Материал для фоторезистивных приемников ультрафиолетового излучения
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ ПРИЕМНИКОВ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ на основе окиси галлия, о тличающийся тем, что, с целью расширения области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до 300 нм, материал дополнительно содержит окись индия и представляет собой твердый раствор формулы , |где ,1-0,4. (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (59 4 Н 01 L 1 08
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
ООПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ц;
Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ @1 1 ..ф;. (21) 3713241/24-25 (22) 23.03.84 (46) 23.09.87. Вюл. Ф 35 (71) Львовский государственный университет им. Ив.Франко (72) В.А,Андрийчук, В.И.Васильцив, Я.M.Çàõàðêî, О.В.Цветкова и М.К.Шейнкман (53) 621.382(088.8) (56.) Комащенко В,И. и др. Полупроводниковые приемники ультрафиолетового излучения. Республиканский межвузовский сборник — Полупроводниковые приемники и микроэлектроника, в. 26, Наукова Думка, Киев, 1974, с. 33-36.
Авторское свидетельство СССР
Р 686564, кл. Н 01 L 31/08, 1979...8Û 1126734 A (54) (57) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ
ПРИЕМНИКОВ У31ЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ на основе окиси галлия, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до
300 нм, материал дополнительно содержит окись индия и представляет собой твердый раствор формулы 0а „Хп„О,, где Х-0,1-0,4.
1176794
Состав материала
Параметры
Ga<, »o,zOs х=0,2
Са.„ In ои Оз
Са д In О
Ga Inо, О х=0,1
260
Положение максимума фототока (нм) 300
282
277
Фототок в области
> -мак симал ьно е при
Р=10 Вт/см (А) 5 10
1,5 -10
Отношение R /В при
Р=10 Вт/см
1,5 )О а10
2 10
3 ° 10
3 10
Хт (А) Составитель И, Багинская
Редактор С.Титова Техред М.Дидык Корректор С.Шекмар
Тираж 697 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5
Заказ 4358
Производственно-полиграфическое предприятие, r Ужгород, ул. Проектная. 4, Изобретение относится к области электротехники и электроники, в част" ности, может быть использовано дпя изготовления простых малогабаритных приемников ультрафиолетового (УФ) излучения, чувствительных в диапазоне длин волн 230-320 нм, с целью применения в медицине, биологии, сельском хозяйстве и других областях.
Целью изобретения является расширение области чувствительности за счет смещения максимума чувствительности в диапазоне от 260 до 300 нм.
Пример 1. Просушенные окислы галлия и индия берут в количестве
3,65 r GazO, и 1,35 г InnzO, что соответствует 80 мол.% Ga О и 20 мол.%
InzO в расчете на 5 r твердого раствора Gà, Хпц40 (х=0,4).
Пример 2. Аналогично примеру
1, кроме соотношения компонентов, которое составляет 3,96 r 6а О и 1,04 г
Хп О, что соответствует 85 мол.%
Ga O и 15 мол.% Хп О в расчете на
5 г твердого раствора Ga17In0 03 (х=0,3).
Пример 3. Аналогично примеру
1, кроме соотношения компонентов, ко. торое составляет 4,29 г Са .О и
0,71 r In О, что соответствует 90 мол./ Ga О и 10 мол.% Хп,О в расчете на 5 г твердого раствора
0а .вХ" дО> (х=0 2) °
Пример 4. Аналогично примеру 1, кроме соотношения компонентов, которое равно 4,67 r GazO и 0,33 г.
In О, что составляет 95 мол.%
Са 01 и 5 мол.% InzO> в расчете на
5 г твердого раствора Са,. Хп,О
10 (х=0,1) а
В таблице приведены фотоэлектрические характеристики получения пленочных фоторезисторов (толщина
0,7 мкм), где R,(R ) — относительная фоточувствительность; P - плотность светового потока; I, — .темновой ток.
Из представленных результатов следует, что данный материал для фоторезистивных приемников УФ-излучения позволяет получить максимальную чувствительность в области 260-300 нм в зависимости от концентрации окиси индия. Область максимального выхода фототока в УФ области совпадает с зона-зонными переходами, что позволяет применить материал для регистрации
УФ излучения на фоне подсветки видимым светом и излучением ближнего ультрафиолета .
I»
