Способ радиационной обработки арсенидгаллиевых свч полевых транзисторов

 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам радиационной обработки арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов. Цель изобретения - повышение выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и повышения коэффициента усиления по мощности. Готовые СВЧ полевые транзисторы помещают в металлические кассеты и заземляют внешние выводы транзисторов, подсоединяя их к металлическим кассетам. Далее транзисторы облучают электронами с энергией 3 - 5 МэВ, дозой 10¹³ - 10¹⁴ см^-2 при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см². 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам радиационной обработки арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов. Целью изобретения является повышение процента выхода годных за счет снижения коэффициента шума (К_ш) и увеличения коэффициента усиления по мощности (К_ур) арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов. П р и м е р. Готовые арсенидгаллиевые транзисторы типа ЗП326А-2 помещают в металлические кассеты для заземления внешних выводов транзисторов. Цель достигается тем, что готовые СВЧ полевые транзисторы облучают электронами при комнатной температуре с энергией Е 3-5 МэВ дозой 10¹³-10¹⁴ см², плотностью тока j 0,2-2,0 мкА/см² при заземленных внешних выводах транзисторов. При заземлении внешних выводов транзисторов устраняется рассеивающее действие истока, стока и затвора, препятствующее проникновению электронов в область канала транзистора, т.е. создаются условия для взаимодействия электронов с ростовыми и технологическими дефектами кристаллической решетки в области канала, приводящие к их залечиванию. В результате снижается эффективность рекомбинационных центров, увеличивается подвижность носителей тока, уменьшается переходное сопротивление омических контактов, что приводит к снижению К_ш и увеличению К_ур. Диапазон плотности тока электронов обусловлен тем, что при плотности более 2,0 мкА/см² время для набора дозы мало и доза трудно контролируется, а также происходит сильный разогрев приборов и ухудшаются их параметры, при плотности тока меньше 0,2 мкА/см² необходимо большое время для набора дозы, что ухудшает параметры приборов из-за протекающих в них радиационно-стимулируемых диффузионных процессов. Партии полевых транзисторов (по 100 шт.), имеющие К_ш и К_ур соответственно больше и меньше нормы, подвергают радиационной обработке при различных режимах электронного облучения. В таблице приведены средние значения К_ш и К_ур в партиях до и после облучения. Выход приборов, удовлетворяющих по совокупности параметров норме, в партиях, обработанных по предложенному способу, составил 85%

Формула изобретения

СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий облучение готовых приборов электронами с энергией 3 - 5 МэВ и дозой 10¹³ - 10¹⁴ см^-2 при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и увеличения коэффициента усиления по мощности, облучение электронами проводят при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см² при заземленных внешних выводах транзисторов.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        

---