Расширитель наносекундных импульсов
Изобретение относится к устройствам запоминания максимального значения импульсного сигнала и может быть использовано для измерения максимального значения напряжения импульсов наносекундного диапазона длительностей . В исходном состоянии ток генератора 6 протекает через транзисторы (Т) 4 и 1. При подаче входн ого импульса Т 1 заряжает конденсатор 2 до максимального значения входного сигнала. Одновременно блок 8 управления формирует импульс большой длительности , по которому открывается Т 5 и закрЫЕгЗется Т 4. В результате ток генер- ::,а 6 на Т 1 не поступает и, протекая через транзистор 5, вызывает дополнит-.,;, ое смещение зммитерного перехода t ;0. . редложенное устройство позволь ir по сравнению с прототипом уменьшить погрешность коэффициента передачи по напряжению. 1 ил. (/
СбОЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
А1
„„SU„» 30736 (5Н 4 Н 03 К 5 01
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3961364/24-21 (22) 03.10.85 (46) 15.08.87. Бюл. Р 30 (72) С.В.Николин (53) 621.373 (088 ° 8) (56) Маграчев 3.В. Аналоговые измерительные преобразователи одиночных сигналов ° -М.:Энергия, 1974, с.16,85.
Приборы и техника эксперимента, 1983, Р 3, с.56-59, рис.2. (54) РАСШИРИТЕЛЬ НАНОСЕКУНДНЬ1Х
ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к устройствам запоминания максимального значения импульсного сигнала и может быть использовано для измерения максимального значения напряжения импульсов наносекундного диапазона длительностей. В исходном состоянии ток генератора 6 протекает через транзисторы (Т) 4 и 1. При подаче входйого импульса Т 1 заряжает конденсатор 2 до максимального значения входного сигнала. Одновременно блок 8 управления формирует импульс большой длительности, по которому открывается
Т 5 и закрывается Т 4. B результате ток генер,.= ...а 6 на Т 1 не поступает и, протекая через транзистор 5, вызывает дополнит.....1..-,ñ смещение эммитерного перехода t .О. редложенное устройство позвол» ."- л,: -равнению с про- с
Ю тотипом уменьшить погрешность коэффициента передачи по напряжению. 1ил.
1330736
>» . (!:.СН 33>! >i>!! i . JIE>II(>It 7 )е> ) .3>< )! ° > б (! э (if t,) (> 11)! >I <> ,.е; . . р, 1 >:1 < ПЕ >)30T О и;.,c>,!fð,t (. It<2)I<жИтЕ:! <,—.>0:, > i »,,
< Ой; « :i Г "<)1)t>I с . р;> I в". >е- .)< l(.1",и "! о б>. < 0 .; - « > 1(. т 0» i I > i <1,,,.Tj, Вв:) > "2/5С Тираж 901 Подписное ! ,! !<в.-..., пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4!!эобретеffIIE о I ". ", Il < «> 11 )пульсf1011 Гс. Хн)1!" (.,;1 it(1< lt!<,"-, (>ойСТвам ээпоминания и ll((им>гл) )(о! о >паче!!ия 1::>1,) 1 с!) >: 0 си(нала, и I!о;к< т быть 1)гп > 1>> <<>!3;3!f0 Д<1, 1 lfэм< f>< !Ill)T .)Iаксималь )! (>) и < IT(t >! 0 > Ift TT )11(в;) я>не)<11>! I I, III( Ii(00 < ). У IIEI,!IÎé ДЛ)(тЕ г! Ы(ОСт)! . !!0.11. иэ<2бретения — ; f(»T,EI(III!(norf>><1,T»(EE)I0»- а !),>;!а:)ii iin >О н а Л р 11. T: E . 11 f f I < ! 1;! < ртс<же предо та)3! I(на >ë ектри >! ) Ji(T . < И; 1!Д> lt E70!)J) :. )).(С>ДОМ >): го;>)(тол 1 3 на)1!»), ;С)>< я 1<:;> К7!<)<(а— т,а ))а в Tорoì I! трет! < м траif T)Ic I0ð7.; if >> < elle>(> !> 6 ток», 11<,, !(! . .!H! Ill Чс. (20 э Ij г.; < T; 1;) аlt 3!11 .Тор > Тс 1-; „)> (3(>1, (>1>кл «дке I:;! !I (: I I > <)(>а> . ор;:я <>б);падка котор(> 0 ."ое<,!(не)(а :. бг(,1 кп!ной 7 пита<и», >аз ) третье-;» . о Tp )<-. .1!Стора 5 сое>7;>!1 ))а >i(«pcs б>!0T( уп1, в 1< ))ия с входной )ш!н;>й Э, повit i < 7! H 1fI, >T>+< TIIf)t !. . T!l:.I; Н Сос— ; .",I1!.I:... >ср г(>м и ITс.т(,его тран. :TfC7i> "О(,Г!1,НГII С . гт (>, ) >)Ет— T)(;> r,>0<> 1f »эой пя го-; г, 3. 7)1«торов Л; 1 1, > лп(кт(>р)1: р i:; сс с; иIT. . I J eJ! f 11(>l! i! 3: и 1:. пита! "<:.j— : > (;1» В.:, T,>T о jTi> . >>« 1>«Се<(в)! .> j ()!3! > с .. .. 11 ° . Го (- .. Iа одl<,> .) < >< .II L!! < 1( в.; г .. <,01.;пру(< .T< (, !;;(бс j!1,— ,7!!.(с:.... г)1, по ко г, (>му открыl,) > .1 I Р :i ) э !< !! Iк!>!)1> <)тcTI ! .,I< (.: г )р . (2 э "!I 1 ) .е г,,!() е))рратора 6 тока отключается от эранэис тора 1 и, протекая через транзистор 2 вызывает дополнительное смещение эмиттерного перехода транзистора 10, В случае идентичности характеристик транзисторов 1 и 10 увеличение падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора 10 компенсирует г)ог)!.!!<)ение напряжения на конденсаторе 2 иэ-эа уменьшения падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора 1, так как токи смещения транзисторов 1 и 10 в исходном состоянии соответственно I, и (10-100) мкА, а в состоянии хранения входного напряжения соответственно (10-100) мкА и I„. Блок 8 может быть выполнен, например, на чувствительном одновибраторе. Формулаизобретения Расширитель наносекундных импульсов, содержащий первьп) транзистор„ эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора и входом повторителя напряжения, переключатель тока на втором и третьем транзисторах, генератор тока, подключенный через второй транзистор к первой обкладке конденсатора, вторая обкладка которого соединена с общей шиной, база третьего транзистора соединена (ерез блок управления с входной шиil;>!f о т и и ч а ю шийся тем, ". I î, с целью уменьшения погрешности ко 2<к<)>и))пента передачи по напряжению, и<н)торlfòåëü напряжения выполнен Hà четв(ртом и пятом транзисторах, а 1,07лектор третьего транзистора сое;и;нс.ll с эмиттером четвертог0 и базой Т1!! тогo транзисторов, коллекторы Кот< >ых соединены с положительной ши>!<>;! п)!тания, а эмиттер пятого подк-! i.» 0» через первый резистор к отри17)те(.ь)(ой шине питания, общая шина ::."E>eэ второй резистор соединена с <б;! )ой I)ropol n транзистора, база перо:о гранзистора подключена к вход)10lf TlItfTE а коллектcð — к положительfloif шине питания, база четвертого транзистора соединена с входом пов-орит(ля напряжения.
