Способ получения слоев диоксида кремния

Авторы патента:

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH₄ кислородом O₂ в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см^-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения качества слоев путем уменьшения их пористости, процесс ведут в присутствии добавок газообразного аммиака NH₃ при соотношении NH₃/SiH₄ = 0,05 - 1, давлении в реакторе 0,3 - 3 мм рт.ст. в температурном диапазоне 70 - 300^oC и соотношении O₂/SiH₄ = 1 - 5.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий // 1384112

Способ создания тонких слоев оксида кремния // 1371456

Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем // 1356895

Способ изготовления подзатворного диэлектрика моп-приборов // 1345967

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов // 1316501

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния // 1299397

Способ создания подзатворного диэлектрика // 1282767

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния // 1246818

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика // 1233731

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения защитных пленок // 2176421

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Способ химической обработки пластин кремния // 2228563

Пленка гидрированного кремний-оксикарбида (sico:h) и способ ее получения // 2264675

Способ создания диэлектрического слоя // 2274926

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи