Кристаллодержатель свч

 

КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ СВЧ, со держащий металлическое основание, изолятор, первую контактную площадк которая размещена на изоляторе и к которой подключен первый внешний. вывод, второй внешний вывод и кристалл , исток которого соединен с металлическим основанием, а затвор соединен с первой контактной -площадкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения широкополосности, в металлическом основании выполнен паз, в котором размещен изолятор, на. изоляторе дополнительно установлены соосно с первой контактной площадкой вторая и третья контактные площадки, при этом на второй контактной площадке размещен кристалл, сток которого и второй внешний вывод подключены к третьей контактной площадке, при этом длина и ширина паза соответственно равны длине и ширине изолятора, а глубина паза равна суммарной толщине изолятора и кристалла.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СООИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (l 9) (I l) (gl)4 Н 01 L 23/48

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ; 1,,:

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ (21) 3643827/24-09 (22) 14.09.83 (46) 30.10;85. Бюл. У 40 (72) Н.З.Шварц, А.А.Чернявский, В.В.Волцит, Г.В.Нечаев и В.В.Павлов (53) 621.382.2(088.8) (56) Колесов Л.Н. Введение в инженерную микроэлектронику. N.: Советское радио, 1974, с. 204-220.

Патент США У 4067040, кл. Н 01 L 23/48. опублик. 03.01.78. (54)(57) КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЬ СВЧ, содержащий металлическое основание, изолятор, первую контактную площадку, которая размещена на изоляторе и к которой подключен первый внешний, вывод, второй внешний вывод и кристалл, исток которого соединен с металлическим основанием, а затвор соединен с первой контактной площадкой, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, что, с целью увеличения широкополосности, в металлическом основании выполнен паз, в котором размещен изолятор, на изоляторе дополнительно установлены соосно с первой контактной площадкой вторая и третья контактные площадки, при этом на второй контактной площадке размещен кристалл, сток которого и второй внешний вывод подключены к третьей контактной площадке, при этом длина и ширина паза соответственно равны длине и ширине изолятора, а глубина паза равна суммарной толщине изолятора и кристалла.

11888 ль В.Рощин

Кикемезей Корректор В.Бутяга

Заказ 6750/54 ° Тираж 678 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к электронике СВЧ и может быть использовано в транзисторной электронике.

Целью изобретения является увеличение широкополосности кристаллодержателя СВЧ. . На чертеже представлена конструк ция кристаллодержателя СВЧ.

Кристаллодержатель СВЧ содержит металлическое основание 1, изолятор 2,10 первую контактную площадку 3, -которая размещена на изоляторе 2 и к которой подключен первый внешний вывод 4, второй внешний вывод 5 и кристалл 6, исток которого соединен с металличес-15 ким основанием 1, а затвор соединен с первой контактной площадкой 3. .В металлическом основании 1 выполнен паз, в котором размещен изолятор 2, на изоляторе 2 установлены соосно 20 с первой контактной площадкой 3 вторая и третья контактные площадки 7 и 8, при этом на второй контактной площадке 7 размещен кристалл 6, сток .которого и второй внешний вывод 5 подключены к третьей контактной площадке 8 при этом длина и ширина па1

Ф .эа соответственно равны длине и ширине изолятора 2, а глубина паза. равна суммарной толщине изолятора 2 и крис-30 талла 6, Для увеличения широкололосности кристаллодержателя СВЧ частотные ограничения, вносимые его паразитными элементами, уменьшены путем уменьше- ц ния самих паразитных элементов. Так уменьшение индуктивности в истоке кристалла 6 достигается путем максимального сближения соединяемых по- верхностей или применения параллель- 40 ных заземлений, уменьшением контактных площадок до 0,1-0,01 мм2 и соответствующим уменьшением входных емкостей до 10 -10 Ф.

14 -Ю

Дальнейшее увеличение широкополос- 4g ности кристаллодержателя СВЧ осуществляется путем компенсации входных и выходных емкостей кристалла 6 индуктивностями, выполненными в виде

Составите

Редактор М.Бандура ТехредА.

10 г тонких проволочек располагаемых в непосредственной близости от кристалла 6 и являющимися выводами его электродов.

При использовании кристаллодержателя СВЧ в усилителях в режиме оптимизации по усилению компенсация входной реактивности достигается индуктивностью, равной 1/ю2 С, где Сз емкость затвор-исток кристалла 6. На выходе достаточная широкополосность реализуется с помощью схемы с последовательной индуктивностью в стоке, равной С P /(1+си„ С,1 R ), где са„центральная (круговая) частота рабочего диапазона, С,1 и R -емкость и сопротивление сток-исток кристалла 6.

При использовании кристаллодержателя СВЧ в усилителях в режиме оптимизации по минимуму коэффициента шума величина индуктивности на входе находится в пределах 1/ю, С вЂ” 3/сй, С и

Оптимизация вещественных составляющих сопротивлений источника сигнала и выходной нагрузки может быть осуществлена с помощью элементов, внешних по отношению к кристаллодержателю, либо с помощью трансформаторов, располагаемых на первой и третьей контактных площадках 3 и 8 и имеющих длину, равную 1/4 эффективной длины волны в изоляторе 2 на частоте Юр

Выполнение паза в металлическом основании 1 и размещение в нем изоля.тора 2 с кристаллом 6 обеспечивает максимальную широкополосность кристаллодержателя СВЧ, поскольку при этом обеспечивается минимальная длина выводов .электродов кристалла 6, в частности выводов истока, при этом ширина кристалла 6 также выбирается равной ширине паза в металлическом основании 1. Изолятор 2 в пазе может быть выполнен единым или, если требуется дополнительный теплоотвод от кристалла 6, в виде отдельных пластин.