Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см², а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750^oС в течение 25-6 мин соответственно.

Изобретение относится к разделу технической физики и может быть использовано при имплантации ионов в различные материалы в технологии изготовления полупроводниковых приборов, например детекторов излучения, светодиодов, интегральных схем, а также для нанесения защитных покрытий на материалы и изделия

Способ изготовления диодов шоттки // 1217182

Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами // 1215550

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем с пристеночными p-n-переходами

Способ изготовления варикапов // 1204083

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора // 1186030

Способ изготовления омических контактов // 1163765

Способ получения черни для поглотителей излучения // 1162341

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах // 1151149

Способ изготовления вч-транзисторных структур // 1145838

Установка ионного легирования // 1144560

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур

Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок // 2204179

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий

Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств