Источник питания установки тлеющего разряда

 

1. ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ УСТАНОВКИ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА, содержащий источник постоянного тока с фильтровым конденсатором на выходе, один вывод которого через токоограничивающий дроссель, тиристорный мост с дозирующим конденсатором и дросселем в диагонали и диод связан с катодом камеры тлеющего разряда, анод которой заземлен и соединен с другим выводом конденсатора, дополнительный тиристор, шунтирующий и дополнительный дроссели, о т ЛИ чающийся тем, что, с целью повышения экономичности и надежности в работе, он снабжен пороговым элементом, включенным в цепь управления дополнительного тиристора, подключенного анодом через допол (Л нительный дроссель к катодам тиристоров катодной группы моста, а катодом - к катоду камеры и аноду дио§ да, связанному катодом с анодами тиристоров анодной группы моста и через шунтирующий дроссель - с анодом камеры.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СО1.(ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) дц1) Н 05 В 7/16

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЧ НРЫТИЙ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3555187/24-07 (22). 18.02.83 (46) 07.06.84 . Бюл. ¹ 21 (72) Л.И.Фаерман, С.В.Житов и Б.Н.Гузанов (71) Центральный научно-исследовательский институт материалов и технологии тяжелого и транспортного машиностроения (53) 621.365.91 (088.8) (56) 1. Создание опытно-промышленной печи ионного азотирования с массой садки до 2,5 т. Отчет о НИР. RcTb lt .

¹ Г.P .740.491.57. М., ВНИИЭТО, 1975.

2."Электротермия", М., Информэлектро, 1980, ¹ 210, с. 6-8.

3. Булатов О.Г., Царенко А.И.

Тиристорно-конденсаторные преобразователи. N., "Энергия", 1982, с. 193-194. (54) (57) 1. ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ УСТАНОВКИ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА, содержащий источник постоянного тока с фильт- ровым конденсатором на выходе, один вывод которого через токоограничивающий дроссель, тиристорный мост с доэирующим конденсатором и дросселем в диагонали и диод связан с катодом камеры тлеющего разряда, анод которой эаземлен и соединен с другим выводом конденсатора, дополнительный тиристор, шунтирующий и дополнительный дроссели, о т л.и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения экономичности и надежности в работе, он снабжен пороговым элементом, включенным в цепь управления дополнительного тиристора, подключенного анодом через дополнительный дроссель к катодам тиристоров катодной группы моста, а катодом — к катоду камеры и аноду диода, связанному катодом с анодами тиристоров анодной группы моста и через шунтирующий дроссель — с анодом камеры.

1096765 сопротивлением.

2. Источник по п. 1, о т л и ч а ю шийся тем, что он снабжен магнитно связанным с шунтирующим дросселем и включенным встречно ему

Изобретение относится к электротермии и может быть использовано например, в установках тлеющего разряда для химико-термической обработки изделий.

Известны устройства для питания установок тлеющего разряда, предназначенных для химико-термической обработки изделий, в которых в цепь технологического тока устройства включается балластное сопротивление, ограничивающее ток при переходе тлеющего разряда в дуговой, что, соответственно, уменьшает повреждение обрабатываемых изделий 1).

Однако в данном устройстве на балластном сопротивлении в номинальном режиме (при протекании технологического тока тлеющего разряда) теряется около 10Х мощности устройства, что существенно снижает КПД устройства и его экономичность.

Известны источники питания установок тлеющего разряда с более высокимй энергетическими показателями, содержащие тиристорный мост с конденсаторной коммутацией, в котором энергия одного импульса питания, передаваемого в нагрузку, ограничивается, так называемым "дозирующим" (коммутирующим) конденсатором. Данный источник питания содержит также токоограничивающий реактор, обратный вентиль, обеспечивающий при отключении моста сброс энергии, запасенной в реакторе, и шунтирующий нагрузку тиристор, позволякяций снизить энергию, поступающую в нагрузку при дуговых разрядах f 2g.

Однако этот источник питания установок тлеющего разряда обладает рядом существенных... недостатков, снижающих надежность и экономичность установки. вторым шунтирующим дросселем, один ,конец которого соединен с анодом камеры, а другой через встречно включенный обратный диод - с катодом камеры.

К одним из недостатков данного устройства относятся тяжелые условия работы тиристоров моста, работающего в режиме принудительной конденсаторной коммутации, что снижает надежность работы установки. Это обстоятельство ограничивает возможность повышения рабочей частоты инвертирования и препятствует сохранению емкости

1б "дозирующего" конденсатора с увеличением мощности установки, что соответственно ограничивает возможность

-интенсификации технологических процессов и уменьшает надежность защиты

15 деталей от повреждений при переходах тлеющего разряда в дуговой.

Другим недостатком данного источника питания являются неблагоприятные условия его пуска. Связано это с вы2бсоким сопротивлением межэлектродного промежутка камеры тлеющего разряда (ИЭП КТР) в процессе пуска и наличием в цепи перезаряда коммутирующей емкости большой индуктивности токоогра 5 ничивающего реактора. При этом ток перезаряда конденсатора может не превысить тока удержания тирнсторов и они не откроются. Для обеспечения пуска в таком источнике питания

30 ИЭП КТР шунтируется малым активным

Экспериментально доказано, что для обеспечения надежности пуска данной установки на токи разряда 600 А необходимо шунтировать межэлектродный промежуток камеры тлеющего разряда активным сопротивлением 100—

300 Ом, что вызывает большие потери в них (в номинальном режиме они составляют 4-5 кВт, а в режиме катод- ного распыления, когда разрядное напряжение выше — около 10 кВт) .

Кроме того, низкая частота дуговых разрядов в режиме очистки деталей, существенно увеличивает длительность этого процесса. Связано

1096765 это, во-первых, с ограниченными возможностями увеличить рабочую частоту тиристорного моста, а во-вторых, с тем, что для обеспечения коммутационной устойчивости преобразователя, 5 особенно при больших мощностях, нужна большая емкость "дозирующего" конденсатора. Поэтому для ограничения энергии дугового разряда до уровня достаточного для очистки, но не приводящего к повреждению обрабатываемых деталей, МЭП KTP шунтируется короткозамыкающим тиристором.

При этом снимаются управляющие импульсы с тиристоров моста, а энергия, 5 запасенная в токоограничивающем реакторе, рассеивается в контуре, который образует токоограничивающий реактор, короткозамыкающий тиристор и обратный вентиль. Ввиду малости активных потерь ток в этом контуре будет .протекать достаточно долго и удерживать короткозамыкающий тиристор в открытом состоянии, что в конечном счете значительно увеличит паузу между дуговыми разрядами и соответственно увеличит длительность процесса очистки.

Наиболее близким к изобретению является источник питания установки тлеющего разряда, содержащий источник постоянного тока с фильтровым конденсатором на выходе, один вывод которого через токоограничивающий дроссель, THpHGTopHblH MocT с дозирую 35 щим конденсатором и дросселем в диагонали и диод связан с катодом камеры тлеющего разряда, анод которой заземпен и соединен с другим выводом конденсатора, дополнительный тиристор 40 шунтирующий и дополнительный дроосеЛие

В отличие от предыдущего устройства в цепь (разрядного) тока включен тиристор емкостного прерывателя, ко- 45 торый прерывает ток в упомянутом контуре, а через дополнительные диоды происходит сброс (в фильтровый конденсатор) энергии, запасенной в токоограничивающем реакторе, и перезаряд 50 конденсатора емкостного прерывателя.

Это позволяет увеличить частоту дуговых разрядов до 700 Гц, что повышает производительность установки Э

Однако в известном устройстве существенного повышения частоты с целью дальнейшей интенсификации технологических процессов, получить не удается по указанным причинам, а также. в связи с ограниченными возможностями повышения рабочей частоты емкостного прерывателя, работающего в режиме принудительной конденсаторной коммутации.

Усложнение силовой части схемы привело также к усложнению организации ее управления и потребовало ввести . дополнительные блоки управления тнристорами емкостного нрерывателя. Кроме того, дозаряд конденсатора емкостного прерывателя происходит через активное сопротивление, на котором теряется часть мощности из-за чего снижается КПД.

Все это снижает надежность и экономичность установки.

Целью изобретения является повышение экономичности и надежности источника питания и установки тлеющего разряда, за счет повышения рабочей частоты перезаряда дозирующего конденсатора и уменьшения его емкости, что, с@ответственно, позволяет интенсифицировать технологические процессы и повысить надежность защиты деталей.при дуговых разрядах за счет существенного уменьшения активных потерь, а также за счет упрощения силовой части источника питания и его системы управления.

