Устройство свч
Изобретение м.б. использовано при построении интегральных устр-в СВЧ диапазона. Цель изобретения сокращение габаритов и уменьшение паразитных связей. Устр-во содержит диэлектрич. подложку 1, на одной стороне к-рой нанесена металлизация 2, а на др. расположена волноведущая структура (БС)3, вспомогательные эл-ты схемы 4 и установленная одним торцом диэлектрич. пластина 5, Ни боковых поверхностях к-рой размещены зл-ты схемы 6. На другом торце пластины 5 расположена ЕС 7, ВО 7 образуют контактная площадка 8, кристаллы транзисторов 9, разделительный конденсатор 10 и соединительные проводники 11. ВС 7 м.б. выполнена в виде отрезка линии передачи. 2 ил. Ю 7 7 7 7 S f . 7 X лччАччччч; ssSvOvSoyi z (Л С Цтг.1
СО)ОЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
А( (19) (11) (51) 4 Н 01 Р 3/08
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (54) УСТРОЙСТВО СВЧ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3966183/24-09 (22) 16.10.85 (46) 30,07.87. Бюл. N - 28 . (72) В,Г. Калина, Ю.Ф. Квылинский и В.В. Шаповалова (53).621.372.826(088.8) (56) Патент США Ф 4429289, кл. 333-204, 1984.
Авторское свидетельство СССР
1107726, кл. H 01 P 5/18, 1983. (57) Изобретение м.б, использовано при построении интегральных устр-в
СВЧ диапазона. Цель изобретения— сокращение габаритов и уменьшение паразитных связей. Устр-во содержит диэлектрич. подложку 1, на одной стороне к-рой нанесена металлизация
2, а на др. расположена волноведущая структура (ВС)3, вспомогательные эл-ты схемы 4 и установленная одним торцом диэлектрич. пластина 5, на боковых поверхностях к-рой размещены эл-ты схемы 6. На другом торце пластины 5 расположена ВС 7, ВС 7 образуют контактная площадка 8, кристаллы транзисторов 9, разделительный конденсатор 10 и соединительные проводники 11 ВС 7 м.б. выполнена в виде отрезка линии передачи. 2 ил.
1327210
ВНИИПИ Заказ 3402/51 Тираж 625
Подписное
Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к технике
СВЧ и может быть использовано при построении интегральных устройств
СВЧ диапазона, 5
Цель изобретения — сокращение габаритов и уменьшение паразитных сВН зей.
На фиг. 1 показано устройство СВЧ, предстаВляющее собой двухкаскадный усилитель, на фиг. 2 — устройство
СВЧ. в виде модифицированной копланарной линии.
Устройство СВЧ содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой нанесена металлизация 2, а на другой. расположены волноведущая структура 3, вспомогательные элементы схемы 4 и установленная первым торцом диэлектрическая пластина 5, 20 на боковых поверхностях которой размещены элементы схемы 6, На втором торце диэлектрической пластины= 5 расположена волноведущая структура 7.
На фиг. 1 волноведущую структуру 7 образуют контактная площадка 8, кристаллы транзисторов 9, разделительный конденсатор 10 и соединительные проводники 11. К внешним цепям устройство СВЧ поднимается с помощью разъема 12.
На. фиг. 2 волноведущая структура
7 выполнена в виде отрезка линии передачи.
Устройство СВЧ работает следующим образом.
Сигнал СВЧ подводится к разъему и распространяется вдоль волноведущей структуры 7, которая образует, например, многокаскадный усилитель
СВЧ (фиг.1) или отрезок линии передачи (фиг.2).
Поле распространяющейся волны концентрируется н области второго торца диэлектрической пластины 5. Вспомогательные элементы схемы 4 и элементы схемы 6 размещаются вне поля распространяющейся волны.
Формула изобретения
Устройство СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесена металлизация, а на другой расположены одна часть волноведущей структуры, вспомогательные элементы схемы и установленная первым торцом диэлектрическая пластина, на боковых поверхностях которой размещены элементы схемы, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью сокращения габаритов и уменьшения паразитных связей, другая часть волноведущей структуры расположена на втором торце диэлектрической пластины.
