Способ определения величины корректуры офсетной печатной формы

 

Изобретение относится к полиграфической технике, к корректуре офсетных печатных форм. Цель изобретения - повьшение точности офсетного репродуцирования. Денситометром 1 отражения производят измерение оптической плотности в 10-12 зонах по каждой полосе-плашке, далее информация через интерфейсный блок 2 передается в вычислительное устройство 3, где происходит определение среднего значения оптических плашечных полей, сравнение среднего значения оптической плотности с заданной, определение откло нения среднего значения оптической плотности от нормы и индивидуального значения каждого изображения от среднего, допусковый контроль , определение эквивалентных искажений растровых элементов на печатной форме. 1 ил. с Л Од «vl О)

СОКИ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (Н) m1) 4 G 03 F 7(00

«1,)с гоЩ.„1» (Я

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,1) 1)

Ц1,-,111

Н АВТОРСКОМУ СВИД =.ТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3762036/24-10 (22) 29.06.84 (46) 07.03.86. Бюл. И 9 (71 ) Всесоюзный научно=исследо,вательский институт комплексных проблем полиграфии (72) А.Л.Батюшко, Э.И.Избицкий, А.И.Йочев, А.Г.Десятник и И.Я.Подольская (53) 655.34(088.8) (56) Helbig Thomas, Schmidt Rainer .

Theoric und Praxis der Dichtmessung

im 0ffsetdruck. Payier und Druck, 1974, 23, Ф 10, 157-160.

Процессы офсетной печати. Технологические инструкции. М.: Книга, 1982, с. 329-332. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ

КОРРЕКТУРЫ ОФСЕТНОЙ ПЕЧАТНОЙ ФОРМЫ (57) Изобретение относится к полиграфической технике, к корректуре офсетных печатных форм. Цель изобретения — повышение точности офсетного репродуцирования. Денситометром 1 отражения производят измерение оптической плотности в 10-12 зонах по каждой полосе-плашке, далее информация через интерфейсный блок 2 передается в вычислительное устройство 3, где происходит определение среднего значения оптических плашечных полей, сравнение среднего значения оптической плотности с заданной, определение отклонения среднего значения оптической плотности от нормы и индивидуального значения каждого изображения от среднего, допусковый контроль, определение эквивалентных искажений растровых элементов на печатной форме. 1 ил.

1216769

Изобретение относится к. полиграфической технике, а конкретно к корректуре офсетных печатных форм.

Целью изобретения является повышение точности офсетного репродуциров ания .

На чертеже изображена структурная схема устройства для осуществления способа.

Устройство состоит иэ денситометра 1 отражения, интерфейсного блока 2, вычислительного устройства 3 и цифрового индикатора 4.

Способ определения величины корректуры печатной формы осуществляют следующим образом.

На пробных оттисках, изготавливаемых в нормированных условиях . (на определенной бумаге, стандартной триадой красок, при одинаковом растискивании по всем краскам), печатают плашечные поля, расположен- ные вдоль и поперек направления движения оттиска. Подачу краски на пробопечатном станке регулируют таким образом, чтобы добиться наибольшего соответств я пробных оттисков оригиналам..

Денситометром 1 отражения производят измерение оптической плотности в 10-12 зонах по каждой полосе-плашке. Информация от денситометра 1 отражения через интерфейсный блок 2 передается в вычислительное устройство 3. В вычислительном устройстве 3 (например, микропроцессоре, микро-ЭВИ) осуществляются следующие операции: определение среднего значения оптических плашечных полей, сравнение среднего значения оптической плотности с заданной (нормой ), определение отклонечий среднего значения оптической плотности от нормы и индивидуального значения каждого изображения от среднего, допусковый контроль, определение эквивалентных искажений растровых элементов на печатной форме.

Отклонение оптической плотности в среднем по всем m измерениям плашечных полей определяют по формуле с е о (1) где D — заданное значение оптической плотности (в соответствии с денситометрическими нормами);

D, — среднее значение оптичес l кой плотности по всем изображенияи, определяемое по формуле

D = — KD.

