Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия

Авторы патента:

H01L21/223 - диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670^oС соответственно в течение времени, определяемого из формулы где N_x - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат см^-3; N_n - концентрация водорода на поверхности образца, ат см^-3; D_н - коэффициент диффузии водорода при используемой температуре обработки; t - время обработки, с, с последующим охлаждением со скоростью 1 - 50 град/с до температуры 100^oС.

2. Способ по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения локальности пассивации, на поверхности кремния или арсенида галлия размещают шаблон, форма которого соответствует форме подлежащих пассивации областей, выполненный из материала, аккумулирующего водород.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых тензочувствительных датчиков физических величин повышенной точности

Устройство для диффузии и окисления подложек // 646705

Патент 232390 // 232390

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ получения омического контакта // 1533567

Изобретение относится к электронной технике, в частности к приборам, изготавливаемым на основе эпитаксиальных структур кремния, и может быть использовано в приборах, работающих на сверхвысоких частотах

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов // 1634050

Способ диффузии бора для формирования р-области // 2524151

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по длине лодочек. В способе диффузии бора процесс проводят с применением газообразного источника - диборана (В2Н6) при температуре 960°С и времени 35 минут на этапе загонки, при следующем соотношении компонентов: азот N2=240 л/ч, кислород O2=120 л/ч и водород Н2=7,5 л/ч, а на этапе разгонки при температуре 1100°С и времени разгонки - 2 часа. Поверхностное сопротивление равно Rs=155±5 Ом/см.