Способ изготовления датчиков давления

 

Способ изготовления датчиков давления, включающий формирование профилированной области кремниевого чувствительного элемента с тензорезисторами, имеющими контакт с внешними выводами через зоны кремния с повышенной проводимостью, настройку и присоединение электростатическим методом к чувствительному элементу стеклянной крышки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов датчика и упрощения процесса его настройки, в чувствительном элементе одновременно с формированием профилированной области под тензорезисторами создают дополнительную профилированную область, соединяют сформированные области вытравленной канавкой, одновременно с присоединением крышки присоединяют к чувствительному элементу стеклянное основание, перекрывающее обе профилированные области и соединяющую их канавку, настраивают датчик, а затем проводят разгерметизацию полости датчика со стороны профилированных областей путем разрушения перемычки дополнительно сформированной профилированной области.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, основанных на эффектах Пельтье или Зеебека, прежде всего холодильных термоэлектрических устройств, а также термоэлектрических генераторов электроэнергии

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления нелинейных полупроводниковых резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных микросборок и полупроводниковых приборов

Изобретение относится к производству микроэлектронных изделий и может быть использовано для дозированного нанесения полимерных и клеевых материалов при монтаже полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изделий микроэлектроники

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при соединении кристалла с выводом полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологическому оборудованию для монтажа радиоэлектронной аппаратуры в условиях особо чистых технологических сред и в вакууме

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к сборке и пайке кристаллической структуры к кристаллодержателю
Наверх