Способ изготовления мелкоструктурных сеток

 

Класс 2lg, 13ва № 111115

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Б. В. Круссер, М. А. Чистов и Е. И. Калинкин

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЛКОСТРУКТУРНЫХ СЕТОК

Заявлено 22 марта 1957 r, за 569380 в Комитет по делам изобрстс1шй и открытий при Совете Министров СССР

Предмет изобретения

При изготовлении мелкоструктурных сеток, например, для передающих телевизионных трубок на р астр, нанесенный фотомеханическим путем на поверхности металлического слоя, осаждают электролитическим способом медь, которая затем сним ается в виде мелкоструктурной сетки. При подобном способе с одного растра удается снять лишь несколько сеток, после чего растр разрушается и его приходится наносить вновь.

В описываемом изобретении этот недостаток устранен тем, что растр наносится на поверхность металла, имеющего слабое сцепление с осаждаемым на нем металлом сетки.

Согласно изобретению, с помощью делительной машины изготавливается негатив или эталонная сетка, которые используются для фотомеханического изготовления растра на поверхности пластины из титана.

На полученный подобным способом растр электролитическим путем осаждается слой металла, например меди. Благодаря слабому сцеплению меди с титаном электролитически нанесенный слой меди, образующий сетку, легко отделяется от титанового основания и повреждения растра не происходит, что позволяет увеличить число сеток, сни.,1аемых с одного растра

В качестве основы растра могут быть также применены стеклянные пластины с нанесенным на них слоем титана или же какого-либо другого металла, имеющего слабое сцепление с материалом, из которого изготавливаются мелкоструктурные сетки.

1. Способ изготовления мелкоструктурных сеток, в частности, для телевизионных передающих трубок посредством электролитического осаждения металла, например меди, на растр, нанесенный фотомеханическим путем на поверхность металлического слоя, о тл и ч а ющи и с я тем, что, с целью увеличения числа сеток, снимаемых с одного растра, последний наносят на

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Неглинная, 23. Зак. 1050. поверхности металла, имеющего слабое сцепление с электрически осажденным на нем металлом сетки.

2. Прием выполнения спосооа по

Отв. редактор Л. Г. Голандский

Стаидартгиз. Поди. к печ. 2д/11 !958 г. п. 1, отличающийся тем, что в качестве основы растра применены пластины титана или стекла с нанесенным слоем титана.

Объем 0,125 п. л. Тираж 800. Цена 25 коп.

Способ изготовления мелкоструктурных сеток Способ изготовления мелкоструктурных сеток 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике по экранированию от электрических, магнитных полей и радиоволн и может быть использовано в микроволновых печах, высоковольтных и высокочастотных приборах, телевизионных и радиотехнических установках

Изобретение относится к технике электромагнитного поля и оптике и может быть применено как в быту, так и на производстве для персональных компьютеров (ПК), промышленных ТВ-установок и для телевизионных приемников

Изобретение относится к электронно-лучевым трубкам (ЦЭЛТ)

 // 159242

Изобретение относится к каталитической химии, в частности к приготовлению катализатора (КТ) для крекинга нефтяных фракций и дожига оксида углерода в процессе регенерации КТ

Способ подбора профиля высоковольтных кольцевых экранов относится к высоковольтной импульсной технике и может быть использован в генераторах высоковольтных импульсов и ускорителях заряженных частиц при подборе профиля закругления острых торцевых кромок проводников сильноточных формирующих линий. Достигаемый технический результат - снижение напряженности электрического поля на поверхности экрана. Способ характеризуется тем, что используют профиль тела вращения, имеющего гладкую образующую, профиль образующей выбирают по форме одной из эквипотенциальных линий электрического поля, образованного двумя вспомогательными электродами, выполненными в виде групп цилиндрических и конических элементов, один электрод заземлен, другой имеет потенциал высоковольтного экрана, при этом для подбора профиля экрана используют эквипотенциальную линию с разностью потенциалов 0.3-0.7 U относительно любого электрода, где U - напряжение между вспомогательными электродами. 3 ил.
Наверх