Транзисторный ключ

 

Изобретение относится к области электротехники и направлено на оптимизацию режима работы транзисторного ключа в схеме выходного каскада строчной развертки. С целью повьпвения быстродействия и стабильности периода следования выходных импульсов используется цепь отрицательной обратной связи с коллектора ключевого ,транзистора в цепь управления открывающим током. Причем цепь обратной связи выполнена в виде пикового детектора напряжения открытого ключа . 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (so 4 Н 03 К 17/60

OIlHCAHHE ИЭОБРЕТЕИИ " ;i

ЕА

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с

Щ (2,1) 4 113693/24-21 (22) 02.06.86 (46) 23.06.88. Бюл. N- 23 (72) В.Е.Прокопенко (53) 621.382 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В !039033, кл. Н 03 К 17/60, 1983.

Патент США В 4375074, кл. 361/91, Н 02 Н 9/04, 1983. (54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ (57) Изобретение относится к области электротехники и направлено на опти„„SU„„1405113 А 1 миэацию режима работы транзисторного ключа в схеме выходного каскада строчной развертки. С целью повышения быстродействия и стабильности периода следования выходных импульсов используется цепь отрицательной обратной связи с коллектора ключево" го,транзистора в цепь управления открывающим током. Причем цепь обратной связи выполнена в виде пикового детектора напряжения открытого ключа. 1 ил.

1405113

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в генераторах строчной развертки телевизионных приемников.

Цел b из об ре тения — повышение быстро5 действия и стабильности периода следования выходных импульсов. (На чертеже приведена принципиальная электрическая схема ключа.

Транзисторный ключ содержит сило, вой транзистор 1 включенный по схеУ ме с общим эмиттером к источнику 2 питания через индуктивную нагрузку 3, управляемый генератор 4 запирающего тока, выполненный на транзисторе 5 и резисторе 6 и включенный между ба" зой силового транзистора 1 и шиной

"Минус" источника 7 напряжения смещения, генератор 8 разнополярных им пульсов, который через управляющий транзистор 9 включающего тока сое1 динен с базой силового транзистора

1, диодный пиковый детектор 10 с одним выходом 11 и тремя входами 12(14.

Диодный пиковый детектор 10(блок управления насыщением силового транзистора) содержит элемент памяти, со( стоящий из параллельно соединенных (30 конденсатора 15 и резистора 16 утеч"

1 ки, диода 17 пикового детектора, коммутирующего диода 18, коммутирующего транзистора 19, первого 20 и вто( рого 21 резисторов. При этом выход элемента памяти на конденсаторе 15 и 35 резисторе 16 и катод диода 17 соединены с базой управляющего транзистора

9, анод диода 17 через коммутирующий транзистор 19 и первый резистор 20 соединен с базой силового транзистора 1, через коммутирующий диод 18— с коллектором силового транзистора

1 и через второй резистор 21 — с шиной питания "Плюс".

Для коррекции амплитуды и формы . выходных импульсов транзисторный ключ может быть шунтирован блоком

22 коррекции, который содержит обратный диод 23, конденсатор 24 и последовательный LС-контур 25, 26. 50

Устройство работает следующим образом.

При формировании на выходе генера тора 8 прямоугольного импульса напряжения отрицательной полярности 55 включается управляемый генератор 4, который запирает по базе силовой транзистор 1 отрицательным напряжением смещения. Это напряжение одновременно поступает на первый вход

12 диодного пикового детектора 10 и открывает коммутирующий транзистор

19. При этом происходит коммутация анода диода 17 к общей шине. В коллекторной цепи силового транзистора 1 происходит формирование импульса, который по амплитуде в несколько раз пре вышает напряжение питания. Высоковольтный импульс образуется в результате разрядки индуктивной нагрузки на элементы блока 22 коррекции. При формировании высоковольтного импульса коммутирующий диод 18 запирается.

После смены отрицательной полярности напряжения на выходе генератора 8 на положительную происходит отпирание силового транзистора 1 за счет включения управляющего транзистора 9 и выключения транзистора 5.

Положительное напряжение базы силового транзистора 1 подается на первый вход 12 диодного пикового детектора 10.

Это напряжение вызывает запирание коммутирующего транзистора 19. В связи с тем, что напряжение на коллекторе силового транзистора 1 приблизительно равно напряжению насыщения, на аноде коммутирующего диода

17 напряжение увеличивается на величину прямого падения напряжения на коммутирующем диоде 18, который открыт током через второй резистор

21. На этапе включенного состояния силового транзистора 1 происходит формирование линейно нарастающего тока в индуктивной нагрузке 3. При увеличении амплитуды этого тока происходит увеличение напряжения на переходе коллектор — эмиттер силового транзистора 1 в связи с тем, что величина тока базы стабилизирована с помощью напряжения, поступающего с выхода 11 диодного пикового детектора 10 на вход управляющего транзистора 9. Конденсатор 15 в течение времени формирования импульса тока в индуктивной нагрузке 3 почти не изменяет свой заряд.

На этапе окончания действия отпирающего импульса напряжения положительной полярности на выходе генератора 8 напряжение на коллекторе силового транзистора 1 достигает такой же величины, как и напряжение на конденсаторе 15. На этом этапе открывается диод 17, и конденсатор 15 до15

Формула и 3 о б р е т р н и я 0

Транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, у которого между базой и эмиттером последовательно включены управляемый генератор запирающего тока и источник напряжения смещения, между выходом

35 з 14051 заряжается до установившегося значения напряжения, которое определяется значением тока базы силового транзистора 1 в следующий период следования импульса тока.

После смены полярности импульса напряжения на выходе генератора 8 включается генератор 4 запирающего тока, который вызывает запирание силового транзистора i. Отрицательное напряжение, поступающее на первый вход 12 диодного пикового детектора, включает коммутирующий транзистор 19, который коммутирует на общую шину анод диода 17.

Далее процессы в схеме повторяются.

Введение в устройство следящей системы за напряжением на силовом транзисторе 1 в виде диодного пикового детектора 10 позволяет повысить быстродействие транзисторного ключа и стабилизировать период следования выходных импульсов за счет стабилиза- 25 ции рабочей точки силового транзистора на конечном этапе увеличения тока в индуктивной, нагрузке.

13

4 генератора разнополярных импульсов и базой силового транзистора включен управляющий транзистор включающего тока, у которого база подключена к выходу блока управления насыщением силового транзистора, база управляемого генератора запирающего тока соединена с выходом генератора разнополярных импульсов, при этом первый вход блока управления насыщением силового транзистора соединен с его коллектором, второй вход — с базой, а третий вход — с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и стабильности периода следования импульсов, блок управления насыщением,силового транзистора выполнен в виде диодного пикового детектора, у которого элемент памяти представляет собой параллельную RC-цепь, подключенную выходом к базе управляющего транзистора включающего тока и к катоду диода пикового детектора, анод диода диодного пикового детектора соединен с тремя его входами, при этом первый вход соединен через коммутирующий диод с коллектором силового транзистора, второй вход соединен через коммутирующий транзистор и первый резистор, который включен с ним последовательно в цепи эмиттера, с базой силового транзистора, третий вход соединен через второй резистор с шиной питания, база коммутирующего транзистора соединена с общей шиной.

1405113

Составитель А.Бомко

Техред A.Kðàâ÷óê

Редактор Н.Гунько

Корректор И.Муска

Тираж 928 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3110/56

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4