Способ повышения пробивного напряжения плоскостных кремниевых диодов

 

Мо 129239

Класс 21д, 11оз

СССР! !

1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. В. Лубашевский, Л. А. Петров, Д. Г. Бедов, Л. И. Манков, М, И. Лукасевич и Р. Е. Смолянский

СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

ПЛОСКОСТНЫХ КРЕМНЕВЫХ ДИОДОВ

Заявлено 29 идоня 1969 г. за Ко 632282,26 в Комитет по делам изобретений и открытий ири Сове:e Министров СССР

Опубликовано в «Бюллете1:е изобретений» N«12 за 1960 г.

Предмет изобретения

Способ повышения пробивного напряжения плоскостны: кремниевых диодов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии их изготовления, в алюминий вводят около 1",о золота, из полученно 0 сплава изготовляют фольгу толппгной 0,05 — 1 11д1, зажимают ее между пластинами кремния и и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прон:водят сплавление пластин при температуре порядка 900 — 1200.

Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диОдОВ ocHoBBHbl на создании многоступенчатых полупроВодникоВых структур. Эти способы достаточно сложны по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.

Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р — i — п переход, для получен 1я которого использована диффузия золота в кремний.

Способ основан на получении р — i — tt перехода в кремний н-типа 11 состоит в следующем. В алюминий вводят около 1".о золота, изготовляют из полученного сплава фольгу толщиной 0.05 — 1 л1л, зажимают ее между двумя пластинами кремния и-типа и р-типа, помещают заготовку в

Вакуум If производят снлаВ,lение пластин прп т мнсратуpf порядк11

900 — 1900 . В результате диффузпи золота в кремний и рекристаллизации расплава Si — А! — An на границе расплава образуется кремн 1й р-типа и слой t. После окончания диффузии заготовку разрсзгнот 11;1 квадраты, с обеих сторон которых приплавляют контакты.