Патент ссср 159242

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

C0U ИАЛИСТИЧ ЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОИ ИСАВ ИЕ

И 3 О Б Р Е Т Е Е! К Я

I(;,Iàcñ 12g, 29i

Заявлено I.I ×.1962 (№ 773683(26-9) ГОСУДАРСТВЕН Н Ы И

КОМИТЕТ ПО AEAAM

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ.

СССР

УДК

Опубликовано 7.XI 1.1963. Бюллетень Л" 24

Подписная группа № 97

И. H. Зайдель и Е. Ь. Серебряник

СПОСОБ ЗАЩИТЫ ЭКРАНОВ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧ -CKHX *

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗОБРАЖЕНИЯ ОТ ДЕЙСТВИЯ

ПАРОВ ЦЕЗИЯ

Известные способы защиты экранов электронно-оптических преобразователей от действия паров цезия либо сложны, либо пе исключают полностью влияния паров цезия.

Так, например, разделение фотокатода и экрана механическим затвором усложняет конструкцию, а двухкратное алюминирование экрана усложняет технологию изготовления и требует добавочных способов уменьшения вредного воздействия цезия на экраны электронно-оптических преобразователей.

Особенностью предлагаемого способа зашиты экранов электронно-оптических прсобразователей изображения от действия паров цезия является то, что рядом с экраном на смежных с ним деталях располагают вещестВо (например, сурьму), более активно поглощающее цезий.

Электровакуумный приоор откачивается до давления Р(5 10 мм рт ст и прогревает ся при 400 — 450 С в течение 1,5 — 2 час. послс этого давление в приборе дол>кис быть не более 1 10 в и.31 рт ст. При прогреве тщательно обезгаживаются газопоглотитель и ампулы с цезием. Далее на катодное стекло

í"-,íîñÿò слой сурьмы путем испарения Sb co специально вводимого в прибор испарителя. С помощью испарителя поверхность 1еталей, смежных с флуоресцирующим экраIfGM, покрывают слоем сурьмы в несколько

pàç более толстым, чем слой, наносимый lln катодиое стек 10.;1ктнв11Р3 PTc51 сА 1>ь3151!1О-I!сзиевьш фотокатод " парах цсзия Ilpii 180 —200 С. Та!. ккныс с экраном.

Взаимодействие материала флчоресцирующе1о экрана с парами цезия оудет niia;iirpльпо уменьшено. Т11 к как. площа 1ь c рьм51 !!ОГО 110крытпя г, приборе при данном способе увсли— чивается, То для пслуче111!я )>oroh Iroд013 с хорошей чуncrnii TP ".ьпос вью необходимо ооеспечить поступлсilil(цезия 13 приоор при актп-! 1 .ровке В Оольц! ii колпчсстВС, чем пр1! ЯзгоТОВiieIIIIII фОТ.>каТОдon В э leiirpo»ilo-ОПri«;Cских Ilpcoop63013IITC.Ч51х той же конст!р кцllи, но оез папесс;iiiî«0 слоя вещества, хорошо поглощающего цезий, на поверхностях, смсжных с флуорссцпру1ощим экраном.

Предмет пзобретепия

Способ защиты экранов электронно-оптическllx преобразоватс. сй пзооражсния oT,!СйСТ ВИЯ llnpon ПС311Я, 0 T!I II Ч >I 1О щ Ii Ii С ч ТС 3! что, с целью увел гче1пя спсloor;iачн экр;:ном, на смежных с экр.! !ом деталях "ncl10лага!ОТ ВСЩССТВО, ООЛСС;1кТ11В!1с ПО.- 10111;110 ц;ее цезий по сравпеншо с 3:nr;p»;iл031 экр»Il3, например сурьму.

Патент ссср 159242 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике по экранированию от электрических, магнитных полей и радиоволн и может быть использовано в микроволновых печах, высоковольтных и высокочастотных приборах, телевизионных и радиотехнических установках

Изобретение относится к технике электромагнитного поля и оптике и может быть применено как в быту, так и на производстве для персональных компьютеров (ПК), промышленных ТВ-установок и для телевизионных приемников

Изобретение относится к электронно-лучевым трубкам (ЦЭЛТ)

Изобретение относится к каталитической химии, в частности к приготовлению катализатора (КТ) для крекинга нефтяных фракций и дожига оксида углерода в процессе регенерации КТ

Способ подбора профиля высоковольтных кольцевых экранов относится к высоковольтной импульсной технике и может быть использован в генераторах высоковольтных импульсов и ускорителях заряженных частиц при подборе профиля закругления острых торцевых кромок проводников сильноточных формирующих линий. Достигаемый технический результат - снижение напряженности электрического поля на поверхности экрана. Способ характеризуется тем, что используют профиль тела вращения, имеющего гладкую образующую, профиль образующей выбирают по форме одной из эквипотенциальных линий электрического поля, образованного двумя вспомогательными электродами, выполненными в виде групп цилиндрических и конических элементов, один электрод заземлен, другой имеет потенциал высоковольтного экрана, при этом для подбора профиля экрана используют эквипотенциальную линию с разностью потенциалов 0.3-0.7 U относительно любого электрода, где U - напряжение между вспомогательными электродами. 3 ил.
Наверх