Устройство для плазмохимического удаления фоторезистора, содержащее расположенный вертикально цилиндрический реактор из диэлектрика, в верхней части которого расположен патрубок напуска газа, индукционную катушку, охватывающую реактор и соединенную с ВЧ-генератором, подложкодержатель для размещения обрабатываемых пластин, установленный под открытым нижним торцом реактора перпендикулярно его оси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения обработки подложек различного типоразмера без переналадки устройства при его использовании в гибком автоматизированном производстве, оно снабжено установленным на нижнем торце реактора параллельно подложкодержателю фланцем из диэлектрика, диаметр которого равен или больше диаметра подложкодержателя, расстояние l от подложкодержателя до индукционной катушки связано с диаметром Dр реактора соотношением 2,1 Dр<l<6,3 Dр, а расстояние h (мм) от подложкодержателя до фланца лежит в пределах следующего соотношения; 
где Dп - диаметр подложкодержателя, м; S - скорость прокачки газа через реактор, м3/с.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса
Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения
Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)
Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров
Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
