Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин

 

КАССЕТА ДЛЯ ХИМИЧЕСМЭЙ ОБРАБОТКИ ГОЛУПРОВОДНИКОШХ nJIACOItH, содержащая основание в виде диска с гнездами для полупроводниковых и ступицу, соосную диску, о т личаюцаяся тем, , с целью повышения производительности работы и качества обработки полупроводниковых пластин, она снабжена запорным кольцом, установленным на ступице , а гнезда для полупроводниковых пластин выполнены в виде кольцевых канавок на штырях, размещенных по периферии диска, и кольцевой канавки, выполненной на боково й поверхности запорного кольца.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК 3(5В H01 I 21 0

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

GllHGAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ( (21) .3249524/18-21 (22) 20.02.81 (46) 15.06.83. Вюл, В 22 (72) Р.A. Исаков, В.A. Баранов и В.M. Вознесенский (71) Проектно-технологический н научно-исследовательский институт (53) 621.328..002.54(088.8) (56) 1. Авторское .свидетельство СССР

В 443433, кл. Н01 4 21/00,- 1971.

2. Авторское свидетельство СССР

9 775522555588 кл. H014 21/00 1977..SU„„1023454 A. (54)(57) KACCETA ДЛЯ ХИМИЧЕСРРД 0БPASOTKH IlOJI_#_IPCSOQHHKO3b1X mIACTRH содержащая основание в виде диска с гнездами для полупроводниковых пластин и ступицу, соосную диску, о т:л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения производительности работы н качества обработки полупроводниковых пластин, она снабжена saпорным кольцом, установлению» на ступице, а гнезда для полупроводниковых пластин выполнены s виде кольцевых канавок на штырях, размещенных но периферии диска, и кольцевой канавки, выполненной на боковой поверхности запорного кольца.

1023454

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в оборудовании для жидкостной обработки изделий, например под дрожек микросхем.

Известна кассета, выполненная в виде диска с кольцевой проточной и средствами удержания пластин, Диск имеет два ряда цилиндрических штырьков, расположенных по двум концентрическим окружностям (1 ).

Однако, несмотря на высокую эффективность обработки пластин, вследствие того, что пластины почти полностью всеми поверхностями взаимодействуют с реактивами, степень обработ-15 ки пластин (особенно отмывки, обезжиривания) в местах их контакта со штырями и кольцевой канавкой недостаточна. Средства удержания пластин в виде двух концентрических рядов цилиндри- 20 ческих штырей, расположенных по кольцевой проточке конической формы, не обеспечивают достаточно надежного крепления пластин, особенно вовремя пуска -и останова, тем более в случае различных размеров пластин, вследствие чего из-эа неупорядоченного движения струй реактива отдельные пластины выскакивают из своих гнезд.Все это снижает выход годных иэделий при З0 обработке.

Наиболее близкой к предлагаемой является кассета для химической обработки полупроводниковых пластин, а содержащая основание в виде диска с гнездами для полупроводниковых пластин и ступицу, соосную диску основания 23.

" Однако в этой кассете пластины обрабатываются только с одной сторо;ны.

Цель изобретения — повышение производительности работы и качества обработки полупроводниковых пластин.

Поставленная цель достигается тем, что кассета, содержащая основание в 45 виде диска с гнездами для полупроводниковых пластин и ступицу, соосную диску, снабжена запорным кольцом, установленным на ступице, а гнезда для полупроводниковых пластин выпол- 50 иены в виде кольцевых канавок на штыI рях, размещенных по периферии диска, и кольцевой канавки, выполненной на боковой поверхности запорного кольца.

На фиг. 1 изображена предлагаемая кассета, .разрез; на фиг. 2 — то же, вид в плане.

Кассета состоит из основания 1 в виде диска со ступицей, на которую насажено запорное кольцо 2 звездообразной формы, ряда штырей 3 и двух рядов опорных штырей 4, расположенных по концентрическим окружностям. Запорное кольцо 2 имеет возможность ограниченного поворота и фиксации в нужном по.ложении винтами 5. Ограниченный радиальный повороти вертикальное смещение запорного кольца обеспечиваются закреплением на ступице диска фланцами

6. Запорное кольцо 2 имеет на наружной поверхности выступы, на которых выполнены кольцевые канавки клинообразного профиля. Штыри 3 на наружной окружности имеют кольцевые канавки, аналогичные канавкам на выступах запорного кольца. Верхние опорные торцовые поверхности штырей 4 расположены на меньшем расстоянии от поверхности диска, чем плоскость, проходящая через наименьшее сечение штырей 3 и запорного кольца 2.

Кассета работает следующим образом.

Пластина 7 укладывается горизонтально на опорные штыри 4 в гнезда, образуемые штырями 3 с кольцевыми канавками и канавками запорного кольца 2. При .повороте запорного кольца все пластины одновременно самоустанавливаются и фиксируются в кольцевых. канавках штырей 3 и кольцевых канавках кольца 2, приподнимаясь г ри этом над верхними торцовые поверхностями опорных штырей, обеспечивая тем самым свободный доступ реактива к обеим плоскостям.

Предлагаемое устройство позволяет решить вопрос обработки полупровоцниковых пластин с максимальной эффективностью,т.е. обеспечить качественную обработку всей пластины, так как вся поверхность обрабатываемой полупроводниковой пластины легкодоступна обрабатываемым жидкостям.

1023454

Фиа2

Составитель Л. Гришкова

Редактор М. Петрова Техред A.Áàáèíîö Корректор A.Òÿñêî

Заказ 4225/40 Тираж 703 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин Кассета для химической обработки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх