Аппарат для контактирования газов и жидкостей

 

№ )46729

Kzacc )2g 4„

12к ) о1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

11одписная группа Лв 44

В. Г. Айнштейн и Н, И. Гельперин

АППАРАТ ДЛЯ КОНТАКТИРОВАНИЯ ГАЗОВ И ЖИДКОСТЕЙ

С ЗЕРНИСТЫМ МАТЕРИАЛОМ В ПОЛЕ ЦЕНТРОБЕЖНЫХ СИЛ

Заявлено 22 марта 1961 r. за Хе 722584/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ЛЪ 9 за 1962 г.

Основное авт. св. Л 131683 от 22 октября 1959 г., выданное на имя тех >кс лип и А. И. Радько

Аппараты для создания кипящего слоя в поле сил тяжести известны.

В основном авт. св. М 131683 описан аппарат с кипящим слоем в поле центробежных сил, При этом центробежное поле создается за счет вращения ротора (газораспределительного устройства).

Предлагается вращающийся аппарат для процессов в кипящем слое в поле центробежных сил, создаваемых за счет лопастной или другой системы перемешивания, причем газораспределительное устройство в отличие от такого же устройства в аппарате, описанном в авт. св.

М 131683, выполнено неподвижным.

Такой аппарат обеспечивает более простую систему ввода и вывода из слоя твердой фазы, так как газораспределительное устройство в нем неподвижно. Вращение системы персмешивания совместно с кипящим слоем позволяет увеличить производительность по сравнению с кипящим слоем в поле сил тяжести.

Л. .а фиг. 1 и 2 представлены два варианта исполнения предлагаемого аппарата. Центробежное поле создается в аппарате с неподвижным газораспределительным устройством за счет вращения спсц1ального перемешивающсго устройства 1, состоящего из прямых или изогнутых:Ioпастей и расположенного соосно с цилиндрическим газораспределительным устройством 2. Лопасти перемешивающего устройства укреплены на валу >, выводимом из аппарата через сальник 4.При пуске аппарата в кожух 5 подается газ сначала в количестве, необходимом для псевдоожи>кения невращающегося слоя. Затем приводится во вращение система перемешивания и одновременно начинают увеличивать расход газа до величины рабочей производительности. Поскольку слой сыпучего ма¹ 146729 териала б псевдоожижен, то энергия на вращение системы перемешинания сравнительно невелика (вязкость кипящего слоя обычно колеблется в пределах 3 — 20 сантипуаз).

Псевдоо>кижение возможно вести газами и жидкостями; аппарат может быть выполнен горизонтальным, вертикальным и наклонным; работа может осуществляться с циркуляцией твердого материала через слой и без sec.

Предмет изобретения

Аппарат для контактирования газов и жидкостей с зернистым материалом в поле центробежных сил, зависимое от авт. св. 1¹ 131683, о тл ич а и щий с я тем, что газораспределительное устройство выполнено неподвижным, а внутри аппарата расположена лопастная (или другая) система перемешивания с выводом вала через уплотнягошее устройство, созда!ощая центробежное поле.

Вход газа (жиакоса>о)

5 2

Вход газа (rxudr

Фиг 2

Фиг 1

С»ст!! 151! Т< лп С. В. Кокорев

Редактор С. А Барсуков Texpe,.< А. A. Камышникова Корректор П. А. Евдокимов

Подп. к пеи. 24Х-62 г. ормат бум. 70 ;,108>/!6 Объем 0,18 изд. л.

Зак. 5471 Тираж 650 Цена 4 кои.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий ири Сонете Министров СССР

Москва Центр, М, Черкасский иер.,;и 2/6.

Типография Г1БТИ, Москва, Петровка, !4

Аппарат для контактирования газов и жидкостей Аппарат для контактирования газов и жидкостей 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способу изготовления нагревательных терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Изобретение относится к области электроники, более конкретно к пироэлектрическим материалам для неохлаждаемых приемников инфракрасного излучения диапазона 8-14 мкм

Изобретение относится к низкотемпературным стеклокерамическим материалам и может быть использовано в электронной технике СВЧ
Наверх