Терморезистивный материал

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления датчиков температуры, саморегулирующихся термостатов и бесконтактных реле. Целью изобретения является уменьшение удельного электрического сопротивления в интервале температур 277 - 295^oС, что позволяет улучшить параметры терморезисторов. Для достижения цели смесь оксидов Bi₂ O₃ - V₂O₅ - ZrO₂ в мольном соотношении 6,5 : 2,5 : 1 перемешивали в агатовой мельнице в течение 8 ч, затем синтезировали при 700 - 900^oС в течение 2 - 6 ч в атмосфере воздуха и вновь перемешивали в агатовой мельнице в течение 8 ч. Затем шихту измельчали, прессовали при давлении 1000 кг/см², полученные таблетки обжигали при 820^oС в течение часа. Полученные образцы шлифовали и наносили на них электроды вжиганием серебряной пластины при 600^oС. 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления датчиков температуры, саморегулирующихся термостатов и бесконтатных реле. Целью изобретения является уменьшение удельного электрического сопротивления в интервале температур 277-295^оС, что позволяет улучшить параметры терморезисторов. Для получения терморезистивного материала было приготовлено несколько смесей, составы и свойства которых в сравнении с прототипом приведены в таблице. Каждую смесь получали следующим образом. Стехиометрическую смесь оксидов Вi₂O₃-V₂O₅-ZrO₂ в мольном соотношении 6,5:2,5:1 перемешивали в агатовой мельнице в течение 8 ч, затем синтезировали при температуре 700-900^оС в течение 2-6 ч в атмосфере воздуха и вновь перемешивали в агатовой мельнице в течение 8 ч. Синтезированную шихту измельчали до дисперсности 5-7 мкм, прессовали образцы при удельном давлении ≈ 1000 кг/см² в виде таблеток диаметром 15 мм и толщиной ≈ 2 мм и обжигали при температуре 820^оС в течение 1,5 ч на воздухе. Полученные образцы шлифовали и наносили на них электроды вжиганием серебряной пасты при температуре 600^оС. Терморезистивный материал является полупроводниковым сегнетоэлектриком с температурой сегнетоэлектрического фазового перехода ≈ 480^оС и шириной запрещенной зоны Е_g ≈ 1,516 эВ. Как видно из таблицы, терморезистивный материал-прототип не проявляет уменьшения удельного электрического сопротивления в интервале температур 277-295^оС, а терморезистивный материал, в котором содержание ZrO₂ изменено как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения в сравнении с изобретением, проявляет слабый эффект уменьшения удельного электрического сопротивления в интервале температур 277-295^оС. Таким образом, изобретение позволяет улучшить свойства термрезистивного материала и параметры терморезисторов.

Формула изобретения

ТЕРМОРЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения удельного электрического сопротивления в интервале температур 277 - 295^oС, он дополнительно содержит оксиды циркония и висмута и отвечает химической формуле Bi₁₃ V₅ZrO₃₄.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        

---