Хромкадмиевая халькогенидная шпинель

Авторы патента:

C30B29/46 - серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

Хромкадмиевая халькогенидная шпинель, содержащая Cd, Cr и Se, отличающаяся тем, что, с целью повышения удельного ферромагнитного момента при 4,2 K, она дополнительно содержит Te и имеет общую формулу CdCr₂Se_4-xTe_x, где 0,15 x 0,24.

Изобретение относится к способу получения полупроводниковых соединений и может быть использовано для получения материалов, применяемых в полупроводниковых приборах и приборах нелинейной оптики

Травитель для халькогенидных стекол (его варианты) // 1160483

Способ получения монокристаллического материала // 1140492

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения термоэлектрического материала для твердотельных холодильников и генераторов

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа аiibvi и их твердых растворов // 976733

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @ // 769836

Способ получения пленок сульфида свинца // 371963

Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа" и а"1 // 177844

Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия // 120330

Ферримагнитный полупроводниковый материал // 2142521

Изобретение относится к области изыскания материалов, которые могут найти применение как ферримагнитные полупроводники при создании элементов памяти, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах

Способ приготовления шихты для получения твердых растворов халькогенидов свинца и олова парофазными методами // 2155830

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Способ получения интеркалированных соединений и соединения, полученные этим способом // 2156329

Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении

Способ получения полупроводникового материала n-типа на основе селенида цинка // 2170291

Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами

Способ получения сцинтиллятора на основе селенида цинка, активированного теллуром // 2170292

Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, детекторах ионизирующих излучений

Ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой кюри // 2180316

Изобретение относится к неорганической химии

Способ получения монокристаллов соединения liins2 // 2189405

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа // 2194807

Ферромагнитный полупроводниковый материал с высокой температурой кюри // 2224056

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах

Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания // 2255151

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике