Материал для терморезисторов

 

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ , содержащий оксид марганца и оксид цинка, отличающи йс я тем, что, с целью расширения диапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повьшения стабильности электрического сопротивления путем уменьшения коэффициента старения , он дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид марганца 15-96,6 Оксид цинка 0,7-70 Оксид меди 1,4-46,8

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

HVIIWI

РЕСПУБЛИК

4(51) Н О1 С 7/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3458039/24-21 (22) 18.06.82 (46) 07.02.85.,Бюл. Р 5 (72). И.Ф.Кононюк, И.О.Попов, Л.А.Тихонова и Ю.А.Гравов (71) Научно-исследовательский институт физико-химических проблем

Белорусского государственного университета им. В.И.Ленина (53) 621.316.825(088.8) (56) 1. Шефтель И.Т. Терморезисторы.

М., 1973.

2. Патент США В 3652463, кл. Н 01 С 7/00, 1972 (прототип) .

„Я0„„1138838 (54)(57) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, содержащий оксид марганца и оксид цинка, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения диапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышения стабильности электрического сопротивления путем уменьшения коэффициента старения, он дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мас.Ж:

Оксид марганца 15-96,6

Оксид цинка О, 7-70

Оксид меди 1,4-46,8

1138

838

15-96, 6

0,7-70

1,4-46,8

Состав, мас.

Мп20, Свойства материала для терморезисторов

i K стар

% о

Р2о

Ом-см о, X/ С

ZnO

СиО

-6,5

8,4 10 5

4,9. 10 20

4,3 10 12

4,2. 10 10

5640

2,7 0,7

7,5 2,6

11 25

96,6

39,9

-5,0

4300

-3,4

2890

35,7

4700

-5,5

62,6 1,7

Изобретение относится к электрон- ной технике и может быть использовано в технологии изготовления терморезисторов.

Известен материал для терморезисторов, содержащий оксиды марганца и меди 1 1).

Недостатки терморезистивного материала состоят в низкой стабильности электрического сопротивления за счет 10 вйсокого коэффициента старения (90-100X) и узком диапазоне значений температурного коэффициента сопротивления (от -2,4 до +3,12X/ С при 20 С).

Наиболее близким техническим ре- 15 шением к изобретению является резистивный материал для терморезисторов, содержащий оксид марганца, оксид цинка и оксид кобальта (2 j.

Недостатки известного терморезис- 20 тивного материала заключаются в низкой стабильности электрического сопротивления за счет высокого коэффициента старения (100 ) и узком диапазоне температурного коэффициента 25 сопротивления (5-8X/ С) .

Цель изобретения — расширение диапазона температурного коэффициента сопротивления в области отрицательных значений и повышение стабиль-30 ности электрического сопротивления путем уменьшения коэффициента старения.

Поставленная цель достигается тем, 5 что материал для терморезисторов, содержащий оксид марганца и оксид цинка, дополнительно содержит оксид меди при следующем соотношении компонентов, мас. .:

Оксид марганца

Оксид цинка

Оксид меди

Для приготовления материала ис.пользуют порошки Мп О и Cu(NO ) x

w3CuO*3Н О марок "для полупроводников" и ZnO марок ч. или ч.д.а.

Смесь порошков предварительно обжигают при 750-800 С 1-2 ч на возпухе, затем перетирают в агатовой ступке, увлажняют 10 -ным раствором поливинилового спирта (ПВС) и прессуют заготовки терморезисторов в виде дисков весом 0,6 г, диаметром 10 мм, толщиной 2,3 мм, которые спекают на воздухе в течение 1-2 ч при 10501200 С. Электроды или контакты изготовляют путем вжигания серебряной пасты при 800 С в течение 10-15 мин с последующей закалкой (быстрым охлаждением) на воздухе.

Составы и свойства материала для терморезисторов приведены в таблице, в которой: о — удельное электрическое сопротивление при температуре 20 С;

К „ — коэффициент старения, определяемый по формуле оо о о кстс р 9zo / а/ 9 о 100 где 9 "„оо — удельное электрическое о сопротивление при 20 .С после выдержки в течение

100 ч, при 250 С;

 — постоянная, определяемая по формуле у =А(,В/Т; с о — температурный коэффициент сопротивления при 20 С, определяемый из соотношения В/Т =В/85850.

Изобретение позволяет повысить стабильность электрического сопротивления и расширить диапазон температурного коэффициента сопротивления, а таже заменить резистивные материалы, содержащие дефицитный кобальт.

1138838

Продолжение таблицы, Состав, мас.й

Zn0

Свойства материала для термореэисторов

Мп О СиО

Х/ас е

Р2е ъ

Ом-см

В, Кстдр

4200

39,1

3340

36,6

2200

3, 4

3680

70

Составитель Ю.Герасичкин

Редактор А.Шишкина Техред С.йовжий Корректор И Эрдейи

Заказ 10696/39 Тираж 679 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений-и- открытий

1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4

59,5 1,4

53 10 6

49,8 46,8

6,2. 104 5

5 1 10э 15

1,9 101 40

1,5 10 15

-4,9

-4,5

-2,6

-4,2

Материал для терморезисторов Материал для терморезисторов Материал для терморезисторов 

 

Похожие патенты:

Позистор // 894805

Изобретение относится к резисторам, а именно тонкопленочным терморезисторам

Изобретение относится к области электротехники и предназначена для применения в электрических сетях напряжением 3 - 35 кВ с изолированной нейтралью

Изобретение относится к области электротехники, в частности к разработке и изготовлению терморезисторов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, и может быть использовано для ограничения пусковых токов ламп накаливания

Изобретение относится к электронной технике, а именно к пленочным терморезисторам

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления терморезисторов (ТР) с отрицательным ТКС различного конструктивного исполнения и функционального назначения

Изобретение относится к термометрии, а именно к датчику температуры, и может быть использовано в криогенной технике: криоэлектронике, криоэлектротехнике, криомедицине, а также в других отраслях народного хозяйства, где необходимо измерение низких температур

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления датчиков температуры, саморегулирующихся термостатов и бесконтактных реле
Наверх