Способ изготовления многослойного электрофотографического носителя

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ По авт.св. № 1118955, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности путем уменьшения толщины диэлектрической пленки и повышения качества записи, перед напылением фотополупроводникового материала на диэлектрическую пленку ее помещают на гибкую основу с последующим отделением основы от готового носителя, при этом для диэлектрической пленки и . основы используют материалы, обеспечиваюцие прочность адгезионного сцепления основы и диэлектрической пленки меньшую, чем прочность когезионного сцепления диэлектрической пленки . (Л с

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

ВЗ

РЕСПУБЛИН (1 9) (11) 4(gg) G 03 С 5/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, «3, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н ABTQPGH0MY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 1118955 (21) 2717736/28-12 (22) 25.01. 79 (46) 28. 02.85 ° Бюл. N- . 8 (72) В.А.Макарычев, С.А.Таурайтене и А.С.Таурайтис (71) Научно-исследовательский институт электрографии (53) 772.93(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР.

У 1118955, кл . G 03 G 5/08, 1977. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО .

НОСИТЕЛЯ по авт.св. Ф 1118955, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности путем уменьшения толщины диэлектрической пленки и повышения качества записи, перед напылением фотополупроводникового материала на диэлектрическую пленку ее помещают на гибкую основу с последующим отделением основы от готового носителя, при этом для диэлектрической пленки и основы используют материалы, обеспечивающие прочность адгезионного сцеп. ления основы и диэлектрической пленки меньшую, чем прочность когезионного сцепления диэлектрической пленки. л

1142809

Изобретение относится к электрографии, в частности к способам изготовления электрофотографических фотополупроводниковых носителей записи. 5

По основному авт.св. Р 1118955 известен способ изготовления многослойного электрофотографического носителя путем применения диффузионной сварки в вакууме фотополупроводнпко- 10 вых материалов в сочетании с раздельным напылением аморфных фотополупроводниковых слоев на гибкие подложки.

В результате получается монолитный носитель, в котором аморфный фотополупроводниковый слой армирован с двух сторон пленками, которые предотвращают когезионное разрушение фотополупроводника при изгибах основы, монолитность обеспечивается тремя ад- 2О гезионными соединениями, два из которых получаются в результате вакуумного напыпения фотополупроводника на гибкие упругие пленки, а третье вакуумной диффузионной сваркой,обес- 25 печивающей кроме прочности соединения еще и прозрачность для носителей тока j1) .

Недостатком указанного способа . является то, что для напыления необ- 30 ходимо использовать достаточно прочные гибкие подложки. По описанной технологии получения носителя трудно использовать диэлектрические пленки толщичой менее 10 мкм: B процессе из35 готовления слоя пленка растягивается, мнется, поэтому качество изготовленного носителя ухудшается с уменьшением толщины используемой диэлектрической пленки. Известно, однако, что с1б уменьшение толщины диэлектрического слоя электрофотографического носителя .позволяет значительно повысить разрешающую способность записи и повысить контраст формируемого электростати45 ческого изображения, т.е. использование тонкого диэлектрического слоя обеспечивает более высокое качество записи.

Цель изобретения — обеспечение

50 возможности изготовления носителя с тонким диэлектрическим покрытием, которое позволяет повысить качество записи.

Пель достигается тем, что тонкую

55 диэлектрическую пленку, на которой формируют вакуумное покрытие, предварительно наносят на прочную упругую гибкую подложку, а после диффузионной сварки и получения монолитного носителя указанную упругую подложку отрывают от диэлектрической тонкой пленки. Для того, чтобы при отрыве упругой гибкой подложки не происходило когезионного разрушения тонкой диэлектрической пленки, используют материалы, адгезионная прочность сцепления которых меньше когезионной прочности диэлектрической пленки.

Нанесение пленки на подложку может быть осуществлено одним из известных способов, например путем колондирования, поливом диэлектрической пленки из раствора, напыпением в вакууме.

Пример 1. Тонкую лавсановую пленку толщиной 3 мкм и толстую лав- . сановую пленку толщиной 100 мкм соединяют методом каландрирования и сматывают в рулон. Затем в соответствии со способом,,описанном в прототипе, йроизводят напыпение селенового фотополупроводникового слоя раздельно на лавсановую подложку с платиновым покрытием при температуре лавсана

72 С и скорости напыления 1-3 мкм/мин о и селенового слоя на тонкую лавсановую пленку, покрывающую гибкую

100 мкм лавсановую подложку, в том же режиме напыпения. Затем температуру обоих слоев или одного из них увеличивают на 13 С (доводят до 85 С). Поо о верхности слоев приводят в плотный механический контакт и выдерживают в течение времени, необходимом для об- . разования монолитного носителя и до образования монолитного соединения.

Полученный таким образом носитель сматывают в рулон наружу тонким лав-. сановым слоем, причем гибкая лавсановая подложка перед намоткой отделяется от носителя ° В другом варианте лавсановая гибкая подложка отделяется от монолитного носителя не сразу после изготовления, а непосредственно перед использованием носителя, что обеспечивает лучшую сохранность тонкого диэлектрического слоя.

Пример 2. На фторопластовую ленту толщиной 150 мкм методом купающего валика из t0 -ного раствора стирола с дивинилом в толуоле наносят пленку.(3-5 мкм).После просушки на поверхности фторопластовой ленты образовывается прочная диэлектрическая пленка с высокйм электрическим сопро.

3 1142809 4 тивлением, когезионная. прочность ко- фотопластовой лентой. В дальнейшем торого значительно превосходит проч- процесс получения носителя такой же, ность адгезионного соединения ее с как в примере 1.

Составитель Л. Врублевская

Редактор ш.Келемеш Техред С.Легеза КорректорИ. Эрдейи

Заказ 735/41 . Тираж 448 Подписное

ВНИЦПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.ч/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4