Способ охлаждения полупроводниковых диодов

 

Класс 21 g, 11еа

Х 108625

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. И. Джерихов и E. К. Иорданишвили

СПОСОБ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ДИОДОВ

Заявлено 22 марта 1956 г. за М А-7183/-155175 в Министерство рааиотехниисской промьннленнос ти СССР

Изобретение относится к области прикладной электроники полупроводников.

Полупроводниковые приборы являются м ало мо.целыми. Увеличение их мощности ограничивается плохими условиями отвода тепла от выпрямительного контакта, объясняемые малыми гаоаритными размерами полупроводниковых приборов. Для увеличения плотности тока в полупроводниковых германиевьГх и кремниевых силовых диодах применяются радиаторы, хорошо тсплопроводящие изоляционные наполнитслп, искусственное воздушное и волянос охлаждение.

Охлаждение выпрямительного контакта полупроводниковых элементов ут 1шается за счет поме1цения охлаждаемого объекта на хололньш спай термоэлсмента, через который пропускается постоянньш ток. Но и этот способ имеет ряд недостатков. В частности, и числу недостаткОв СЛЕдуЕт ОтнеСти нЕOoходимость электрической изоляции холодного спая от охлаждаемого объекта, через который проходит лругая электрическая цепь. Эта необходимость уменьшает отвод теп73 от выпрямителя. Недостатками такого способа также являются потребность в отдельной электрической установке Лля питания термоэлсмецта и удаленность термоэлемента от вьшрямитсльного контакта. Последнее вызывает тепловую инерционность прибора.

Предлагается способ охлажлсния выпрямительного контакта, который состоит в том, что. в конструкцию по1упроволникового лиола включается Tcðìoç,!ñìåHT. которьш служит леталью для полвола электрического тока к вьтпрями7 e,7HHoAitA контактс, Та1 им образом, ток вь".прямительцого диода, проходя1ций В прямом Hаправ1сHии, одновременно является рабо пГм током термоэлемента, т. е. отпадает необходимость в специальном источнике энергии Лля питания. термоэлемента.

На чертеже приведено возможное изменение конструкции герм аниевых диодов (ДГ- Ц-21, ДГ-Ц-22, ДГ-Ц-23, ДГ- Ц-24 1, гле

1 — контактньш вывод, 2 — индий, 3 †герман, 4 — полупроволниковьш термоэлемент, 5 — сварные контакты, б †корп с ралиатором.

Так как холодильная мощность термоэлементов зависит от потребЛЪ !08625

Г!редмст изоорстсния

Комитет (го делам изобретений и открытий ирп (:окоте Министров С(.(1 (!тп. редактор И. В. Ма! аров

Поди. к неч. 20, Ш-1058 г.

Тираж 1150. (1еиа 25 кои.

Информаиионно-издательский отдел.

Объем 0,125 и. л. Зак. 2201.

1 ар. Ллать(рь, типографии И 2 Министерства культуры Чувашской АССР.,15!СЫО11 ИМИ Э,(СI(TPHtl((KOII .;101Цности, азначит от величины Ifx coII1)oTHB, HH1f, c,1(. донате IhH(3, м(. НН51 соотношение мс>кдх длиной и сеченисм T(. рмоэлсментов, моткно выбрать для диодов определенной мощности нужные размеры тсрмоэлемснта.

Способ охлаждения полупроводниковых диодов, о т.ч и ч а ющ и и с 5! тем, что, с целью улучшения условий теплообмена, примепястся полупроводниковый термоэлемент, рабочим током которою

5IB, 151(.T H ToK, пРоходищий чсРсз диод в прямом направлении.

Способ охлаждения полупроводниковых диодов Способ охлаждения полупроводниковых диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных микросхем

Изобретение относится к соединению устройств ввода-вывода или устройств центрального процессора или передаче информации или других сигналов между этими устройствами

Изобретение относится к соединению устройств ввода-вывода информации или других сигналов между этими устройствами

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов, вакуумных интегральных СВЧ-схем и других микросхем

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к печатным платам с высокой плотностью размещения компонентов, которые используются, например, в устройствах для определения местоположения и азимута

 // 154611
Наверх