Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон
Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон из расплава, включающее лодочку для расплава, снабженную формообразователем, содержащим вертикальные пластины, установленные в лодочке параллельно друг другу и образующие капилляр, и токоподводы, присоединенные к торцам лодочки, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока использования лодочки и формообразователя и повышения надежности процесса, формообразователь снабжен формообразующим элементом, выполненным в виде расположенной над лодочкой горизонтальной пластины, имеющей наружные выступы со сквозными отверстиями, расположенными вдоль капилляра между вертикальными пластинами, в верхней части которых выполнены боковые стороны, параллельные горизонтальной пластине.
Похожие патенты:
Способ получения полых кремниевых труб // 687654
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов тугоплавких оксидов для конструкционных узлов и изделий
Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла
Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса
Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса
Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова
Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
