Способ изготовления рентгеношаблона

 

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОШАБЛОНА, включающий формирование на подложке слоя прозрачного для рентгеновского излучения и получение на нем маскирующего рисунка из материала, поглощающего рентгеновское излучение, формирование мембраны и опорного кольца по периферии подложки путем избирательного травления подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных рентгеношаблонов путем предотвращения разрушения мембраны, перед избирательным травлением подложки на слой мембраны с маскирующим рисунком наносят упрочняющий слой, а после травления упрочняющий слой удаляют.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала упрочняющего слоя используют медь. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения увеличение процента выхода годных рентгеношаблонов путем предотвращения разрушения мембраны. На фигурах 1-4 представлена последовательность операций изготовления рентгеношаблона способом согласно изобретению. На фигурах показана подложка 1 со слоем мембраны 2, на которой нанесен слой 3 из материала, поглощающего рентгеновское излучение, сформированный в соответствии с топологическим рисунком. На слой 3 нанесен упрочняющий слой 4. При избирательном травлении подложки на слое мембраны остаются недотравленные островки 5 материала подложки и опорное кольцо 6. При продолжении травления островки растворяются с формированием полости 7. П р и м е р. В кремниевой подложке 1 толщиной 0,5 мм с ориентацией (100) формировали слой мембраны 2 толщиной 2 мкм диффузионным легированием подложки бором до концентрации 1020 см3. На этом слое формировали слой 3, поглощающий рентгеновское излучение, из золота толщиной 0,25 мкм. Затем нанесли вспомогательный упрочняющий пленочный слой 4 меди электролитическим осаждением толщиной 2.10 мкм (фиг.1). Травление полости 7 в кремниевой подложке проводилось в растворе этилендиаминпирокатехин вода при температуре кипения раствора. На первом этапе травления образуются островки 5 недотравленного материала (фиг.2), которые удаляются при последующем травлении (фиг.3). Медный подслой 4 удаляли в водном растворе хромового ангидрида и серонокислого аммония, в результате чего получали рентгеношаблоны с мембраной диаметром 80 мм с выходом годных 80-90% и более (фиг.4).

Формула изобретения

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕНТГЕНОШАБЛОНА, включающий формирование на подложке слоя прозрачного для рентгеновского излучения и получение на нем маскирующего рисунка из материала, поглощающего рентгеновское излучение, формирование мембраны и опорного кольца по периферии подложки путем избирательного травления подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных рентгеношаблонов путем предотвращения разрушения мембраны, перед избирательным травлением подложки на слой мембраны с маскирующим рисунком наносят упрочняющий слой, а после травления упрочняющий слой удаляют. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала упрочняющего слоя используют медь.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        




 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к изготовлению фотошаблонов, используемых в фотолитографических процессах для производства тонкопленочных интегральных микросхем методами планарной технологии

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат

Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
Наверх