Патент ссср 156702

 

Х2 555(0о а" 6 06" "-М 10

6 06д; 42m, 36

СССР

QllVICAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подт ская группа Л3 174

Я. Л. Райхман

УСТРОЙСТВО, ИМИТИРУЮЩЕЕ ДЕЯТЕЛЪНОСТЪ

НЕРВНОЙ КЛЕТКИ (НЕЙРИСТОР)

Заявлено 27 августа 1962 г. за 7,"в 792297,,26-24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР бп>бликовгно в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» K" (6 за 1963 г.

Известны устройства, имитирующие деятельность нервной клетки, состоящие из распределенных источника энергии, накопителя энергии и накопительного элемента.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно выполнено на многослойном полупроводнике, состоящем, например, из соединенных последовательно через активное сопротивление туннельного диода и четырехслойного диода, зашунтированных распределенной емкостью, а связь между элементами (нейристорами) осуществляется передачей сигналов по слоям полупроводника.

Это обеспечивает повышение быстродействия устройства.

На фиг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 приведена эквивалентная схема включения отдельного элемента устройства.

Между двумя металлическими проводящими пластинами 1, на которые подается напряжение от источника 2, расположен пятислойный полупроводник 8 — 7. В переходе между слоями 8 и 4 используется туннельный эффект. Четыре слоя 4, 5, 6 и 7 создают тиратронную характеристику. Слой 4 имеет высокое омическое сопротивление.

Последовательная цепь из туHíåëbíîãо диода Д,, сопротпвленп»

Ит и четырехслойного диода Д находится под напряжением с1;. Кроме того, туннельный диод Ä связан сопротивлениями R с соседними элементами. На емкостях С, и С-. происходит накопление энерпш, причем C > C>.

¹ !56702 включенным на эквивалентное цапРЯ>кение Ь а.

U3 — — а УО + I3 U + p U", р,, Где: !j..=

R, р:, и р= — .

Элементы мо?кно BblopBTb таким образом, что В нормально>! состоянии, когда на соседних элементах (U «U") высокое напряжение, схема включения диода Д! будет иметь два устойчивых состояния. Если один из соседних элементов возбудится, напряжение его понизится и схема перейдет из одного состояния в другое, а если напря>кение на этом элементе понизится, то сработает следующий элемент. Таким образом по нейристору распространится волна возбу>кдения. Для восстановления его после прохождения волны используются тиратронные характеристики тройного перехода между слоями 4: 7.

Предмет изобретения

Устройство, имитирующее деятельность нервной клетки (нейристор), состоящее из распределенного источника энергии, распределенцого накопителя энергии и распределенного накопительного элемента, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения быстродействия устройства и точности воспроизведения, оно выполнено на многосло1!ном полупроводнике, состоящем, например, из соединенных последовательно через активное сопротивление туннельного диода и четырехслойного диода, зашунтированных распределенной емкостью, а связь между элементами (нейристорами) осуществлена передачей сигналов по слоям полупроводника. асчет схемы Вкл10чения д110да,Д! показывает, что соп;>ОтиВ;!ения

Д! и Р можно 3!! менить Одн11м экВ:1Валентным сопротиВлением R g, R,R гд,-+л б

Og !

Составитель И. Дубинский

Корректор Р. М. Рамазанов

Текред Т. П. Курилко

Редактор Богатырева

Типографии, пр. Сапунова, 2.

Подп. к печ. 257Ъ 111 — 63 г. Формат бум. 70 (10817д Объем 0,18 изд. л.

Эак. 21l7(15 Тираж 725 Цена 4 коп.

Ц1-1ИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр. пр. Серова, д. 4.