Способ получения активной среды из кристаллов фторида лития

 

Изобретение относится, к способу получения активной среды из кристаллов фторида лития для перестраиваемых лазеров и обеспечивает расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм. Способ включает гамма-облучение оптически обработанного кристалла. Способ отличается тем, что облучение ведут при температуре не выше 240 К экспозиционной дозой 5-10 Кл/кг,после чего кристалл выдерживают при 300-350 К в течение 18-22 ч. (/)

СОЮЗ СО8ЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (19) (И) (51) 5 С 30 В 33/00 29 12

«»! « «»» } ,-1. - „ л

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (4 .) 23.06.91. Бюл. ((« 23 (21) 3981696/26 (22) 23.10.85 (71) Институт физики АН БССР (72) А.П.Войтович, В.С.Калинов, С.А.Михнов и С.И.Овсейчук (53) 612.315.592(088.8) (56) Гусев Ю.Л. и др. Перестраиваеиые лазеры на центрах окраски. Известия АН СССР. Серия физическая, 1980, т. 44, У 10, с. 2020.

Гусев Ю.Л. и др. Генерация коге-, рентного излучения на.Р -центрах окраски"в монокристалле LiF. Квантовая электроника, 1977, т. 4, «1 9, с. 2024.

Хулугуров В.М. Центры окраски, люминесценция и вынужденное излучение кристаллов LiF с катионо- и анионоэамещенными примесями. Автореферат диссертации канд. физ-мат.наук, Иркутский госуниверситет, Иркутск, 1978,. с. 18. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ СРЕДЫ

ИЗ КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДА ЛИТИЯ (57) Изобретение относится к способу получения активной среды из кристаллов фторнда лития для перестраиваемьм лазеров и обеспечивает расшире ние диапазона генерируемого лазером излучения на область 520=580 нм. Способ включает гамма-облучение оптически обработанного кристалла. Способ отличается тем, что облучение ведут при температуре не выше 240 К

» б экспозиционной дозой 5 " 10

5 ° 10 Кл/кг,после чего кристалл выдерживают при 300-350 К в течение

18-22 ч.

Составитель В. Безбородова

Техред Л.Сердюкова Корректор Л.Пилипенко

Редактор З.Бородкина

Тираж 269 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2568

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

1 13

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано для создания активных элементов лазеров с перестраиваемым но частоте спектром излучения.

Целью изобретения является расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм.

П р,.и и е р. Оптически обработанный кристалл фторида лития (толщина

2 им, площадь отполированной грани

10 10 им ) помещают во влагонепроницаемую оболочку (чтобы избежать воздействия на кристалл конденсирующейся при охлаждении из воздуха влаги).

После этого кристалл охлаждают в термосе с сухим льдом. Применение в качестве охладителя сухого льда позволяет достигнуть температуры кристал)\ лиэации углекислоты (примерно 200 К) .

По-видимому, это наиболее дешевый и технически удобный способ поддержания температуры, необходимой для осуществления предлагаемого способа приготовления активной среды .(ниже

240 К). Затем образец облучают гаммаиэлучением экспозиционной дозой

5000 Кл/кг. После этого кристалл выдерживают 22 ч при 300 К для того, чтобы обеспечить распад центров, име-. ющих попосу поглощения с максимумом на длине волны 630 нм. Процесс распада паразитных" центров наблюдают по

16323 2 изменению спектров поглощения кристалла, аналогичный результат получен при 3 ° 10 и 5 ° 10 Кл/кг.

После описанной обработки кристалл используют в качестве активного элемента лазера. Получена генерация излучения в спектральной области

520-580 нм. Накачку осуществляют ква-зипродольно лазером на красителе, 10 имеющим максимум интенсивности в области 450 нм.

Преимуществом предлагаемого способа по сравнению с прототипом является получение генерации в области

520-580 нм на кристаллах фторида лития.

Формула изобретения

Способ получения активной среды иэ кристаллов фторида лития для перестраиваемых лазеров, включающий гамма-облучение оптически обработанных кристаллов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм, облучение ведут при температуре не более

240 К экспозиционной дозой 5-10

5 ° 10 Кл/кг, после чего кристалл вы4 держивают при 300-350 К в. течение

18-22 ч.