Патент ссср 155288

Авторы патента:

C30B13/08 - добавлением к расплавленной зоне кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

.!!(в 155288

Класс С 22b; 403, 46;„

СССР

В <

1 ", 1.

I ! (l...i T (Í TI-, .(,â€”,. 1. I< if < «(. „1< "1<о

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л1 1б1

А. К. Дроздов, С. М. Егоров, А, И. Грибов, В. И. Берков, В. В. Куренков, Х. И. Макеев и М. П. Чертков

СПОСОБ ЗОННОЙ ОЧИСТКИ КРЕМНИЯ

Заявлено 9 мая 1959 г. за Л<1 702421,22-2 в Комитет по делам изобретений и открытий нри Созете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаког»> М 12 за 1963 г.

Si â€”, SiO = 2SiO с переходом всех примесей в кремний.

В связи с этим для изготовления кварцевых тиглей (лодочек) неООХО 1н io испо 1ьзОвять квягц такой жс 111стоты. 1 .Як 111стОтя крез!нпя (10 вЂ” 0 "",„); получение такстго кьарпа и нздслий пз него нс менее сло кно, чем получсшге чистого крем!!и». 331311» эта до настояще 0 времеkif! не решена.

UP i ОПИСЯННЬ<Х СПОСООЯХ 091

aæ I0É 0!ieP a fkI! ff Pa3Ph 11:ЯетсЯ, 1<ОРО.1ск 1!Стал. 101!Да, т кж2, как и Рii 311ло, pff3ph шяется, и п1301кОнт1рлли1зовять его свопств 1 1!СЯРзз10ж110; кроме T

Ызвестныз!и химическими способамп производства полупроводникового кремния не удается получить кремний высокой чистоты. Кремний дополнительно очищают способом бестпгельной зонной плавки нли тигельной (в лодочке) в вакууме или водороде. Бестигельную зонную плавку iia-за сложности и малой производительности прпменя!от только для получения небольших образцов.

h0;!ec перспективен способ тигельной зонной плавки, обеспечивающий высоку!о производительность установок прп сравнительно небольших затратах. Эти способы применяются с использованием прозрачного кварца (единственного из известных материалов для плавки кремния) высокОЙ !kicTQTbl т3к как расплавленны!! В вяк) )"ме III!cpT!loll атмосфсрс и водороде кремний смачивает кварц, прп этом протскаст

РЕЯКLIИЯ

¹ 155288

Во нзося(ание таких явлс::и11. 1(al(смя !иванне кварца, растрескиВанп! ти!..Isl и слитка, IlppJ,. Iac;!стся проВОдить зонную Очистку кремния В окислительной атмосфере (кислород или смесь кислорода с тшертными газами) с последующей дегазацией кремния.

Г1ри плавке кремния в окислительной атмосфере на его поверхности образуется про шая скисная пленка, предохраняющая кремний от дальнейп1его окислен IH, прп этом реакция

Si â€” S iO вЂ” >- 2Si0 смешается влево и рс акции мея(ду кремнием и кварцем не происходит.

1исчотя
Г1!гель предлагается изготовлять из непрозрачного кварца, предварит льно oc!pac!Oral!ac.гп плявнкОВой кислотой д, !я снятия поверхностной пленки и обеспечения доступа кислорода со стороны тигля.

Предмет изобретения

Способ зонной очистки кремния. о т л н ч а ю шийся тем, что с целью удешевления производства, исходньш металл подверга1от перекристаллизации в окислительной атмосфере с применением лодочки из низкосортного темного кварца.

Составитель В. И, Любешкин

Редактор Л. В. Калашникова Техред А. А. Камышникова Коррекгор О. Б. Тюрина

Подп, к пеи. 211 П! вЂ” 63 г. Форт!ат бум. ОХ 108, (t) Объем 0,18 изд. л.

Зак. 19218 Тираж 675 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного ком !тета HO делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, р, Сапунова, 2

Похожие патенты:

Устройство для получения монокристаллов кремния // 139440

Способ получения кремниевых заготовок // 138062

Способ плавления кремния и устройство для его осуществления // 113874

Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей // 107450

Способ восстановления поверхности монокристаллической детали или детали, полученной направленной кристаллизацией // 2409708
Изобретение относится к технологии восстановления поверхности монокристаллической или полученной направленной кристаллизацией металлической детали, имеющей толщину Ws менее 2 мм, в которой лазерный луч и поток металлического порошка, имеющего ту же природу, что и металлическая деталь, подают на деталь с помощью сопла для получения, по меньшей мере, одного слоя монокристаллического или подвергшегося направленной кристаллизации от детали металла, при этом лазерный луч имеет мощность «Р» и перемещается вдоль детали со скоростью «v», в котором луч лазера и поток порошка подают на деталь соосно и отношение P/v находится в определенном диапазоне

Устройство для получения профилированных изделий бестигельной направленной кристаллизацией // 2006536
Изобретение относится к получению деталей турбинных двигателей методом направленной кристаллизации

Устройство для изготовления дисков бестигельной направленной кристаллизацией // 1836187

Абразивная суспензия // 2102543

Способ зонной перекристаллизации градиентом температуры кремниевых пластин на основе алюминиевых зон // 2107117

Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния // 2117081
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ получения мульти- и монокристаллического кремния // 2173738
Изобретение относится к химической технологии

Способ выращивания монокристаллов кремния // 2177513
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, получаемого для этих целей методом Чохральского

Способ обработки выращенных слитков монокристалла кремния // 2186887
Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста // 2189407
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Способ определения бездефектной зоны монокристалла кремния // 2189408
Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского

Способ получения монокристаллического кремния // 2193079
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского