Способ изготовления оптической сервоповерхности дискового магнитного носителя информации

 

С01О3 СОВЕТСНИХ

OIINVI

РЕСПУБЛИН

QQ (И) А

4(51) G 11 В 5 34

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И QTHPblTHA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1

2 (21) 3585490/24-10 (22) 25.04.83 (46) 30.01.85. Бюл. У 4 (72) А. В. Ермолович и В. В. Петров (71) Институт проблем моделирования в энергетике АН УССР (53) 681.84.089.8(088.8) (56) 1. Патент Японии В 51-42485, кл. G 1.1 В 5/84, 1976.

2. Koshino N., Ogawa S. Optical

method of the head Positioning in

magnetic disk systems.-"IEEE Trans- . асИопа on magnetics",1980,V.I6, Ф 5, р.631-633 (прототип). (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ СЕРВОПОВЕРХНОСТИ ДИСКОВОГО MAI НИТНОГО НОСИТЕ5И ИНФОРМАЦИИ, включающий нанесение маски на поверхность основы, заполнение немаскированных участков поверхности диффузно-отражающим материалом и удаление маски с поверхности основы, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения технологичности при одновременном повышении качества сервоповерхности, предварительно производят электрохимическое полирование поверхности основы, перед заполнением производят травление тех же участков, а заполнение осуществляют анодированием в том же электролите, что при травлении.

f 11375

Изобретение относится к области накопления информации, а именно к способам изготовления магнитных носителей информации.

Известен способ изготовления сервоповерхности, при котором растр получают путем, маскирования магнитного регистрирующего материала в местах расположения элементов растра с высоким отражением и формирования !О элементов растра с низким отражением путем окрашивания магнитного регистрирующего материала в немаскированных местах fig .

Недостатками известного способа !5 являются малая разность коэффициен" тов отражения и малая механическая стойкость .элементов растра, Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемо- 2р му результату является способ изготовления оптической сервоповерхности, при котором вся поверхность основы. диска анодируется, затем анодная пленка маскируется фоторезистом в -25 местах расположения элементов растра с высоким отражением, после, чего формируются элементы растра с низким отражением путем -окрашивания анодной пленки в немаскированных местах, а ЗО слой магнитного регистрирующего мате-. риала наносится поверх растра, выполненного.на основе, после удаления маски из фоторезиста f2) .

Недостатками этого способа явля- З5 ются малые коэффициенты отражения элементов растра и малая их разность, а также повышенные шумы носителя, вы1эываемйе модуляцией толщины магнитного. регистрирующего материала из-за порис- 4р той структуры поверхности анодной пленки.

Цель изобретения — повышение технологичности при одновременном повышении качества сервоповерхности. 45 !

Поставленная цель достигается. тем, что согласно способу изготовления оптической сервоповерхности дискового

I магнитного носителя информации, вклю- чающему нанесение маски на поверхность 50 основы, заполнение немаскированных участков поверхности диффузно-отражающим материалом и, удаление маски с поверхности основы, предварительно производят электрохимическое полирование55 поверхности основы, перед. заполнением:, производят травление тех же участков, а заполнение осуществляют анодирова-!

13 кием в том же электролите, что и при травлении..

На фнг. 1 (а,б,в) показаны .сечения основы на различных этапах фсрмирования растра (на фиг. la — основа l c нанесенной маской из фоторезиста 2; на фиг. 16 — то же, после травления; на фиг. 1в — то же, после заполнения анодной оксидной пленкой 3); на фиг.2фрагмент носителя с оптической серво. поверхностью.

Носитель информации на фиг. 2 содержит основу 1, участок 3 растра с низким коэффициентом отражения (анодную пленку), участок 4 с высоким коэффициентом отражения и,магнитный регистрирующий слой 5 °

Оптическую сервоповерхность дискового магнитного носителя информации изготовляют следующим образом.

После чистовой механической обработки проводят электрохимическое полирование основы 1 носителя. Затем наносят. маску из фоторезиста 2, по конфигурации соответствующую участкам растра с высоким коэффициентом отражения, производят экспонирование и проявление фоторезиста. В комбинированном электролите на основе хромовой или щавелевой кислот или их солей при плотности тока 8-10 А/дм про2 изводят травление немаскированных участков поверхности основы до образования впадин. Затем в том же электролите при плотности тока 0 8Я

Э

1,0 А/дм производят анодирование впадин — заполнение наращиванием анодной оксидной пленки 3 до исчезновения рельфера поверхности, т.е. формирование участков растра с низким коэффициентом отражения. Под маской из фоторезиста 2 остаются участки

4 с высоким коэффициентом отражения, который обеспечивается электрохимическим полированием. После удаления фоторезистивной маски 2 производят нанесение магнитного регистрирующего слоя 5.

И зобретение позволяет значительно повысить технологичность процесса повысить качество сервоповерхности при уменьшении шумов носителя, поскольку повышается контраст между участками с высоким и низким коэффициентами отражения, а также уменьшается lIopacTocTb структуры поверхности анодной пленки.

1137513 б r rr r r r rr r rt бl бб /

Составитель С. Ильчук

Редактор М. Петрова Техред С.Легеза Корректор В. Бутяга

Заказ 10533/39 Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, уЛ. Проектная, 4