Способ получения пятиокиси ванадия

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1

09) (И) р)) 4 С 01 G 31/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н A STOPCHQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм изОБРетений и ОтнРытий (21) 3702749/23-26 (22) 15.02.84 (46) 15.05.86. Бюл. У 18

1 71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт титана и Усть-Каменогорский титано-магниевый комбинат им. 50-летия Октябрьской революции

1 (72) А.Н. Петрунько, Н.Н. Стремилова, Э.П. Медведчиков,.M.À. Горовой, И.Ю. Свядощ и В.Н. Павленко (53) 661.888,1(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Н 566770, кл. С Ol G 31/00, 1975.

Авторское свидетельство СССР

9 437367, кл. С 01 G 23/07, 1972.

Чижиков Д.M., Дейнека С.С., Мака-, рова ВЛ . Окисление. тетрахлорида и оксихлорида ванадия кислородом.

Сб. тр. Исследование процессов в металлургии цветных и редких металлов.

М.: Наука, 1969, с. 122-125. (54) (57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЯТИОКИСИ ВАНАДИЯ, включающий окисление окситрихлорида-ванадия кислородом s потоке плазмы, разделение продуктов реакции и обесхлоривание целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса за счет сокращения количества технологических операций, разделение продуктов реакции осуществляют при 200о

250 С и отделенный твердый продукт обрабатывают увлажненным воздухом.

2. Способ. по п. 1, о т л и ч а— ю шийся тем, что содержание паров воды в увлажненном воздухе под э держивают в пределах 40-50 г/и . 9!

Составитель В . Нечипоренко

Редактор С. Лысина Техред М.Ходаннч Корректор С, Шекмар

Закаэ 2517/27 Тираж 450 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к способу получения пятиокиси ванадия и может быть использовано в технологии производства соединений ванадия.

Цель изобретения — упрощение процесса путем сокращения количества технологических операций.

П р v м е р I. В электродуговой плазмотрон мощностью )30 кВт подают кислород со скоростью 2,2 r/ñ. Плазму кислорода из плаэмотрона направляют в плазмохимический реактор, куда одновременно подают оксихлорид ванадия (через распылительнув форсунку) со скоростьв 13,8 r/с. Температуру процесса поддерживают 1400 С. Образующийся поток продуктов реакции отводят иэ плазмохимического реактора через камеру торможения и аппарат. теплосъема в рукавный термостатированный фильтр, где поддерживают температуру 250 С и осуществляют разделение продуктов реакции: твердую фазу пятиокиси ванадия от газовой фазы - смеси хлора и кислорода. Газовую смесь направляют на хлорнрованне, а пятиокись ванадия из рукавного фильтра через барабанный дозатор подают в верхнюю часть пневможелоба на ,,перфорированную перегородку. Под; перфорированную перегородку подают увлажненный воздух с содержанием воды

30997 2

50 г/м . В первую секцию по ходу движения аэрнрованного слоя UzO> паровоздушная смесь поступает с температурой 200 С, во вторую — с 1 )00 С, э в третью с 20 С. По мере движения аэрированного слоя U O к наружному отверстию продукт охлаждают до комнатной температуры и выгружают через барабанный дозатор в тару. Содержание хлора в целевом продукте составляет

0,01 вес.X.

П р и и е р 2. В электродуговой плазмотрон мощностью 152 кВт подают кислород со скоростью 2,2 r/с (20Xный избыток против стехиометрически необходимого). Температуру процесса о поддерживают 700 С. Далее процесс осуществляют аналогично .примеру I.

Содержание хлора в целевом продукте

0,01 вес ° X.

П р н.м е р 3. Процесс осуществляют аналогично примеру 2, но кислород подают со скоростью 2,1 г/с (10X-ный избыток против стехиометрически необ ходимого). Содержание хлора в целе-. вом продукте составляет 0,01 вес.X.

Hp и м е р 4. Процесс осуществляют аналогично примеру 3, но тем-. пературу разделения продуктов реакции о

>0 поддерживают 200 С. Содеркание хлора в целевом продукте составляет

0,01 вес.X.

Способ получения пятиокиси ванадия Способ получения пятиокиси ванадия 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, в частности диоксида ванадия, который используется в терморезисторах, термореле, переключающих элементах, ячейках электронной памяти
Изобретение относится к способам извлечения ванадия из кислых растворов, в частности обмывочных вод тепловых электростанций, сжигающих высокосернистые мазуты, и может быть использовано в технологии получения ванадиевых концентратов
Изобретение относится к гидрометаллургии ванадия, в частности к способам осаждения ванадия из растворов

Изобретение относится к способам получения соединений ванадия и может быть использовано для получения чистого оксида ванадия из загрязненного ванадиевого продукта

Изобретение относится к металлургии, конкретнее к процессам переработки ванадийсодержащих шлаков, полученных при сталеплавильном производстве

Изобретение относится к металлургии, конкретнее к процессам получения пятиокиси ванадия из растворов или пульпы из обожженных ванадийсодержащих шлаков монопроцесса

Изобретение относится к получению частиц, обладающих термохромными свойствами

Изобретение относится к металлургии, в частности к способам получения ванадия из шлаков и других ванадийсодержащих материалов, и может быть использовано при производстве ванадиевой продукции

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения ванадия из шлаков и других ванадийсодержащих материалов обжигом, выщелачиванием и осаждением, и может быть использовано при производстве ванадиевой продукции
Изобретение относится к цветной металлургии и может быть использовано при получении пентаоксида из окситрихлорида титана - побочного продукта, образующегося при производстве губчатого титана
Изобретение относится к металлургии
Наверх