Способ селективного травления нитрида кремния

 

Изобретение относится к микро- . электронике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изоб-. ретения - исключение подтрава нитрида кремния.на обратной стороне пластин за счет снижения рабочего давления . Способ селективного травления кремння включает обработку нитрида кремния, лежащего на крем- : НИИ или тонком подслое двуокиси кремния, в ВЧ-плазме газовой смеси фторосодержащих соединений и инертного газа в диодной системе. При этом используют двухкомпонентную газовую смесь, содержащую от 20 до 30 мас,% четьфехфтористого углерода и от 70 до 80 мас.% азота. табл. э со О) 05 СД

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„Я0„„1297665 (51) 5 Н 01 Ь 21/306

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

rl0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3ь

i (46) 23. l О. 90. Бюл. И 39 (21) 3786583/24-25 (22) 03.09,84 (72) В.И.Стратиенко и С.Н.Осинов (53) 62 1.,382 (088.8) (56) Патент Франции 11 2375339, кл. Н 01 L 21/306, опублик. 1978.

Патент США 11 4028155, кл,. В 29 С 17/08, опублик. 1977.

Патент ClilA У 432 611, кл. Н Ol L 21/306, опублик. 1982. (54) СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ

ИНТРИГ.КРЕМНИЯ (57) Изобретение относится к микро-, электронике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изоб-, ретения — исключение подтрава китрида кремния на обратной стороне ппастин за счет снижения рабочего давления. Способ селективного травления нитрида кремния включает обработку иитрида кремния, лежащего на крем- нии или тонком подслое двуокиси кремния, в ВЧ-плазме газовой смеси фторосодержащих соединений и инертного rasa в диодной системе. При этом используют двухкомпонентную газовую смесь, содержащую от 20 до

30 мас.й четырехфтористого углерода и от 70 до 80 мас.X азота. 1 табл.

129 7665

;чего пластины помещают в камеру ус1ановки 08ПХ0100ТООА и проводят плаэмохимическое травление. Температура пластин при этом составляет 20-80 С,, удельная ВЧ-мощность — 0,6 Вт/см, а давление в камере — 0,2-0,3 торр, С целью проверки эффективности заявляемого диапазона состава реагентов при проведении селективного трав10 ления нитрида кремния формируют пять групп пластин по шестнадцать пластин диаметром 100 мм и проводят пять независимых экспериментов при различных соотношениях реагентов в установке во время проведения плазмохимического травления. Результаты экспериментов приведены в таблице„ сход Н „ мас. 7.

Расход CF

1 мас в Ж

Скоро ст ь- Селективност ь травлени Si И; (100> !

А мин

7 7

500

350 :30

Данный способ позволяет получать в заявляемом диапазоне сост.ава реа"гентов скорость травления нитрида кремния от 350 А/мин до 650 А/мин, при этом селективность соответственно равна 9:l и 6-.1. 40

При этом дальнейшее повышение скорости травления приводит к резкому падению селективности травления и наоборот, Формулаизобретения5

Способ селективного травления нит"рида кремния, включающий обработку

Составитель B.ÊóçêåöoH

Техред И, Ходан.-.-":- =орр КТор С „1ерни

Редактор Т,Янова

Заказ ч355 Тираж 460 Подпи сиое

ВНИИПИ Го суд ар ст венного ео Рс 1т ета (. ССР по делам изобретений И открытий

113035, Москва, 3-35,, Раушская наб... д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к микро-. электронике и может быть использоваНо B технологии изготовления полу° проводниковых приборов.

Иелью изобретения является исключение подтрава нитрида кремния на обратной стороне пластины за счет снижения рабочего давления.

Пример. Селективное травле-. ние нитрида кремния проводят на тестовых пластинах в условиях серийного производства. На кремниевые пластины КДБ-10 с ориентацией 100> в реакторе пониженного давления осажо дают нитрид кремния толщиной 1500А затем при помощи фотолитографии формируют рисунок из фоторезиста, после

t нитрида кремния, лежащего иа кремнии или тонком подслое двуокиси кремния „ в ВЧ-плазме газовой смеси фторосодержащих соединений и инертного газа в диодной,системе, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью исключения подтрава нитрида кремния на обратной стороне пластин за счет снижения рабочего давления, используют двухкомпонентную газовую смесь, содержащую от 20 до 30 мас.7 четырехфтористого углерода и от 70 до 80 мас..% азота,