Поставленная цель достигается тем что, источник питания установки тлеющего разряда, содержащий источник постоянного тока с фильтровым конденсатором на выходе, один вывод которого через токоограничивающий дроссель, тиристорный мост с дозирующим конденсатором и дросселем в диагонали и диод связан с катодом камеры тлеющего разряда, анод которой заземлен и соединен с другим выводом конденсатора, дополнительный тиристор, шунтирующий и дополнительный дроссели, снабжен пороговым элементом, включенным в цепь управления дополнительного тиристора, подключенного анодом через дополнительный дроссель к катодам тиристоров катодной группы моста, а катодом — к катоду камеры и аноду диода, связанному катодом с анодами тиристоров анодной группы моста и через шунтирующий дроссель— с анодом камеры.

Кроме того, с целью повышения КПД и более. эффективного ограничения на" пряжения.источник питания может быть

Источник питания установок тлеющего разряда работает следующим образом.

Предварительно от источника 1 постоянного тока заряжается конденсатор 2. Затем осуществляется пуск тиристорного моста 3 путем поочередной подачи управляющих импульсов на его перекрестные тиристоры.

Поскольку МЭП KTP 6 (нагрузка) шунтирован дросселем 9, тиристорный мост 3 (инвертор) оказывается на50

1О96

5 с на бжен ма гнитно свя занным с шунтирующим дросселем и включенным встречно ему вторым шунтирующим дросселем, один конец которого соединен с анодом камеры, а другой через встречно вклю- 5 ченный обратный диод — с катодом ка1 меры.

На чертеже представлена схема устройства.

Устройство содержит источник 1 постоянного тока с фильтровым конденсатором 2, тиристорный мост 3 с

"дозирующим" конденсатором 4 в диагонали, дроссель 5, камеру 6 тлею- ° щего разряда (КТР), межэлектродный 15 промежуток (МЭП), который подключен через диод 7, тиристорный мост

3 и токоограничивающий дроссель 8 к источнику 1 постоянного тока, шунтирующий дроссель 9 подсоединен па- 20 раллельно МЭП КТР 6 через вентиль 7. дополнительный тиристор 10, подсоединенный анодом через дополнительный дроссель 11 к катодной группе тиристоров моста 3, катодом через 25 диод 7 — к анодной группе, пороговый элемент 12, шунтирующий анод и управляющий электрод тиристора 10 выполнен, например, на переключаю— щих полупроводниковых приборах (ди- З0 нисторах), соединенных последовательно с токоограничивающим резистором.

Кроме этого, источник питания установок тлеющего разряда содержит дополнительный шунтирующий дроссель

13, который магнитно связан с шунтирующим дросселем 9 и включен встречно ему, причем для увеличения коэффициента связи оба шунтирующих дрос- 40 селя могут быть намотаны на общий каркас в два параллельных привода с одинаковым количеством витков; обратный диод 14, через который шунтирующий дроссель 13 подсоединяется 45 параллельно МЭП КТР 6.

765 груженным на параллельный контур, где RH — сопротивление

МЭП KTP 6t L9= L — индуктивность дросселя 9, Это позволяет обеспечить работу инвертора в резонансном режиме во всем диапазоне изменения параметров МЭП.

Так, в момент пуска тиристорного моста 3 МЭП КТР 6 имеет высокое сопротивление, и ток перезаряда коммутирующего (дозирующего ) конденсатора 4 проходит практически лишь через дроссель 9 и замыкается по контуру: плюс источника 1, дроссель

9, соответствующие перекрестные тиристоры моста 3, конденсатор 4, дроссель 5, дроссель 8 и минус источника 1.

Выбором параметров R, .К, С контура, где R — суммарное активное сопротивление элементов контура, I = Lq+L<+Lg — суммарная индуктивность дрогселей 9, 5 и 8; С„- емкость конденсатора 4, обеспечивается работа моста в режиме резонансного инвертора на минимальной частоте, определяемой собственной частотой конт а: ур f м мин=, С

К К

Обеспечить колебательный ток в прос цессе пуска не сложно, так как R, определяемое лишь активным сопротив— лением проводов, дросселей 9, 5 и 8 и т.п., весьма мало.

Вследствие протекания колебательного тока на дросселе 9 формируется напряжение, меняющее свой знак примерно в середине периода перезаряда конденсатора 4.

