Способ записи информации на аморфный полупроводниковый носитель

 

Изобретение относится к способам записи информации в элементах памяти на аморфных полупроводниках, которые используются в вычислительной технике в качестве активных сред запоминающих: устройств. Цель изобретения - ускорение записи информации; Запись информации осуществляют при напряжении на аморфном полупроводнике , превышающем пороговое. Для этого на аморфный полупроводник подают .управляющее напряжение Vyотрицательной полярности, затем рабочее напряжение VP противоположной полярности, превышающее пороговое Vf,, но такое, что оно в сумме с управляющим не приводит к изменению сопротивления аморфного полу1 роводника R, т.е. суммарное напряжение V Vr,. В момент записи информации управляющее напряжение V снимаю.т. На фиг.1 и 2 приведены временные диаграммы напряжений по известному и предложенному способам соответственно ( i момент подачи С,- момент подачи сигнала на пемомент начала измеУ .. реключение t.нения сопротивления аморфного полупроводника , момент полного переключения ). 2 ил. (Л

. СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 G 11 С 11/34

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

flQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4018269/24-24 (22) 05.02.86 (46) 23.01 89 Бюл. Ф 3 (75) С;Д.Савранский

: (53) 681.327.66(088;8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 375685, кл. Н 01 В 3/08, 1973.

Авторское свидетельство СССР

В 1112925, кл. G 11 С 11/34, 1984. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА

АМОРФНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ НОСИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к способам записи информации в элементах памяти на аморфных полупроводниках, которые используются в вычислительной технике в качестве активных сред запоминаюпрюх: устройств. Цель изобретения — ускорение записи информации;

Запись информации осуществляют при

ÄÄSUÄÄ 1453446 A1 напряжении на аморфном полущюводни- ке, превышающем пороговое. Для этого на аморфный полупроводник подают .управляющее напряжение Чуотрицательной полярности, затем рабочее напря.жение Ч противоположной полярности, превышающее пороговое V но такое, что оно в сумме с управляющим не приводит к изменению сопротивления аморфного полупроводника К, т.е. суммарное напряжение V (U В момент записи информации управляющее напряжение Ч снимают. На фнг.1 и 2 приведены временные диаграммы напряжений по из« вестному и предложенному способам соответственно (н момент подачи а

V ; „- момент подачи сигнала на переключение; à — момент начала изменения сопротивления аморфного полупроводника, на- момент пенного пере- С ключения). 2 ил.

1453446

Изобретение относится к способам записи информации в элементах памяти на аморфных полупроводниках, которые используются в вычислитель.ной технике в качестве активных сред

5 запоминающих устройств.

Цель изобретения — ускорение процесса записи информации.

На фиг.1 и 2 приведены временные диаграммы напряжений на управляющих и записывающих электродах, а также сопротивления аморфного полупроводника при записи информации по известному и предлагаемому способам. f5

На чертежах приняты следующие обозначения: .V - управляющее напря:, жение; V пороговое напряжение, аморфного полупроводника; V р — pa6o1 чее напряжение; R — сопротивление 2р

1 аморфного полупроводника V — сумУ, .маркое напряжение на аморфном полу,проводнике; — момент времени подачи управляющего напряжения; ".1—

; момент подачи сигнала на переключе- 25 ние, 7 момент начала изменения со,противления аморфного полупроводника; 7 — момент окончательного переключения.

Запись информации осуществляют З0 следующим образом, На управляющие электроды прикладывают напряжение V, а затем .на запиу1

: сыв ающие элек тр оды прикладывают

V р > U> противоположной полярности с U>, Причем V u V выбираются таки35 у ми, чтобы напряжение на аморфном по-. лупроводнике Ч = V р + Чу было меньше Vz, необходимого для записи информации. Затем, быстро снимая V, . 0 уй производят запись информации.

При записи информации согласно прототипу оба напряжения V и V имеP ют одинаковую полярность. В момент времени i на управляющие электроды подают напряжение Ч . При этом суммарное напряжение Ч возрастает и в момент времени превышает пороговое, что вызывает умейьшение сопротивления аморфного полупроводника. Процесс записи информации заканчивается в мо-.

50 мент времени з, когда сопротивление аморфного полупроводника достигает минимальной величины. Время записи информации равно сумме вре3dn 55 мени нарастания V до V „ и изменения R, т.е. О = i — i„ (фиг.1).

При записи информации согласно предложенному способу напряжения

Vy u V P имеют различную полярность.

В момент времени 2, V „ снимают. IIpH этом Ч скачкообразно изменяется и

X становится равным Ч„, превышающим

V„, Создающееся перенапряжение ускоряет процесс изменения сопротивления аморфного полупроводника. Время запил си „„, равное времени изменения сопротивления аморфного полупроводника (—,) меньше, чем в случае пеи реключения согласно известному способу, за счет уменьшения времени нарастания Ч и уменьшения времени изменения сопротивления аморфного полупроводника °

Хранение информации может осуществляться при отсутствии внешних напряжений. Стирание информации производится подачей на записывающие элект-. роды напряжения, превышающего Ч„ и имеющего противоположную полярность по отношению к V, при котором производится запись информации.

Предлагаемый способ использован для записи информации в элементы

IIIIMHTN С аМОРфНЫМ ПОЛУПРОВОДНИКОМ

Pb-Ñå-Те, у которого при зазоре между записывающими электродами б мкм и

Vä= б8 В, время записи „= 2-2,7 мкс.

При исследуемых V -: 80-150 В время записи уменьшается как л„-а. ехр(- (V — Ч )/V ) зц а San .. P . и и при Ч р = 145 В время записи информации 0,3 мкс.

Формула изобретения

Способ записи информации на аморфный полупроводниковый носитель, заключающийся в приложении к аморфному полупроводнику напряжений через управляющие и записывающие электроды, о т л.и ч а ю шийся тем, что, с целью ускорения процесса записи информации, предварительно на управляющие электроды подают управляющее напряжение одной полярности, затем на записывающие электроды подают рабочее напряжение противоположной полярности, по величине превосходящее пороговое напряжения, причем суммарное напряжение на аморфном полупроводнике, определяемое рабочим и управляющим напряжением, ниже порогового, в момент записи информации

1453446 снимают управляющее напряжение и saпись производят на рабочем напряжеЬ

Vn

v> нии на аморфном полупроводнике, превосходящем пороговое напряжение.

1453446

Редактор С.Патрушева

Заказ 7290/48 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета rro изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полнтрафическое предприятие, r Ужгород, ул. Проектная, 4

v, Ч л

Ю

Составитель А.Ануфриев

Техред М.Дидык Корректор А,Ворович