Логический элемент "или-не"
Логический элемент "ИЛИ-НЕ", состоящий из прозрачной непроводящей подложки, на которой размещены модулятор света и фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочего напряжения, увеличения быстродействия и упрощения конструкции, модулятор света и фотоприемник выполнены в виде однотипных мезаструктур, представляющих собой поверхностно-барьерные контакты Шоттковского типа на эпитаксиальной полупроводниковой пленке, в которой созданы глубокие центры, причем модулятор света и фотоприемник электрически включены последовательно.
Похожие патенты:
Способ ночного видения // 762662
Многоточечный германиевый фотодиод // 105015
Изобретение относится к технической физике, в частности к приборам с зарядовой связью (ПЗС), к их считывающим устройствам, служащим для преобразования зарядового сигнала в выходной сигнал электрического напряжения
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным фотоэлектрическим преобразователям на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС), и может быть использовано в телевизионных системах для обработки оптической информации
Полупроводниковое устройство // 921387
Инжекционная полупроводниковая структура // 847841
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в логических и линейных интегральных схемах с инжекционным питанием
Устройство для защиты // 830987
Полупроводниковая интегральная схема // 820546
Интегральная структура // 740077
Полупроводниковое устройство // 638289
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)
Интегральная схема // 2133067
Линия передачи // 2168813
Изобретение относится к электронной технике и микроэлектронике, а именно к линиям передачи
Интегральная транзисторная mos структура // 2207662
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к интегральным транзисторным структурам типа MOS
Изобретение относится к наноэлектронике