Положительное напряжение, возникающее на дросселе 9 в первую часть периода, прикладывается через диод 7 к МЭП КТР 6, а отрицательное, возникающее во второй части периода удерживается диодом 7, так что к

МЭП КТР 6 оно не прикладывается.

После запуска тиристорного моста

3, работающего в режиме резонансного инвертора, напряжения на элементах колебательного R, ?.к, С контура и, в частности, на дросселе 9 нарастают в течение ряда периодов рабочей частоты.

Когда положительное напряжение на дросселе 9, прикладываемое к МЭП КТР

6, достигнет величины напряжения за10967б5 жигания тлеющего разряда, произойдет возбуждение тлеющего разряда.

Величина индуктивности L дросселя

9 выбирается не менее, чем в два раза больше суммы индуктивностей (L<+ ЬВ) дросселей 5 и 8 с тем, чтобы получить требуемое высокое напряжение (V ) мсдп на ИЭП в процессе пуска и на других технологических этапах, когда сопротивление МЭП велико, без значительной 0

11 11 раскачки напряжения (V ) на конденсаторе 4.

Действительно, если положить L9=

2/3(Ь9+ Ь 1- L ), а требуемое V

8 моя

21 s то из ориентировочной формулы определяющей напряжение на МЭП

Ь,+V.) L я з 1 можно определить Ч м3п

5 8 9 которое при указанных условиях состав 20 ляет всего V = 2V .

С

Таким образом, в процессе пуска к МЭП прикладывается однополярное, достаточно высокое для возбуждения тлеющего разряда напряжение, обеспечивается надежное отпирание тиристоров моста 3, в связи с чем отпадает необходимость шунтировать МЭП низкоомным сопротивлением, как в известном устройстве. 30

После возбуждения тлеющего разряда сопротивление ИЭП существенно уменьшится. При этом произойдет перераспределение тока по параллельным ветвям ("нагрузочного" R Ь -контура) 35 обратно пропорциональйо сопротивлению МЭП (Rм >) и индуктивному сопротивлению дросселя 9 (u t-9 ) .

В этой связи для обеспечения благоприятного распределения тока в 40 номинальном, наиболее длительном, режиме (этап насыщения) индуктивное сопротивление дросселя выбирается на .порядок выше сопротивления МЭП, т.е; юнL9 оймзп . При этом подавлЯющаЯ 45 часть тока протекает через нагрузку.

На кратковременном этапе катодного распыления, когда сопротивление ИЭП больше индуктивного сопротивления дросселя 9, через дроссель 9 протекает большая часть тока, а через нагрузку — лишь ток, который она потребляет.

На этом же этапе так же, как и 55 на этапе пуска, к нагрузке прикладываются импульсы достаточно высокого по .амплитуде напряжения, длительностью не менее половины периода перезаряда конденсатора 4.

За счет протекания реактивного тока через дроссель 9 возможно было бы накапливание избыточной энергии в контуре и рост напряжения на конденсаторе 4 и других элементах источника питания. Однако, благодаря включению тиристора 10, обеспечивается ограничение напряжения на элементах схемы и исключаются перегрузки. Включение тиристора 10 происходит в момент отпирания очередных перекрестных тиристоров моста 3, когда приложенное к нему прямое напряжение, равное разности на- . пряжений на коммутирующем конденсаторе 4 и на дросселе 5, превысит напряжение срабатывания порогового устройства 12. В результате включения тиристора 10 образуется два контура, по которым протекают токи, направленные в цепи тиристора 10 навстречу друг другу. В первом контуре, состоящем из коммутирующего конденсатора 4, дросселя 5, проводящих тиристоров моста 3, проводящего диода 7, дросселя 11 и тиристора 10, замыкается колебательный ток перезаряда коммутирующего конденсатора

4, направленный в цепи тиристора 10 по направлению его прямого тока.

Во втором контуре, состоящем из фильтрового конденсатора 2, параллельного Рн Ьн-контура, тиристора 10 и дросселей 1! и 8, замыкается ли нейно нарастающий ток, направленный в цепи тиристора 1О встречно току перезаряда.

