Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, со- . держащий лантаноид и добавку, о тл и ч а ю щ и и с я -тем, что, с : целью повышения величины удельного : сопротивления, в качестве лантаноида он содержит эрбий,.а в качестве добавки - теллур при следующем соотношении компонентов, вес.%: 39,6-81,0 Эрбий 19,0-60,4 Теллур

СОЮЗ СаВЕТСННХ

Й IWNC

РЕСПУБЛИН э(Я) Н 01 С 7 00

rocvgrecmme A eaumzr cccp

ЛЦ и

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3343095/18-21 (22) 24.09.81 (46) 23 ° 04.83. Бюл. 9 15 (72) Л. С. Палатник, М. Н. Набока, Л. Е. Синицына и P. П. Аксенов (53) 621.316.8(088 ° 8) (56) 1. Патент Англии 9 1282020,. кл. Н 01 С 7/00, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 6880i4, кл: Н 01 С 7/ОО, 1978 (прототнп) °

SU„„4046 A —, (54) (57) РЕЗИСТИВНЫЙ. ИАТЕРИАЛ содержащий лантаноид и добавку, о тл и ч а ю шийся ..тем, что, с целью повышения величины удельного сопротивления, в качестве лантаноида он содержит эрбий, а в качестве добавки - теллур при следующем соотношении компонентов, вес.В:

Эрбий 39,6-81.,0

Теллур 19,6-60,4

1014046 ткс, „ град ° 10 (20 С) pi мам см (20 С ) Ткснд . i С

Состав, вес.Ъ (Те

660 +5,3

710

19,0

81,0

+17

800

695

62,5

37,5

56,.7

+1 1

3300

680

43,3

-0,8

6100

49,8

630

50,2

-10,0

570

13200

60,4

39,6

Таблица 2

ТКС, град - 10

-4 -6 (20©C) р, мкОм см (20ОС) Состав, вес..Ф

) в

««««М»«»«»«

68

72

105

0 2

175

-0,4

1200

59

ВНИИПИ Заказ 3029/62 Тираж 701 Подписное

Филиал ППП "Патент", r, Ужгород,ул.Проектная,4

Иэсбретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике при изготовлении резистивных элементов.

Известен резистивный материал, содержащий лантаноид и добавку f 1).

Недостатком известного резистивного материала является узкий диапа.зон удельного сопротивления.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является реэистнвный материал, содержащий лантаяьид и добавку 2.).

Недостаток известного резистивного материала заключается в низких значениях удельного сопротивления, которое при 20 С составляет 201200 мкОм см при значениях температурного коэфФициента сопротивления от (+4) до (-4) град -10-4

Цель изобретения - повышение величины удельного сопротивления.

Указанная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий лантаноид к добавку, в качестве лантаноида содержит эрбий, а в качестве добавки - теллур при следующем соотношении компонентов, вес.В:

5 Эрбий 39,6-81,0

Теллур 19 0-60,4 реэистивный матерйал ncuty am пу" тем конденсации в вакууме 10 «10"4торр эрбия и теллура кз двух испарителей (О при 570-730 С.

Состав резистивного материала и его характеристики приведены B табл. 1.

Для сравнения в табл. 2 приведены

15 электрические характеристики известного материала.

Таким образом, изобретение nosso.ляет повысить удельное сопротивление реэистивного материала при низком значении ТКС. Кроме того, достоинством предлагаемого резистивного материала, является простота регулирования величины его удельного сопротив-. ления путем изменения температуры

2 подложки, Таблица 1

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх