Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин

 

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO₂ в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 T_пл до T_пл, где T_пл - температура плавления полупроводниковой пластины.