В момент, когда прямой колеСательный ток и нарастающий обратный ток уравняются, тиристор 10 выключится

Параметры схемы выбраны таким образом Ь9> Ly + Lg Le) Ь Ь. =- L>s что тиристор 10 выключается на спаде тока перезаряда конденсатора 4. При этом перезаряд конденсатора 4 происходит с существенным ограничением отбора мощности от источника 1 постоянного тока, так как тиристорный мост 3 с конденсатором 4 в диагонали практически эашунтирован тиристором 10 и энергия поступает в "нагрузочный"ЙН1„ -контур через тиристор

10, дроссели 11 и 8 помимо тиристорного моста 3. Энергия, запасенная в дросселях 9 и 8 к моменту выключения

1G96 765

20

Таким образом, к МЭП в течение всего периода перезаряда конденсатора 4 прикладывается положительное напряжение. Одновременно уменьшается реактивная энергия, перекачиваемая помимо нагрузки, поскольку во второй части периода энергии, запасенной в дросселе 9, она передается в нагрузку. тиристора 10, несколько дозарядит конденсатор 4.

Однако уровень дозаряда будет несущественным, так как суммарная индуктивность дросселя 8 и эквивалент- 5 ной L индуктивности параллельного

R-контура, приведенного к последовательной схеме замещения, будет больше индуктивности дросселя 5

L9 +L> ъ L<. Поэтому ток в цепи дросселей 9 и 5 не успеет к моменту выключения тиристора 10 достичь сколь-нибудь существенного значения (т.е. энергий, запасенная в дросселях

9 и 8, к этому моменту времени будет мала).

Это позволяет получить требуемую степень ограничения напряжения на конденсаторе 4 и других элементах схемы, причем степень ограничения можно регулировать изменением уровня напряжения срабатывания порогового устройства 12.

На этапах пуска и катодного распыления напряжение к нагрузке прикладывается лишь часть (неменее половины) периода перезаряда конденсатора 4, что несколько снижает КПД установки. Для того, чтобы обеспечить напряжение на нагрузке в течение 30 всего периода, параллельно МЭП через диод 14 подсоединяется дополнительный шунтирующий дроссель 13, магнитно связанный с дросселем 9 и включенный встречно ему. 35

При этом на дросселе 13 индуцируется напряжение, находящееся. в противофазе с напряжением на дросселе

9, поэтому, когда в первой части периода на дросселе 9 положительное 40 напряжение, прикладываемое к МЭП через диод 7, на дросселе 13 отрицательное, удерживаемое запертым диодом 14, и, наоборот, когда во второй части периода на дросселе 9 4 отрицательное напряжение, удерживаемое запертым диодом 7, на дросселе

13 — положительное напряжение, прикладываемое к нагрузке .через диод 13.

Вместе с тем, когда потребление энергии нагрузкой черезмерно мало, через дроссель 13 осуществляется сброс избыточной энергии, накапливаемой в колебательном контуре, что повышает надежность.ограничения напряжения на конденсаторе 4 и других элементах схемы. Осуществляется это следующим образом.

Если во второй части периода напряжение на дросселе 13 окажется больше суммарного напряжения на фильтровом конденсаторе 2 и дросселе

8 на величину напряжения срабатывания порогового устройства 12, то откроется тиристор 10. При этом ток возврата избыточной реактивной энергии с дросселя 13 потечет в фильт ровый конденсатор 3 по цепи: дроссель 13 — конденсатор 2 — дроссель 8— дроссель 11 — тиристор 10 — диод 14

На этапах очистки и насыщения работа схемы аналогична.

На этапе насыщения,, как уже отмечалось, индуктивное сопротивление дросселя 9 выбирается на порядок выше сопротивления МЭП KTP 6. На этапе очистки каждый импульс напряжения, приложенный к МЭП от дросселя 9 в момент включения очередных тиристоров моста 3, приводит, как правило, к появлению дуговых разрядов и резкому снижению сопротивления

МЭП. При этом на обоих этапах дроссель 9 шунтируется низким сопротивлением МЭП KTP 6 и практичесКи "исключается из работы схемы".

В результате через МЭП KTP 6 протекает колебательный ток перезаряда конденсатора 4 по цепи: плюс источника 1 — МЭП KTP 6 — диод 7— соответствующие перекрестные тиристоры моста 3 — конденсатор 4 — дроссели 5 и 8 — минус источника 1 постоянного тока, напряжение иа нем приобретает форму, близкую к полусинусоиде, а максимальное значение в 1,2—

1 3 раза превышает таковое источника постоянного тока 1.

