Способ определения местоположения дефекта в изделии

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ДЕФЕКТА В ИЗДЕЛИИ, заключающийся в том, что на поверхности изделия принимают импульс рэлеевской волны, возникающий при развитии дефекта , измеряют время прихода этого импульса и по нему судят о местопо|Ложении дефекта, отличающийс я тем, что, с целью расширения технологических возможностей контроля путем определения глубины залегания дефекта, измеряют спектр рэлеевской волны, а глубину залегания дефекта определяют по верхней частоте, соответствующей половине амплитуды максимальной составляющей спектра. (О с со

,ЯО.„А

СООЗ СОВЕТСНИХ О.И»»й

РЕСПУБЛИН

9(5}} .. б 01}ч 29 04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ HOLI}NYET СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ (21) 3399180/25-28 (22) 18.02 ° 82 (46) 23 ° 08.83 ° Бюл, 9 31 (72) Г.A. Буденков, В.И. Иванов и И.A. Усов

I (71) Челябинский политехнический инс титут им. Ленинского комсомола (53) 620. 179. 16 (088. 8) (56) 1 ° Грешников В.A. Дробот Ю.Б. .АкустичесКая эмиссия. Й., Стандарты 1976 с, 51.

2. Финкель Б.М. Физические основы торможения разрушения. М., Металлургия, 1977, с. 304 (прототип) ° (54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ДЕФЕКТА В ИЗДЕЛИИ, заключающийся в том, что на поверхности изделия принимают импульс рвлеевской волны, возникающий при развитии дефекта, измеряют время прихода этого импульса и по нему судят о местопо ложении дефекта, о т л и ч а б щ и йс я тем, что, с целью расширения технологических возможностей контроля путем определения глубины залегания дефекта, измеряют спектр рэлеевской волны, а глубину залегания дефекта определяют по верхней частоте, соответствующей половине амплитуды максимальной составляющей спектра.

1037170

Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано при ультразвуковом контроле качества материалов и изделий.

Известен способ обнаружения и определения координат залегания дефекта, заключающийся в том, что на поверхности изделия фиксируют в нескольких точках продольную либо поперечную волну, которая, возникает при образовании дефекта, и по триангуляционному методу определяют координаты дефекта (1).

Однако с помощью этого способа невозможно определить глубину залегания дефекта, поскольку нельзя оп- 15 ределить время распространения волниэ-за сложной волноВой картины, состоящей из прямых и отраженных продольных и поперечных волн.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ определения местоположения дефекта в иэделии, заключающийся в том, что на поверхности изделия принимают импульс рэлеевской волны, возникающий при развитии дефекта, измеряют время прихода этого импульса и по нему судят о местоположении дефекта 2).

Недостаток известного способа за ключается в недостаточной информа-.. тивности контроля, связанной с тем, что при его осуществлении невозможно определить глубину. залегания дефекта. 35

Целью изобретения является расширение технологических возможностей контроля путем определения глубины залегания деФекта, Эта цель достигается тем, что сог-4Р ласно способу определения местополо-. жения дефекта в изделии, заключающемуся в том, что на поверхности изделия .принимают импульс рэлеевской волны, возникающей при развитии дефекта, 45 измеряют время прихода этого импульса и по нему судят о местоположении дефекта, измеряют спектр рэлеевской волны, а глубину залегания дефекта опреСоставитель Г. Федоров

Техред И.Гайду Корректор И. Ватрушкииа

Заказ 6001/46

Тираж 873 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r.

Редактор С. Патрушева деляют по верхней частоте, соответствующей половине амплитуды максимальной составляющей спектра.

На .чертеже представлена э ависимость между верхйей частотой спектра импульса рэлеевской волны и глубиной залегания дефекта, являющегося инициатором этой рэлеевской волнй.

Способ определения местоположения дефекта в изделии осуществляется следующим образом.

На контролируемом иэделии устанавливают приемники рэлеевской волны, При развитии дефекта на поверхности иэделия возникает рэлеевская волна. По времени прихода этой волны в разных точках можно судить о местоположении дефекта. Анализируя спектр рзлеевской волны и определяя его верхнюю частоту, можно судить о глубине залегания дефекта в изделии. Это связано с тем, что амплитуда рэлеевских волн, излучаемых дефектом, находящийся на глубине Й под поверхностью изделия, зависит от соотношения между глубиной залегания и длиной волны Л, на которой происходит излучение данной амплитуды. Чем больше глубина залегания дефекта, тем меньше амплитуда частотной составляющей. Спектр излучения всех дефектов практически является одинаковым, но спектры рэлеевской волн, принимаемых датчиками на поверхности иэделия отличаются иэ-эа разной степени затухания. Поскольку наибольшая крутиэяа огибающих кривых спектра наблюдается на частоте, соответствующей половине амплитуды.максимальной составляющей спектра, то эту верхнюю частоту выбирают в ка.честве информативного параметра.

Таким образом, способ определения местоположения дефекта в изделии позволяет с большой точностью бпределять глубину залегания дефекта, так как . рэлеевская волна достигает приемник,. расположенный на поверхности изделия, только единственным путем и затухает в изделии в меньшей степени, чем объемные волны.

Ужгород, ул. Проектная, 4