Способ изготовления оригинала оптической сигналограммы
Изобретение относится к накоплению информации. Для улучшения свето- ,энергетических х-к оригинала оптической сигналограммы на дисковую основу I с напыленной металлической пленкой 2 дополнительно напыляют пленку 3 из Си или CuClj , или СггВгг , или Cul, или С1)д5, или , или толщиной 1-5 нм. Затем наносится слой 4 полупроводникового халькогенида,часть приповерхностной зоны вступает в химическое взаимодействие с материалом дополнительной пленки 3, Образуемый при.этом слой продуктов взаимодейст ВИЯ обеспечивает эффективное протекание фотореакционной диффузии при воздействии на оригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения, 4 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (50 4 G 11 В 7/26
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
И ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) 1153354 (21) 4074663/24-10 (22) 03,06,86 (46} 23.09.88. Бюл. Ф 35 (72) 10,К.Бакулин, M.Т.Костьппин, С.А.Костюкевич и П.Е.Шепелявый (53) 681.84.001.2 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР .:
В 1153354, кл. 0 11 В 7/26, 1983, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОРИГИНАЛА
ОПТИЧЕСКОЙ СИГНАЛОГРАМИЫ (57) Изобретение относится к накоплению информации. Для улучшения свето-! знергетических х-к оригинала оптической сигналограммы на дисковую основу
„„SU„„1425777 А 2
I с напыленной металлической пленкой
2 дополнительно напыпяют пленку 3 из
Си или СиС1< или СиВг, или CuI или C S, или Cu Se, или Си Те толщиной 1-5 нм. Затем наносится слой 4 полупроводникового халькогенида,часть приповерхностной зоны вступает в химическое взаимодействие с материалом дополнительной пленки 3. Образуемый при этом слой продуктов взаимодейст"-. вия обеспечивает эффективное протекание фотореакционной диффузии при воздействии на оригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения, 4 ил.
1425777
Часть приповерхностной эоны слоя полупроводникового халькогенида 4 вступает в химическое взаимодействие с материалом дополнительной пленки 3, образуя слой .5 продуктов взаимодействия, обладающий высокой степенью дисперсности и обеспечивающий условия для эффективного протекания фотореакционной диффузии при воздействии на оригинал сигналограммы сфокусированного лазерного излучения при записи сигналограммы. Слой 5 продуктов взаимодействия уменьшает индукционный период в кинетике фотореакционной диффузии и тем самым повышает светоэнергетическую чувствительность оригинала сигналограммы. На фиг. 2 представлено семейство кинетических кривых изменения пропускания ьТ оригинала оптической сигналограммы от времени t облучения лазерным излучением в зависимости от толщины дополнительного слоя из меди (Сц). Очевидно, что оптимальная толщина дополнительной пленки меди 2 нм, Максимальная светоэнергетическая чувствительность И оригинала сигналограммы достигается при толщине Й,„ . дополнительной пленки меди 2 нм (фиг.3).
Семейство кинетических кривых изменения пропускания от времени облучения d Т в зависимости от материала дополнительной пленки представлено на фиг.4.
Толщина дополнительной пленки для различных материалов пленки выбрана оптимальной.
Формула и з о б р е т е н и я
Способ Hзгoтoвления оптической сигналограммы по авт.св.
У 1153354, отличающийся тем, что, с целью улучшения светоэнер" гетических характеристик оригинала оптической сигналограммы, перед нанесением полупроводникового халъкогенидного слоя на металлическую плен" ку в вакууме напыляют дополнительную пленку из Сц, или СпС1>, или СпВг или CuI, или Сц>Н, или Сп Яе, CuäТе толщиной 1-5 нм, Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам изготовления оригинала оптической сигналограммы, и является усовершенствованием изобретения по авт.св.
В 1153354, Известен способ, заключающийся
9 последовательном нанесении на дис ковую основу металлической пленки и 1О
Полупроводникового халькогенидного слоя, на границе раздела которых осуществляют взаимную фотостимулироВанную диффузию лазерным лучом, а атем проводят селективное травле- 15 ие Г13 °
Цель изобретения — улучшение све1
1гознергетических характеристик ориинала оптической сигналограммы.
На фиг.! представлены -этапы изго- 20 товления оригинала оптической сигнаМограммы; на фиг. 2 — семейство кийетических кривых изменения пропусания оригинала сигналограммы; на
1 иг. 3 — зависимость роста светоэнер-25
1етической чувствительности оригина а сигналограммы от толщины слоя и ,еди (Cu); на фиг, 4 — семейство ки-! етических кривьж изменения пропускаия оригинала сигналограммы от време- 30 облучения в зависимости от вещеста.дополнительного слоя. .! Оригинал оптической сигналограм ы, изготовленный предлагаемям спообом, содержит дисковую основу 1 фиг.1), металлическую пленку 2, ополнительную пленку 3, полупроводниковый халькогенидный слой 4 и слой продуктов взаимодействия.
Оригинал оптической сигналограммы 40
Йзготовляют следующим образом.
На дисковую основу 1 (фиг.1) в вакууме при остаточном давлении
2 10 Па термическим испарением наПыляют металлическую пленку 2, напри- 45 мер серебряную, толщиной 20-100 нм, Затем в том же цикле испарения напыляют дополнительную пленку 3 из Си или СпС1, eon CuBr<, или Сп?, или u S или Cu 5 нм, после чего без разгерметизации вакуумной системы напылением Наносят слой полупроводникового халькогенида 4, например, Asz H>, As S> толщиной 110 — 120 нм. 55! 425777 1425777 2 . 3 Фее. 4 Составитель С,Ильчук Техред Л.Сердюкова Редактор М.Бланар Корректор З,Лончакова « «« Тираж 590 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 4779/52 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул ..Проектная, 4
