Транзисторный ключ
Изобретение относится к электротехнике и автоматике и может использоваться в качестве ключа и коммутатора . Цель изобретения - пов ьшгение КПД транзисторного ключа за счет уменьшения времени включения силового транзистора. Транзисторный ключ, содержит схему 1 управления и силовой транзистор 2, включенный по схеме с общим эмиттером. Схема управления содержит транзистор 9, подключенный эмиттером к базе силового транзистора 2, а коллектором - к шине дополнительного источника питания, конденсатор 6 и инерционный диод 3. Повьш1ение КПД обусловлено разрядом конденсатора 6 через база-эмиттерный переход силового транзистора 2, уменьшающим время включения силового транзистора 2 и тем самым динамические потери . 1 ил. о (Л 4 СП 00 со
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (594 Н 03 К 17 60
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 3944261/24-63 (22) 14.08.85 (46) 15.02.89. Бюл. В 6 (71) Научно-исследовательский, нроектно-конструкторский и технологический институт электрических машин постоянного тока Прокопьевского завода
"Электромашина" (72) А.П. Инешин и И.А.Макаров (53) 621.376.5(088.8) (56) Источники вторичного электропитания. Справочное пособие/Под ред.
Ю.И. Конева, М.: Радио и связь, 1983 с. 133, рис.3.65. (54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ (57) Изобретение относится к электротехнике и автоматике и может использоваться в качестве ключа и коммута„SU„„458970 А 1 тора. Цель изобретения — повьппение
КПД транзисторного ключа за счет уменьшения времени включения силового транзистора. Транзисторный ключ. содержит схему 1 управления и силовой транзистор 2, включенный по схеме с общим эмиттером. Схема управления содержит транзистор 9, подключенный эмиттером к базе силового транзистора 2, а коллектором — к шине дополнительного источника питания, конденсатор 6 и инерционный диод 3. Повьппение КПД обусловлено разрядом конденсатора 6 через база-эмиттерный переход силового транзистора 2, уменьшающим время включения силового транзистора 2 и тем самым динамические потери. 1 ил.
1458970
Формула изобретения
Транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, конденсатор, подключенный между эмиттером силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, инерционный диод, лодключенньй между коллектором силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения КПД в него введен дополнительный транзистор, подключенный базой к шине входного сигнала, а промежутком коллектор — эмиттер— между шиной дополнительного источника питания и базой силового транзистора последовательно по постоянному току с база-эмиттерным переходом последнего.
Составитель И. Горелова
Редактор А. Лежнина Техред М.Дидык Корректор Л. Пилипенко
Заказ 378/58 Тираж 879 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к электротехнике и автоматике, в частности к электронным коммутаторам.
Цель изобретения — повышение КПД транзисторного ключа путем уменьшения
5 времени включения силового транзистора.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема транзисторно- 1О го ключа.
Ключ состоит из схемы 1 управления и силового транзистора 2, включенного по схеме с общим эмиттером. Схема 1 управления содержит инерционный диод
3, соединенный катодом с коллектором силового транзистора 2, связанным через нагруэочный резистор 4 с шиной
5 источника питания, конденсатор 6, включенный между эмиттером силового транзистора 2 и шиной 7 дополнительного источника питания с внутренним сопротивлением, представленным резистором 8, и транзистор 9, промежуток коллектор — эмиттер которого подклю- 25 чен между шиной 7 дополнительного источника питания и базой силового транзистора 2; Положительная шина 7 дополнительного источника электрически развязана от коллектора силового транзистора 2 диодом 3. Отрицательные шины источников питания свя" заны общей шиной 10.
Транзисторный ключ работает следующим образом.
При открывающем входном сигнале на базе транзистора 9 через него и через переход база - эмиттер си-. лового транзистора 2 протекает ток от шины 7 дополнительного источника питания, при этом часть тока от шины 7 дополнительного источника питания ответвляется по цепи: диод 3— силовой транзистор 2. Это ответвление части тока обусловливает ограничение степени насыщения силового, транзистора 2.
При исчезновении отпирающего вход-: ного сигнала и появлении запирающего потенциала на базе транзистора 9 последний запирается. При этом весь ток от шины 7 дополнительного источника питания замыкается через диод 3 и силовой транзистор 2. Длительность протекания этого тока через диод 3 равна времени рассасывания неосновных носителей заряда в силовом транзисторе 2. Благодаря этому на р-и переходе диода 3 накапливается заряд .(неосновных носителей тока), который при запирании силового транзистора 2 обеспечивает в течение времени восстановления обратного сопротивления диода 3 протекание через него. тока, заряжающего конденсатора
6 и поддерживает низкое напряжение на коллекторе силового транзистора 2.
Повышение КПД обусловлено также тем, что в момент отпирания транзистора 9 происходит форсирование базового тока силового транзистора 2 благодаря разряду конденсатора 6, уменьшающее время включения силового транзистора 2 и следовательно, динамические потери.