Частота и длительность импульсов дуговых (тлеющих) разрядов определяется периодом перезаряда койденсатора 4 или собственной частотой

1 колебательного контурами Б 8

Выбором соответствующих параметров указанного колебательного контуDa Lg, L>, C< можно надежно ограни1096765

12 чить энергию, поступающую в нагрузку на один импульс дугового разряда на уровне,. не приводящем к повреждению обрабатываемых изделий, и обеспечить требуемую достаточно высокую частоту дуговых (тлеющих) разрядов, которая может более, чем в 5 раз превышать максимальную частоту дуговых (тлеющих) разрядов известного устройства.

На этих этапах время, предостав- 10 ляемое тиристорам моста 3 для восстановления управляемости, является минимальным, определяется собственной частотой колебательного контура (L< f LЕ), С и остается благодаря этому, на допустимом уровне, обеспечивающем надежность коммутации тиристоров.

На этапе насыщения изменением

1 частоты возможно достаточно широкое 20 регулирование мощности подводимой к нагрузке, а на этапе очистки— регулирование частоты дуговых разрядов (паузы между ниии).

На этапе очистки, ввиду малости активного сопротивления, и на этапе насыщения при нескольких случайных переходах тлеющего разряда в дуговой может наблюдаться накопление избыточной энергии в колебательном 30 контуре резонансного инвертора (моста 3), т.е. рост напряжения на конденсаторе 4. Однако и на этих этапах обеспечивается описанное ограничение потребления энергии ко,лебательным контуром от источника

1 постоянного тока за счет включения тиристора 10.

При этом вследствие шунтирования дросселя 9 напряжение на внутреннем 40 дросселе 5 возрастает, а разность напряжений на конденсаторе 4 и дросселе 5, прикладываемая к тиристору 10 и его пороговому устройству 12, соответственно уменьшится. 45

Поэтому включение тиристора 10 будет происходить при более высоком напряжении на конденсаторе 4.

Изменением (снижением) уровня напряжения срабатывания порогового устройства 12 можно добиться требуемого напряжения на конденсаторе 4.

Снижение этого уровня легко производится, например, закорачиванием части последовательно соединенных пе-> реключающих полупроводниковых приборов (динисторов) порогового устройства 12.

Таким образом, в предлагаемом источнике питания установок тлеющего разряда тиристорный мост 3 работает в режиме резонансного инвертора во всем диапазоне изменения нагрузки от х.х. до КЗ. При этом существенно облегчаются условия работы его тиристоров (в 3-4 раза увеличивается минимальное время, предоставляемое тиристорам для восстановления управляемости, уменьшаются 8i alt и перенапряжения при их включении), что позволяет более чем в 5 раз повысить рабочую частоту тиристорного моста 3, а вследствие этого сохранить выход— ную мощность, в 5-7 раз уменьшить емкость коммутирующего ("дозирующенъ го ) конденсатора. Последнее обстоятельство в свою очередь позволяет более надежно защитить поверхность обрабатываемых изделий от повреждений, за счет безусловного ограничения энергии одного импульса дугового разряда на допустимом уровне (без шунтирования МЭП короткозамыкающим тиристором).

Кроме того, благодаря более высокой частоте и безусловному ограничению энергии одного импульса дугового разряда, появляется возможность повысить более, чем в 3 раза частоты дуговых разрядов на этапе очистки, что существенно уменьшает длительность данного процесса.

Благодаря исключению резисторов в шунтирующих ИЭП и резисторов в цепях сброса избыточной энергии удается уменьшить активные потери и на 2-3Х повысить КПД источника питания.

Существенно удается упростить силовую часть источника питания и его систему управления за счет исключения емкостног0 прерывающего устройства, короткозамыкающего тиристора и их систем управления.

Кроме того, напряжение на ИЭП КТР предлагаемого источника питания изменяется "автоматически" в требуемых пределах, принимая высокое, но ограниченное до допустимого уровня значение на этапе катодного распыления и на этапе очистки в момент до образования дуги, и снижаясь до напряжения источника пос1096765

13

Составитель О.Турпак

Техред Ж.Кастелевич Корректор В.Синицкая

Редактор Н.Данкулич

Заказ 3843/42 Тираж 783 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035., Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 тоянного тока на зтапе насьш ения.

Вместе с тем, высокое требуемое напряжение на МЭП КТР получается за счет раскачки напряжения при более низком напряжении источника.