
Изобретение относится к лазерной технике. Лазер с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSEL) содержит первый электрический контакт, подложку, первый распределенный брэгговский отражатель, активный слой, распределенный биполярный фототранзистор на гетеропереходах, второй распределенный брэгговский отражатель и второй электрический контакт.

Vcsel с внутрирезонаторными контактами // 2633643
Использование: для создания лазерного устройства с высокой эффективностью преобразования мощности. Сущность изобретения заключается в том, что лазерное устройство образовано по меньшей мере одним поверхностно-излучающим лазером с вертикальным резонатором с внутрирезонаторными контактами, причем упомянутый поверхностно-излучающий лазер с вертикальным резонатором содержит эпитаксиальную слоистую структуру с активной областью между первым распределенным брэгговским отражателем и вторым распределенным брэгговским отражателем, первым слоем токовой инжекции первого типа проводимости между первым распределенным брэгговским отражателем и активной областью и вторым слоем токовой инжекции второго типа проводимости между вторым распределенным брэгговским отражателем и активной областью, и при этом дополнительно содержит токовую апертуру, причем упомянутые первый и второй слои токовой инжекции находятся в контакте с первым и вторым металлическими контактами соответственно, в котором упомянутые первый и/или второй распределенные брэгговские отражатели образованы из чередующихся слоев оксида алюминия и слоев Al(x)Ga(1-x)As с 0≤x≤0,3, причем первый и второй металлические контакты расположены на противоположных сторонах каждого из упомянутых поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором, причем имеется по меньшей мере один не подвергнутый травлению стержень к светоизлучающей области лазерного устройства, и причем ширина по меньшей мере одного не подвергнутого травлению стержня равна или меньше, чем двукратная ширина окисления токовой апертуры.

Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой // 2623663
Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой содержит по меньшей мере один VECSEL и несколько лазерных диодов накачки. VECSEL содержит одно зеркало Брега.

Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами // 2611555
Изобретение может быть использовано для создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров, работающих в ближнем ИК-диапазоне. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, буферный слой (2) из GaAs, нижний нелегированный РБО (3), контактный слой (4) n-типа, электрический контакт (5) n-типа, композиционную решетку (6) n-типа, нелегированный оптический резонатор (7), содержащий активную среду на основе по меньшей мере трех слоев (8) квантовых ям, композиционную решетку (9) p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру (10), контактный слой (11) p-типа, фазокорректирующий контактный слой (12) p-типа, электрический контакт p-типа (13) и верхний диэлектрический РБО (14).

Способ изменения направления и уменьшения расходимости излучения полупроводникового вертикально излучающего лазера // 2606702
Способ изменения направления и уменьшения расходимости излучения полупроводникового вертикально излучающего лазера включает в себя измерение диаграммы направленности VCSEL. Используют модель излучения для моделирования дифракционной решетки таким образом, чтобы обеспечить требуемый поворот излучения и диаграмму его распространения.

Лазерный элемент поверхностного испускания, способ для изготовления лазерного элемента поверхностного испускания и атомный осциллятор // 2599601
Лазерный элемент поверхностного испускания включает в себя полупроводниковую подложку и множество лазеров поверхностного испускания, сконфигурированных с возможностью испускания света со взаимно различными длинами волн.

Матрица vcsel с повышенным коэффициентом полезного действия // 2587497
Изобретение относится к лазерной технике. Матрица VCSEL содержит несколько VCSEL, расположенных рядом друг с другом на общей подложке (1).
 
.
Наверх