Ячейка памяти

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и можег быть использовано для построения злектроннр-вычислительных машин. Целью изобретения является повьш1ение информационной плотности ячейки памяти. Поставленная цель достигается тем, что ячейка памяти содержит первый и второй источники напряжения, первый и второй ключевые элементы соответственно на р-канальном и п-канальном транзисторах , первый и второй нагрузочные элементы на резисторах, накопительный элемент на конденсаторе. При состоянии ячейки памяти, равном лог. О, напряжение на конденсаторе равно нулю , при состояниях лог.1 и лог.2 напряжение на конденсаторе равно соответственно +5 В и -5 В. 2 ил. о (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (1!) (594 G 11 С 11 40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР по делАм изОБРетений и oTHpbITHA

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4182441/24-24 (22) 25. 11.86 (46) 15.11.88. Бюл. 9 42 (75) А.Н.Кушниренко (53) 681.327.66(088.8) (56) Дроздов Е.А., Комарницкий В.А., Пятибратов А.П. Электронные вычислительные машины единой системы. М.:

Машиностроение, 1981, с ° 648.

Соколов Т;Н., Васильев Ф.А. Ферритовые логические элементы и узлы информационных систем. Л.: Лениградская военная инженерная академия им. Можайского, 1970, с. 205-207. (54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и можег быть использовано для построения электронно-вычислительных машин. Целью изобретения является повышение информационной плотности ячейки памяти. Поставленная цель достигается тем, что ячейка памяти содержит первый и второй источники напряжения, первый и второй ключевые элементы соответственно на р-канальном и п-канальном транзисторах, первый и второй нагрузочные элементы на резисторах, накопительный элемент на конденсаторе. При состоянии ячейки памяти, равном "лог. "0", напряжение на конденсаторе равно нулю, при состояниях "лог ° 1" и "лог.2" напряжение на конденсаторе равно соответственно +5 В и -5 В. 2 ил.

1437919

Составитель Б. Венков

Техред М. Ходанич КорректоР Э.Лончакова

Редактор M. Áàíäóðà

Заказ 5900/52

Тираж 590

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул. Проектная, 4

Накопитель для постоянного запоминающего устройства // 1436735

Изобретение относится к постоянным запоминающим устройствам, в частности к накопителям на основе МДП-структур

Способ считывания информации в мноп-элементе памяти // 1434499

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке репрограммируемых постоянных запоминагацих устройств

Способ считывания информации в мноп-элементе памяти // 1434499

Устройство для регенерации динамической памяти // 1434497

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для регенерации динамической памяти ЭВМ

Устройство для управления регенерацией информации в блоках памяти // 1434496

Оперативное запоминающее устройство // 1429167

Изобретение относится к вычислительной технике, Б частности к устройствам памяти на полупроводниковых приборах

Дешифратор для запоминающего устройства с резервированием // 1429166

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для использования в БИС запоминающих устройств

Оперативное запоминающее устройство // 1425782

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к интегральным полупроводниковым запоминающим устройствам

Способ управления переключающим устройством // 1424055

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Накопитель запоминающего устройства // 2106022

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Цепь усиления напряжения для использования в полупроводниковом запоминающем устройстве // 2138085

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Динамическая ячейка памяти // 2147772

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Способ регенерации для динамических запоминающих устройств с произвольным доступом // 2163035

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Устройство полупроводниковой памяти для достижения высокой производительности и способ расположения в нем сигнальных шин // 2170955

Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти

Генератор накачки с изменяемым числом ступеней // 2172525

Изобретение относится к электронной технике

Запоминающая ячейка статического зупв // 2188465

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Схемное устройство с некоторым числом электронных схемных компонентов // 2189082

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние