Способ получения ферромагнитных пленок на твердотельных подложках

Авторы патента:

H01F41/14 - для нанесения магнитных пленок на подложки (покрытие металлов и материалы с металлами вообще C23C; изготовление носителей информации G11B 5/84)

Изобретение относится к электротехнике , в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок , и может быть использовано при Изобретение относится к технологии получениях тонких (Ri lOOO А) магнитных пленок (ТМИ) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в ЭВМ. Цель изобретения - расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Пример. Для получения магнитной пленки на основе железа подложку в виде плавленного кварца марки КИ, полированную с двух сторон, бомбардируют на ускорителе ИЛУ-3 ионами е с энергией кэВ, дозой 8 X 10 Fe VCM при плотности тока ионов создании регистрирующих сред для записи магнитной и магнитооптической информации. Целью изобретения является расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Изобретение позволяет формировать в твердотельной подложке на заданной глубине ферромагнитную пленку, которую можно использовать в широком частотном диапазоне при создании быстродействующих запоминающих устройств ЭВМ, приборов СЕЧ в планарных линиях: фазовращатели , СВЧ-ключи и т.д. Это достигается тем, что твердотельную подложку из кварца бомбардируют быстрыми ионами переходных элементов группы железа при плотностях ионного тока - ион/см с и дозах имплантации -Ю -10-1 О ион/см § (Л . с. Температура радиационного нагрева не превьплала 65 С. Методами ядерного гамма-резонанса, оптической спектроскопии было подтверждено образование ферромагнитной островковой пленки металлического oi- Fe. Данные ферромагнитного резонанса показали, что толщина частиц составляет окола 300-400 А, их диаметр 500-700 А, коэффициент заполнения по площади образца около 0,2. Вектор намагниченности лежит преимущественно в плоскости пленки. Из снятых петель гистерезиса на частоте 75 Гц вычислены величина коэрцитивной силы Э, намагниченность насьщения 1, 1,47-10 Гс-см /см и от00 4 00 со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1511 Н Ol F 41/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2 создании регистрирующих сред для записи магнитной и магнитооптической информации. Целью изобретения является расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Изобретение позволяет формировать в твердотельной подложке на заданной глубине ферромагнитную пленку, которую можно использовать в широком частотном диапазоне при создании быстродействующих запоминающих устройств ЭВМ, приборов

СВЧ в планарных линиях: фаэовращатели, СВЧ-ключи и т.д. Это достигается тем, что твердотельную подложку из кварца бомбардируют быстрыми ионами переходных элементов группы железа при плотностях ионного тока j =6 10вЂ”

9 10 ион/см с и дозах имплантации

0 =5 10 вЂ” 10 10 ион/см

<6 16 2

j 6 10 Fe /см . с. Температура радиационного нагрева не превышала 65 С.

Методами ядерного гамма-резонанса, оптической спектроскопии было подтверждено образование ферромагнитной островковой пленки металлического

Ы вЂ” Fe. Данные ферромагнитного pesoнанса показали, что толщина частиц составляет околс 300-400 1, их диаметр 500-700 А, коэффициент заполнения по площади образца около 0,2.

Вектор намагниченности лежит преимущественно в плоскости пленки. Иэ снятых петель гистереэиса на частоте 75 Гц вычислены величина коэрцитивной силы Н =60 Э, намагниченность на3 сьпцения I =1,47 10 Гс см /см и отГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4021842/24-07 (22) 06.02.86 (46) 15 ° 09.89. Бюл. 89 34 (71) Казанский физико-технический институт Казанского филиала АН СССР (72) А.В ° Казаков, А.А.Бухараев, И.Б,Хайбуллин и Н.P.ßôàåâ (53) 62!.318(088.8) (56) Праттон М. Тонкие ферромагнитные пленки. Л,. "Судостроение", 1967. с. 11-27 °

Авторское свидетельство СССР

1l 1114246, кл. Н 01 L 21/265, !982. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНЫХ

ПЛЕНОК HA ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ (57) Изобретение относится к электротехнике, в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок, и может быть использовано при

Изобретение относится к технологии

0 получениях тонких (1000 А) магнитных пленок (TMII) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в

ЭВМ.

Цель изобретения вЂ” расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки.

Пример. Для получения магнитной пленки на основе железа подложку в виде плавленного кварца марки КИ, полированную с двух сторон, бомбардируют на ускорителе ИЛУ-3 ионами 6Ре с энергией E=40 кэВ, дозой 8

x10 Fe /см при плотности тока ионов

16 +

ÄÄSUÄÄ 1347789 А1

1 347789!

Формула изобретения

Рад«кто» II.Тимонина Техред Л.Сердюкова Корректор М.Пожо

Злк<>э 6799 Тираж 694 Подписное

ВН!сударстненного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5!

1р. и >вол< 1 «2HHQ издательский комбинат "Патент", r.Ó>l<ãîðîä, ул. Гагарина, 101

«>пи «>«: < с.;I «>ч>?ой нлмлгнпче><>«сти к

Il > и<) I "I> >11< < I I > << > <> Ти IIrlCbIIII< нля 1 ) / 1 г = .I

=-О, 2?>, II< лv«< IIHëll пленка злщип! Ilл слоем II«;»«I< IIIII>l кнлрцл толщиной о

100 >. В к;>честве материала подложки «ыбрлн квлрц. Кнлрц вЂ” немагнитный и;> òå ð><лл, ч Т<> является необходимым

r»el <>«;I>I>le«I к подложклм для ТФП. его корро.>I?«>отl и износостойкость обеспечивлвт вь>сохне эксплултлционные хлрлктери< тl;ки. Было экспериментально уст «II<> «:I< н<, что при имплантации квлрцс вой .к> IJIo>I

>л емеll то и удается создать тонкую ферр< ? I;I I »II I Ilyl<> пленку (ТФП) .

