Способ измерения толщины полупроводникового слоя

 

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам измерения толщины полупроводниковых слоев. Цель изобретения - расширение диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев путем исключения влияния толщины слоя и качества р-п-переходов на результаты измерения. Облучают полупроводниковый слой, помещенньй вплотную между металлическим зондом и металлическим основанием, импульсным потоком электронов, энергию которых изменяют до тех пор, пока не начнет изменяться ток через р-п-переход, на который через металлический зонд подают относительно основания напряжение смещения. Значение энергии, при котором наблюдается изменение тока через р-п-переход связано с глубиной проникновения электронов, т.е. с толщиной слоя. 1 ил. С $ (Л ю 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) (51) 4 G 01 В 15/02

/ ц

e(r, ъ -, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3752221/24-28

:(22) 06.06.84 (46) 15.05.86. Бюл. Ф 18 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова (72) А.M.Ñâåòëè÷íûé, Л.В.Воронцов и И.В.Тимофеев (53) 531.717.11(088.8) (56) Электронная техника, сер.3, 1978, с.48-50.

Iournal Applied Physics, 1961, 32; Ф 4, р. 744-745. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГ О СЛОЯ (57) Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам измерения толщины полупроводниковых слоев. Цель изобретения — расширение диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев путем исключения влияния толщины слоя и качества р-и-переходов на результаты измерения. Облучают полупроводниковый слой, помещенный вплотную между металлическим зондом и металлическим основанием, импульсным потоком электронов, энергию которых изменяют до тех пор, пока не начнет изменяться ток через р-п-переход, на который через металлический зонд подают относительно основания напряжение смещения. Значение энергии, при котором наблюдается изменение тока через р-и-переход связано с глубиной проникновения электронов, т.е. с толщиной слоя. 1 ил.

Составитель В.Парнасов

Редактор A.Orap Техред И.Попович

Корректор С. 1!1екмар

Заказ 2556/47

Тираж 670 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж- 35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãîpîä, ул.Проектная,4

1 12

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности, к способам измерения толщины полупроводниковых слоев в производстве полупроводниковых приборов.

Цель изобретения — расширение диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев путем исключения влияния толщины слоя и качества р— п-перехода на результаты измерения.

На чертеже изображена схема устройства для реализации предлагаемого способа.

На схеме обозначены электронная пушка 1, фокусирующая система 2, металлический зонд 3, полупроводниковая пластина 5 с измеряемым слоем 4, металлическое основание 6, устройство 7 запуска, измеритель 8 тока через р -и-переход и устройство 9 смещения.

Способ осуществляют следующим образом.

Импульсами запуска из устройства

7 одновременно запускаются поток электронов из электронной пушки 1 и измеритель 8 тока через р-и-пере- . ход. Поток электронов через фокусирующую систему 2 попадает на поверхность измеряемого слоя 4. Напряжение смещения на р-и-переход между измеряемым слоем 4 и пластиной 5 подается от устройства 9. Поток электронов внедряется в измеряемый слой 4

31404 2 на глубину, соответствующую энергии электронов. При повышении энергии электронов глубина их проникновения увеличивается, и при определенном фиксированном значении энергии электроны достигают р-п-перехода, что приводит к изменению тока через него.

Изменение тока определяется измерителем 8. Значение энергии, при кото-!

О рой наблюдается изменение тока через р1-. .n-ïåpåõoä, связано с глубиной проникновения электронов и, следовательно, с толщиной измеряемого полупроводникового слоя 4. !

Формула изобретения

Способ измерения толщины полупроводникового слоя, заключающийся

20 в том,, что объект помещают вплотную между металлическим зондом и металлическим основанием, облучают его, измеряют ток, возникающий в объекте, и определяют толщину слоя, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью расширения диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев, через металлический зонд на р-и— переход объекта подают относительно

30 основания напряжение смещения, облучение производят импульсным потоком электронов, энергию которых изменяют до тех пор, пока не начнет изменяться ток через р-п-переход.