1 сP ш с (3)

Если все указанные отклонения укладываются в пределы допуска

20 +0,05-0,1 ед. оптической плотности, то комплект пробных оттисков считается однородным по оптической плотности плашечных полей, что свидетельствует также об отсутствии ис25 кажений растровых элементов на печатной форие и на цифровом индикаторе 4 появляется "0".

Если комплект изображений в среднем no D или индивидуально по

30 1-иу изображени выходит эа пределы допуска, то это требует соответственно общей или индивидуальной корректировки формы.

Для установления количествен35 ной связи между отклонениями оптической плотности плашечных полей и величины корректуры растровых элементов используют известную зависимость

40 где S — относительная плотность растровых элементов;

D — и тегральная оптическая плотность растровых элементов (относительно бумажной основы);

D — оптическая плотность плашft lL ки (относительно бумажной основы); и — поправочный коэффициент для учета внутреннего рассеяния.

Искажение,4 Б относительной площади растрового поля S при сохранении неизменной его интегральной оптической плотности D=const могде D, — оптическая плотность каждого плашечного поля.

t0 Кроме того, отклонение по оптической плотности может возникнуть по каждому участку изображения.

Определяют отклонение индивидуального значения оптической плотности

15 в каждой зоне от среднего

1216769

На индикаторе 4 высвечивается величина необходимой корректуры всей формы или отдельных ее участков (- Б,, -Ь Ь ) . жет быть скомпенсироваио изменением оптической плотности плашки

gD т.е. как следует иэ соотнопл шения 14) . 5

В сооТНРТсТВНН с соотношениями (11 и (5) определяют искажения растровых элементов в среднем

1 .qg, (7)

1а 1пл D

Составитель Л.Безпрозванный

Редактор А.Ворович Техред Алабинец Корректор E.Ñèðîõìàí

Тираж 437 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 999/57

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Величину искажения Ь Й с обратным знаком используют для корректуры фотомонтажа по всей его площади.

Если за пределы допуска выходит один или несколько участков на пробных оттисках, то в соответствии с соотношениями 13) и 1,4) определяют искажения растровых элементов индивидуально по каждому участку печатной формы по формуле

Величину искажения b,S; используют для корректуры отдельных участков фотомонтажа.

Формула изобретения

Способ определения величины кор10 ректуры офсетной печатной формы, включающий измерение оптической плотности плашечных полей на пробных оттисках по всем изображениям, входящим в состав печатной формы, сравнение полученных реэуль-!

5 татов с заданными значениями и расчет величины корректуры, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения точности офсетного репродуцирования, дополнительно определяют отклонение среднего значения оптической плотности по всем изображениям от заданного среднего значения, это отклонение используют для расчета величины интегральной

25 корректуры печатной формы, затем определяют отклонение индивидуальной оптической плотности каждого изображения от средней оптической плотности и используют его для расчета величины индивидуальной корректуры изображении.

Способ определения величины корректуры офсетной печатной формы Способ определения величины корректуры офсетной печатной формы Способ определения величины корректуры офсетной печатной формы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Изобретение относится к синтезу и использованию нового бифильнорастворимого фотоинициатора радикальной полимеризации фотополимеризующихся композиций (ФПК) 2,2-бис- (3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона нижеприведенной формулы

Изобретение относится к химико-фотографическим фоторезистивным формным материалам, в частности к фотополимеризующимся композициям (ФПК) для изготовления эластичных печатных форм для флексографической печати в полиграфии

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха
Изобретение относится к технологии формирования на поверхности материалов рельефных элементов и может найти применение, например, в области полиграфии при изготовлении печатных форм (клише) для высокой печати, а также в других областях техники, где необходимо получение рисунка заданной глубины с субмикронным разрешением структур формируемых рельефных элементов в функциональных (обрабатываемых посредством механического воздействия) слоях изделий
Наверх