Был<> ус тлновлено также, что при

<6 дозлх импллнтации меныпе D=5 1О ион/смэО

TII не <>брлзуется, так как в этом случлс размер пр IIHBHTBToB металла меньше критического размера однодоме«но<:тп и частицы являются суперпарлмлгнитными но всем частотном диапа- 35 зоне . I!o.> тому минимальная доз а им<6 2 плантации выбрана равной D=5" I O ион/см .

При дальнейшем увеличении дозы происходит увеличение размеров частиц метлллл и формирование ТФП. Однако при 30

l6 дозлх более 10 10 ион/см существенным ст<п<овится явление распыления защитного поверхностного слоя подложки, приводящее к тому,что часть преципитатов металла выходит на поверхность.

3то ухудшает химическую стойкость пле«<к». Поэтому верхней граничной дозой имплантации выбрана D=IО«

<6 2

«10 ио«/< м!

1?I<)TH<)< токл J H ионном пучке при заданной дозе определяет время облучения и температуру подложки при ее радиационном нагреве. В процессе такого нагрева образующиеся микрочастицы металла могут окисляться, что будет препятствовать формированию

ТФП. В связи с этим была выбрана мак з z симальная величина j=9 10 ион/см-с > при которой температура образца не

<> превьппает 100 С. Ионная бомбардировка с малой плотностью ионного тока практически не сказывается на магнитных характеристиках ТФП. Однако при этом для достижения необходимой дозы необоснованно унеличинается время облучения, поэтому ани.:ать велиlz 2 чину j меньше 6 I O иои/см ° с нецелесообразно.

Таким образом, данный способ позволяет получать ферромагнитную пленку, защищенную от внешних воздействий, которую можно использовать н широком частотном диапазоне.

Способ получения ферромагнитной пленки на твердотельных подложках путем бомбардировки быстрыми ионами переходных элементов группы железа, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона ферромагнитной пленки, в качестве подложки используют кварц и облучают ее при плотностях ионного тока 6 х

>« z <6

АЙ!О -9 0 ион/см ° с и дозах 5 10вЂ”

1О 10 ион/см

Способ получения ферромагнитных пленок на твердотельных подложках

Способ изменения и стабилизации магнитных характеристик тонких магнитных пленок // 475670

Водная суспензия для изготовления магнитныхпленок // 198465

Патент 189952 // 189952

Способ изготовления сверхпроводящих обмоток (варианты) // 2254633

Изобретение относится к области прикладной сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении механически нагруженных сверхпроводящих обмоток с напряжением проводника больше 100 МПа при работе, а также сверхпроводящих обмоток и устройств, работающих в переменных режимах, например сверхпроводящих магнитов для ускорителей заряженных частиц и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии

Способ формирования проводящего слоя с помощью установки распыления материала // 2289224

Изобретение относится к способу формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала

Способ изготовления магнитных пленок // 2060567

Способ получения ориентированных монокристаллических пленок магнитных материалов // 2068026

Изобретение относится к области выращивания монокристаллических пленок

Способ получения магнитной ленты // 1416495

Изобретение относится к технологии получения ленточных носителеймагнитной записи, Изобретение обеспечивает повьшение качества магнитной ленты, заключающееся в увеличении нагрузки, соответствующей пределу текучестн, уменьшении относительного удлинения под нагрузкой 2Н и остаточного удлинения после снятия нагрузки , за счет того, что получают магнитную ленту отливом пленочной полиэтилентерефталатной основы, двухосной ориентацией, термофиксацией и термообработкой под натяжением 10 - 30 Н/мм при 4-8-кратном удлинении на 20-40%

Тонкопленочный магнитный материал // 1601644

Изобретение относится к тонкопленочным магнитным материалам на основе органических соединений, предназначенных для элементов функциональной электроники

Иcпаряющийся материал и способ его изготовления // 2490367

Изобретение относится к испаряющемуся материалу и способу его получения, который может быть использован при изготовлении магнитов с повышенной коэрцитивной силой

Способ получения тонкопленочных полимерных нанокомпозиций для сверхплотной магнитной записи информации // 2520239

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH4OH) или гидразин-гидрата (N2H4·H2O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Способ выращивания монокристаллической пленки febo3 на диамагнитной подложке // 2616668

Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73. После этого тигель с раствором-расплавом помещают в ростовую печь, нагревают до 900-950°С и выдерживают с перемешиванием при этой температуре в течение суток. Затем температуру быстро снижают до 820-830°С, опускают в раствор-расплав закрепленный на кристаллодержателе диамагнитный кристалл GaBO3 и выдерживают в течение 0,5-3 часа с перемешиванием. Затем температуру медленно понижают со скоростью 3-40°С/ч до 800°С и извлекают кристаллодержатель из печи. Изобретение позволяет получать монокристаллическую пленку FeBO3 на диамагнитной подложке GaBO3. 3 ил., 3 пр.